مدونة الشركة حول من HBM إلى LPDDR5: مينغجيادا إلكترونيكس توفر رقائق ذاكرة سامسونج و SK Hynix

شركة شينزين مينغجيادا الإلكترونية المحدودةهي موردة لديها ما يقرب من 30 عامًا من الخبرة في قطاع المكونات الإلكترونية. تقوم الشركة بتوريد رقائق الذاكرة من العديد من العلامات التجارية بما في ذلك Samsung و SK Hynix.فيما يلي مقدمة لمنتجات رقاقة الذاكرة الرئيسية.

خطوط المنتجات الأساسية

1مجموعة كاملة من رقائق الذاكرة سامسونج

توفر Mingjiada Electronics رقائق ذاكرة سامسونج تشمل جميع الفئات بما في ذلك DRAM و NAND Flash و UFS و HBM و eMMC.التكنولوجيا تمتد من العمليات الناضجة إلى الجيل الأخير من الحلول عالية الأداء:

1سلسلة HBM عالية الأداء

HBM3 Icebolt: KHBAC4A03D-MC1H (24GB سعة ، 12 طبقة تراكم ، 6.4 Gbps معدل نقل ، 819GB / s عرض النطاق الترددي الإجمالي) ، مصممة خصيصًا لتدريب الذكاء الاصطناعي ، الحوسبة عالية الأداء (HPC) ،وتسارع مركز البيانات

HBM2E Flashbolt: KHAA84901B-JC17 ، يوفر عرض نطاق واسع وانخفاض فترة تأخير للتطبيقات الحاسوبية الرسومية والتطبيقات ميتافيرس

2سلسلة DDR SDRAM

DDR4: K4A8G165WC-BCWE (8Gb سعة ، سرعة 3200Mbps) ، مناسبة للخوادم ومحطات العمل ؛ K4A4G045WE-BCRC تستخدم على نطاق واسع في الهواتف الذكية وأنظمة التحكم الصناعية

DDR3L: K4B4G0846E-BCMA (4Gb سعة ، سرعة 1866Mbps ، طاقة منخفضة 1.5V) ، معتمدة لموثوقية درجة السيارات ، مناسبة لإلكترونيات السيارات والأجهزة الطبية والأتمتة الصناعية

K4B4G1646E-BYMA: 4Gb DDR3L SDRAM في حزمة FBGA-96 ، تدعم ذاكرة التخزين المؤقت وتعدد المهام

3سلسلة LPDDR منخفضة الطاقة

LPDDR5 uMCP: KM2L9001CM-B518 و KM8L9001JA-B624 (قدرة 128GB) ، وتدمج LPDDR5 DRAM مع ذاكرة فلاش UFS 3.1. مصممة للهواتف الذكية والجهازات القابلة للارتداء المتوسطة إلى العالية ،توفير توازن بين عرض النطاق الترددي العالي واستهلاك الطاقة المنخفض

LPDDR4X: النماذج بما في ذلك K3KL8L80EM-MGCV ، التي تلبي متطلبات استهلاك الطاقة الصارمة لمحطات IoT

4ذاكرة فلاش UFS

الـ (يو إف إس 3)1: KLUDG4UHYB-B0EP (128GB) ، مناسبة للأجهزة المتنقلة الرئيسية وحلول السيارات

أوفس 21: KLUBG4G1ZF-C0CQ (512GB) ، يدعم عرض النطاق الترددي 6Gbps للأجهزة المحمولة عالية الأداء وأنظمة المعلومات والترفيه داخل المركبة

5. eMMC التخزين المدمج

(إم إم سي سي 5)1: KLMAG1JETD-B041 (128GB) ، يتم نشرها على نطاق واسع في الهواتف الذكية والأجهزة اللوحية لتشغيل النظام السريع وتجارب التطبيقات السلسة

6. NAND فلاش

تكنولوجيا V-NAND: K4F6E3S4HB-KHCL مناسبة للتخزين المدمج وإلكترونيات السيارات

2رقائق ذاكرة (إس كيه هاينيكس)

تحتفظ Mingjiada Electronics بإمدادات مستقرة طويلة الأجل لرقائق ذاكرة عالية الأداء من SK Hynix ، مع منتجات رئيسية تشمل:

1سلسلة LPDDR4X

H9HCNNNBKUMLHR-NMOR: 128GB سعة عالية، تدعم 4266Mbps معدلات نقل البيانات في مجرد 1.1V فولتاج تشغيل.يعمل بشكل موثوق في نطاق واسع من درجات الحرارة من -40°C إلى +85°Cيستخدم على نطاق واسع في الهواتف الذكية والأجهزة اللوحية وأجهزة الكمبيوتر المحمولة والخوادم ، ويقدم معالجة بيانات عالية السرعة واستهلاك طاقة منخفضة وموثوقية متفوقة.

2التجارة والتخزين الصناعي

كما توفر Mingjiada Electronics حلول ذاكرة متخصصة من SK Hynix لمراكز البيانات وأجهزة SSD للمؤسسات وأجهزة الكترونيات للسيارات ،تلبية متطلبات صارمة لمتانة عالية واستقرار.

3مجالات التطبيق النموذجية

• خوادم الذكاء الاصطناعي ومراكز البيانات: HBM3، DDR4، SSD Enterprise

• إلكترونيات السيارات: درجة السيارات DDR3L، eMMC، UFS متوافقة مع شهادة AEC-Q

• الهواتف الذكية والأجهزة المحمولة: LPDDR5، UFS 3.1، eMMC 5.1

• التحكم الصناعي والإنترنت من الأشياء: SLC NAND ، DDR الصناعية ، SPI NAND

• الأجهزة الطبية والإلكترونيات الاستهلاكية: DRAM عالية الموثوقية، سلسلة LPDDR منخفضة الطاقة

4. إتصل بنا

الهاتف: +86 13410018555 (السيد تشن)

البريد الإلكتروني: chen13410018555@163.com / sales@hkmjd.com

العنوان: الغرف 1239-1241، مبنى نيو آسيا غولي، شارع تشينجونغ، منطقة فوتيان، شنشن

الموقع الرسمي:www.integrated-ic.com