مدونة الشركة حول مزيج إم إم سي إيه إتش إم سي 521ALC4TR 8.5 غيغاهرتز إلى 13.5 غيغاهرتز

ADIHMC521ALC4TRمُضَمِّن I/Q GaAs MMIC من 8.5 جيجاهرتز إلى 13.5 جيجاهرتز

شركة شنتشن مينججيا للإلكترونيات المحدودة،بصفتها موزعًا رائدًا للمكونات الإلكترونية محليًا ودوليًا، تقدم HMC521ALC4TR مُضَمِّن I/Q GaAs MMIC من 8.5 جيجاهرتز إلى 13.5 جيجاهرتز في المخزون.

نظرة عامة على المنتج والمواصفات الفنية

إن HMC521ALC4TR عبارة عن دائرة متكاملة ميكروويفية متجانسة من زرنيخيد الغاليوم (GaAs) (MMIC) تتميز بتصميم مُضَمِّن رباعي الأطوار (I/Q)، معبأة في حامل رقاقة بدون رصاص سيراميكي (LCC) متوافق مع RoHS بـ 24 سنًا. يمكن استخدام جهاز HMC521ALC4TR كمُضَمِّن لقمع الصورة أو محول علوي أحادي النطاق. يشتمل المُضَمِّن HMC521ALC4TR على وحدتي مُضَمِّن مزدوجة متوازنة قياسية ومقرن خلط 90 درجة، وجميعها مصنعة باستخدام تقنية ترانزستور تأثير المجال لأشباه الموصلات المعدنية وأكسيد المعادن (MESFET) من GaAs. يوفر جهاز HMC521ALC4TR بديلاً أكثر إحكاما للمُضَمِّنات الهجينة المثبطة للصورة والمحولات العلوية أحادية النطاق. يزيل HMC521ALC4TR الحاجة إلى ربط الأسلاك، مما يتيح تقنية التصنيع المثبتة على السطح.

المواصفات الفنية الرئيسية لـ HMC521ALC4TR:

نطاق التردد: 8.5 جيجاهرتز إلى 13.5 جيجاهرتز

فقدان التحويل: القيمة النموذجية 9 ديسيبل

قمع الصورة: القيمة النموذجية 27.5 ديسيبل

عزل LO و RF: القيمة النموذجية 39 ديسيبل

إدخال IP3: القيمة النموذجية 16 ديسيبل

نطاق تردد IF: DC إلى 3.5 جيجاهرتز

حجم العبوة: 3.9 مم × 3.9 مم (16 مم²) حزمة LCC-24

ميزات المنتج والمزايا المعمارية لـ HMC521ALC4TR

يتم تصنيع HMC521ALC4TR باستخدام تقنية ترانزستور تأثير المجال لأشباه الموصلات المعدنية (MESFET) من زرنيخيد الغاليوم (GaAs) وتدمج وحدتي مُضَمِّن مزدوجة متوازنة قياسية ومقرن هجين 90 درجة. يوفر هذا التصميم المبتكر العديد من المزايا الهامة:

تطبيقات متعددة الوظائف: يمكن أن يعمل HMC521ALC4TR كمُضَمِّن لقمع الصورة ومحول علوي أحادي النطاق، مما يوفر مرونة عالية في تصميم النظام.

تصميم مضغوط: HMC521ALC4TR أصغر حجمًا، مما يتيح له استبدال المُضَمِّنات الهجينة التقليدية لقمع الصورة ومكونات المحول العلوي أحادي النطاق، مما يجعله مناسبًا بشكل خاص للتطبيقات المقيدة بالمساحة.

توافق التركيب السطحي: لا يتطلب HMC521ALC4TR أي أسلاك ويمكن تصنيعه مباشرة باستخدام تقنية التركيب السطحي (SMT)، مما يبسط عملية الإنتاج ويعزز الموثوقية.

مقاييس الأداء العالي: يوفر HMC521ALC4TR قدرة ممتازة على قمع الصورة (27.5 ديسيبل) وعزل LO/RF (39 ديسيبل)، مما يضمن نقاء واستقرار معالجة إشارات النظام.

مجالات التطبيق النموذجية لـ HMC521ALC4TR

معدات الراديو بالميكروويف ومحطة الفتحة الصغيرة جدًا (VSAT): توفر وظيفة تحويل التردد المستقرة في أنظمة الاتصالات عبر الأقمار الصناعية.

معدات الاختبار والقياس: توفر إمكانات معالجة إشارات دقيقة لأجهزة الاختبار عالية التردد.

الأنظمة الإلكترونية العسكرية:

معدات الحرب الإلكترونية (EW)

أنظمة الإجراءات المضادة الإلكترونية (ECM)

أنظمة القيادة والتحكم والاتصالات والاستخبارات (C3I)

البنية التحتية لاتصالات الجيل الخامس: مكون مهم لشرائح الجيل الخامس وخطوط إنتاج IC للاتصالات.

أنظمة الفضاء الجوي: تلعب دورًا حاسمًا في الأنظمة الهامة مثل الرادار والملاحة.