مدونة الشركة حول Infineon BSC046N10NS3G: OptiMOS™ 3 عالي الأداء بجهد 100 فولت MOSFET يتيح إدارة طاقة فعالة

في الوقت الحاضر ، يستمر الطلب على حلول إدارة الطاقة عالية الكفاءة وذكاء عالية الكثافة في مركبات الطاقة الجديدة وخوادم الذكاء الاصطناعي ومصادر الطاقة الصناعية ومجالات أخرى في الارتفاع ،وأهمية أشباه الموصلات القوية أصبحت بارزة بشكل متزايدوباعتبارها الشركة الرائدة عالمياً في مجال أشباه الموصلات الكهربائية، تستمر شركة إنفينيون في تعزيز الابتكار في تكنولوجيا MOSFET، وتشتهر مجموعة OptiMOS TM الخاصة بها في الصناعة.كموسفيت طاقة متزايدة من قناة 100 فولت N، أصبحت خيارًا شائعًا لتطبيقات تحويل الطاقة عالية التردد بسبب خصائصها الممتازة لمقاومة التشغيل المنخفضة للغاية وشحنة البوابة المنخفضة للغاية.شركة شينزين مينغجيادا الإلكترونية.، Ltd، باعتبارها موزع تركز على سلسلة التوريد للمكونات الإلكترونية، قد زودت Infineon BSC046N10NS3G بكميات كبيرة في المخزون لفترة طويلة،تزويد العملاء بمنتجات أصلية أصلية بنسبة 100% وخدمة تسليم سريعة.

1المعايير الأساسية والمزايا التقنيةBSC046N10NS3G

الـBSC046N10NS3Gتتبنى تقنية MOSFET المتقدمة في Infineon وتنتمي إلى مجموعة منتجات OptiMOS TM 3 ، ومُحسّنة لتطبيقات الترددات العالية.يتميز الجهاز بمقاومة انخفاض فائقة (RDS (on)) وشحنة بوابة منخفضة للغاية (Qg)، والتي تعمل بشكل جيد في السيطرة على خسارة التشغيل وفقدان التبديل ، ويمكن أن تحسن بشكل كبير من كفاءة تحويل الطاقة.

المعلمات الكهربائية الأساسية:

فولتاج مصدر الصرف (Vds): 100V

التيار المستمر للصرف (Id): 100 A (Tc = 25 °C) ؛ 85 A (Tc = 100 °C)

مقاومة التشغيل (Rds (on)): نموذجية 4.0 M Ω ، أقصاها 4.6 M Ω @ VGS = 10V

شحن البوابة (Qg): 63nC @ VGS = 10V

الجهد من مصدر البوابة (Vgs): ±20V

سعة الدخول (Ciss): 4500pF @ VDS = 50V

الجهد الحدودي للبوابة (Vgs (th)): 2.7V نموذجي

تبديد الطاقة (Pd): 156W (Tc = 25°C)

نطاق درجة حرارة التقاطع التشغيلي: -55°C إلى +150°C

خصائص التعبئة والتغليف وحماية البيئة

شكل العبوة: PG-TDSON-8 (Power TDSON) ، حجم 6.1mm × 5.35mm × 1.1mm

طريقة التثبيت: التثبيت السطحي (SMD / SMT) ، مناسبة لتصميم أقراص PCB عالية الكثافة

الشهادة البيئية: خالية تماما من الرصاص، متوافقة مع RoHS، خالية من الهالوجين، تصنيف MSL1 (مستوى حساسية الرطوبة 1)

القدرة التنافسية التقنيةBSC046N10NS3Gتنعكس في المنتج المنخفض للغاية لمقاومة على الشبكة والحمولة البوابة (FOM، عامل الجدارة) ،وتقلل السلسلة من كل من RDS (على) و FOM بنحو 30٪ مقارنة مع تكنولوجيا الجيل السابق، مما يتيح لها تحقيق نطاق أقل وكثافة طاقة أعلى في تطبيقات التبديل عالية التردد.

سيناريوهات تطبيق متنوعة: تغطي الصناعة والسيارات والإلكترونيات الاستهلاكية

مع مزايا مجتمعة من 100 فولت مقاومة الجهد ، 100A القدرة على معالجة التيار العالي والحزمة المدمجة ، يتم استخدام BSC046N10NS3G على نطاق واسع في المجالات التالية:

1إمدادات الطاقة المتبادلة AC-DC (SMPS) تصحيح متزامن

BSC046N10NS3G مثالية للدوائر المباشرة المتزامنة AC-DC SMPS. مقاومة التشغيل المنخفضة يمكن أن تقلل إلى حد كبير من فقدان وصلة التشغيل ،و شحنة البوابة المنخفضة للغاية تسمح بعملية التبديل عالية التردد، مما يساعد على تقليل حجم المحول والعنصر المرشح ، وبالتالي تحسين كثافة الطاقة من إمدادات الطاقة الإجمالية.

