اترك رسالة
يجب أن تكون رسالتك بين 20-3000 حرف!
من فضلك تفقد بريدك الالكتروني!
مزيد من المعلومات يسهل التواصل بشكل أفضل.
تم الإرسال بنجاح!
اترك رسالة
يجب أن تكون رسالتك بين 20-3000 حرف!
من فضلك تفقد بريدك الالكتروني!
—— نيشيكاوا من اليابان
—— لويس من الولايات المتحدة
—— ريتشارد من ألمانيا
—— تيم من ماليزيا
—— فنسنت من روسيا
—— نيشيكاوا من اليابان
—— سام من الولايات المتحدة
—— لينا من ألمانيا
|
|
LMG3425R030RQZR Gan Fet Gate Driver VQFN54 مدمج بنصف جسر Gan DriverGate Drivers LMG3425R030RQZR GaN FET with integrated driver and ideal diode mode VQFN54 Description LMG342xR030 GaN FET with integrated driver and protection enables designers to achieve new levels of power ... قراءة المزيد
2025-03-28 16:18:52
|
|
|
LMG3422R050RQZR GaN IC 600V 32A مرحلة طاقة GaN FET مع حماية متكاملة VQFN54 برنامج تشغيل الحملLMG3422R050RQZR GaN IC 600V 32A GaN FET Power Stages VQFN54 Load Drivers LMG3422R050RQZR GaN FET with integrated driver and protection enables designers to achieve new levels of power density and efficiency in ... قراءة المزيد
2025-12-09 17:59:33
|