2نظام تحكم المحرك 48V-80V

في أنظمة 48V-80V مثل الأدوات الكهربائية والأجهزة المنزلية والمركبات الكهربائية الخفيفة والشاحنات ، يمكن تطبيق BSC046N10NS3G على التحكم في محرك القيادة.القدرة العالية على معالجة التيار وأداء التبديد الحراري الممتاز للجهاز يضمن التشغيل المستقر لنظام محرك القيادة في ظل ظروف عمل مختلفة.

3محول متزامن متزامن (اتصالات ومركز البيانات)

محطات قاعدة الاتصالات ومراكز البيانات لديها متطلبات عالية للغاية للكفاءة وكثافة الطاقة من محولات DC-DC.خصائص خسارة التبديل المنخفضة لـ BSC046N10NS3G تجعلها مناسبة للاستخدام في محولات DC-DC المعزولة في أنظمة اتصالات الطاقة والبيانات، مما يساعد النظام على تحقيق كفاءة تحويل أعلى.

4إمدادات الطاقة غير المتقطعة (UPS)

في تطبيقات UPS ، يمكن استخدام BSC046N10NS3G في تبديل الطاقة وتصحيح الروابط.إن مقاومة الجهاز الكبيرة للانهيارات الحارة ومدى درجة حرارة العمل الواسع (-55 درجة مئوية إلى + 150 درجة مئوية) يضمن عمل ثابت وموثوق به لـ UPS في تقلبات الشبكة وحالات إمدادات الطاقة الطارئة.

5محول شحن سريع و إمدادات الطاقة الصناعية

يواصل الطلب على MOSFETs عالي الكفاءة والحجم الصغير لمحولات الشحن السريع لأجهزة الإلكترونيات الاستهلاكية النمو.حزمة BSC046N10NS3G المدمجة TDSON-8 والأداء الحراري الممتاز يجعلها جهازًا مفضلًا لمخططات الشحن السريع عالية الكثافة ومصادر الطاقة الصناعية.

6إمدادات الطاقة للخادم

مع النمو الهائل في الطلب على قوة الحوسبة الذكية الاصطناعية، وضعت خوادم الذكاء الاصطناعي متطلبات أعلى للكفاءة والموثوقية لنظم الطاقة.الصناعة قد وضعت باستمرار 48 فولت الطاقة الدائرة الساخنة من خادم AI، و 100 فولت مقاومة الجهد MOSFET أصبحت الجهاز الرئيسي لهذا التطبيق. مع 100 فولت مقاومة الجهد و 100A القدرة الحالية،BSC046N10NS3G مناسبة تماما لهذه البنايات عالية الأداء.

4(منججيادا إلكترونيكس)BSC046N10NS3Gمتوفر بكميات كبيرة، والمنتج الأصلي مضمون

تأسست شركة شينزن مينغجيادا الإلكترونية في عام 1996، وقد شاركت بشكل عميق في سلسلة التوريد للمكونات الإلكترونية منذ ما يقرب من 30 عامًا.لقد أنشأت فروعها في هونغ كونغ، اليابان، روسيا، مقاطعة تايوان وأماكن أخرى لبناء شبكة سلسلة التوريد العالمية.لقد ركزت الشركة منذ فترة طويلة على توريد كل أنواع المكونات الإلكترونية مثل أشباه الموصلات المنفصلة، أجهزة الطاقة والشرائح من طراز السيارات، وقد أنشأت تعاونا متعمقا مع العلامات التجارية الدولية الأولى مثل Infineon، ON Semiconductor، STMicroelectronics، Texas Instruments،NXP و ADI.

من حيث توريد BSC046N10NS3G ، تمتلك Mingjiada Electronics كمية كبيرة من المخزون الفوري. وتشمل مزايا التوريد المحددة:

توفر مخزون كبير: BSC046N10NS3G لديها مخزون كاف طوال العام ، والتي يمكن أن تلبي احتياجات الشراء بكميات كبيرة في أي وقت.

100% أصلية وصادقة: جميع المكونات من قنوات المصنع الأصلية العادية، مما يوفر التتبع الكامل للجودة والقضاء على التزوير.

التسليم السريع: يعتمد على أنظمة التخزين في شنغشن وهونغ كونغ وأماكن أخرى ، فهو يدعم التسليم الطارئ على مدار 24 ساعة والتسليم السريع على مدار 48 ساعة.

بالإضافة إلى BSC046N10NS3G ، توفر Mingjiada Electronics أيضًا أجهزة طاقة أخرى من Infineon ، مثل CoolMOS TM P7 سلسلة IPD60R360P7S (600V N-channel super junction MOSFET) ،تستخدم على نطاق واسع في سيناريوهات التحكم الصناعي وإدارة الطاقة.

BSC046N10NS3G.jpg

نحن نرحب بالعملاء للاستفسار عن شراء الكميات من BSC046N10NS3G:

معلومات الاتصال الرسمية لمينغجيادا الإلكترونيات:

الهاتف: +86 13410018555 (السيد تشن) /86-755-83294757

البريد الإلكتروني: sales@hkmjd.com

العنوان: الغرفة 1239-1241، مبنى نيو آسيا غولي، شارع تشينجونغ، منطقة فوتيان، شنشن.