مدونة الشركة حول ديود شوتكي من كربيد السيليكون Infineon IDW20G120C5B 1200V 20A

إنفينيونIDW20G120C5B1200 فولت 20A سيليكون كاربيد شوتكي ديود

شركة شينزين مينغجيادا الإلكترونية المحدودةكشركة عالمية رائدة في مجال المكونات الإلكترونية،IDW20G120C5B- ثنائي سكوتكي الكربيد السيليكوني CoolSiCTM من الجيل الخامس 1200V/20A.

IDW20G120C5Bلمحة عامة عن المنتج والخصائص التقنية:

الـ IDW20G120C5B هي الديود السيليكون كربيد شوتكي من الجيل الخامس في سلسلة CoolSiC TM من Infineon ، مع حزمة TO-247-3 القياسية ومصممة خصيصًا للطاقة العالية ،التطبيقات عالية الترددكممثل للتكنولوجيا الرائدة للديودات الحاجزية لكربيد السيليكونIDW20G120C5Bالمنتج يدمج تكنولوجيا الشريحة الرقيقة لشركة Infineon التي تم إدخالها في الجيل الثاني من المنتج مع تكنولوجيا التقاطع pn المدمجة المبتكرة ،تحسين قدرة الديود على التيار الزائد وموثوقية النظام بشكل كبير.

من حيث المعلمات الأساسيةIDW20G120C5Bيحتوي على قيمة اسمية تبلغ 1200 فولت من الجهد العكسي المتكرر (Vrrm) و 20A من التيار الأمامي (If) ، مع انخفاض في الجهد الأمامي (Vf) قدره 1.4 فولت فقط عند التيار 10A ، مما يدل على توصيل ممتاز.من حيث الخصائص العكسية، يحتوي الديود على تيار تسرب عكسي منخفض للغاية (Ir) عند فولت عكسي 1200V ، مع قيم نموذجية منخفضة تصل إلى 6-12μA ، مما يضمن تشغيل النظام بكفاءة.

أبرز المعلومات التقنيةIDW20G120C5Bكربيد السيليكون ديود شوتكي تنعكس في المقام الأول في الجوانب التالية:

لا توجد رسوم استرداد عكسية (Qrr = 0): بالمقارنة مع ثنائيات السيليكون التقليدية ، فإنه يلغي تماما خسائر الاسترداد العكسي ،مما يجعلها مناسبة بشكل خاص لتطبيقات التبديل عالية التردد

اعتماداً خفيفاً على درجة حرارة الجهد الأمامي: يحافظ على أداء مستقر عبر درجات حرارة تشغيل مختلفة

القدرة الرائدة في الصناعة على التيار الزائد (Ifsm = 190A): قادرة على تحمل ظروف الإفراط قصيرة الأجل

أداء حراري ممتاز: يستخدم تصميم تغليف محسّن لضمان تبديد الحرارة بكفاءة

الـIDW20G120C5Bيمتلك نطاقًا واسعًا من درجات الحرارة التشغيلية من -55 °C إلى + 175 °C ، مما يجعله مناسبًا للتطبيقات في ظروف بيئية مختلفة قاسية.IDW20G120C5Bخيار مثالي لأنظمة تحويل الطاقة عالية الكفاءة.

IDW20G120C5Bالمعلمات التقنية الرئيسية:

الجهد المعاكس (Vr): 1200V

متوسط التيار المعدل (Io): 20A (متواصل)

انخفاض الجهد الأمامي (Vf): 1.4V @ 10A

تيار تسرب عكسي (Ir): 6μA @ 1200V

التيار الكهربائي المتزايد (Ifsm): 190A

حزمة: TO-247-3 (تثبيت من خلال الثقب)

نطاق درجة حرارة التشغيل: -55°C إلى +175°C

السمات الرئيسيةIDW20G120C5B:

لا توجد رسوم استرداد عكسية (Qrr = 0): يقلل من خسائر التبديل ويحسن كفاءة النظام.

انخفاض الضغط الأمامي المنخفض (Vf): يقلل من خسائر التوصيل ، وهو مناسب لتطبيقات التبديل عالية التردد.

معامل درجة الحرارة الإيجابي (Vf يزيد قليلا مع درجة الحرارة): يساعد على موازنة التيار عند استخدامه بالتوازي.

القدرة الرائعة على التيار الكهربائي: تعزز موثوقية النظام.

خصائص EMI المنخفضة: مناسبة للتطبيقات الحساسة للتداخل الكهرومغناطيسي.

IDW20G120C5Bالمزايا الرئيسية للمنتج ومجالات التطبيق:

ثنائي سكوتكي الكربيد السيليكون IDW20G120C5B يظهر قدرة تنافسية قوية في العديد من قطاعات السوق عالية النمو بسبب أدائه الكهربائية الاستثنائية ومزاياها على مستوى النظام.بالمقارنة مع ثنائيات الطاقة التقليدية القائمة على السيليكون، هذا المنتج يحقق تحسينات كبيرة في كفاءة النظام، وكثافة الطاقة، والموثوقية.

المزايا التنافسية الرئيسيةIDW20G120C5B:

أعلى كفاءة النظام: بفضل الخصائص المتفوقة لمادة كربيد السيليكون وتصميمها بدون شحن استعادة عكسية،IDW20G120C5Bيقلل بشكل ملحوظ من خسائر التبديل ، وخاصة في التطبيقات عالية التردد. تظهر بيانات الاختبار أن الأنظمة التي تستخدم هذا الديود يمكن أن تحقق زيادة 1-3 نقطة مئوية في الكفاءة الإجمالية ،يترجم إلى وفورات كبيرة في استخدام الطاقة في التطبيقات ذات الطاقة العالية.

زيادة كثافة الطاقة: بسبب انخفاض خسائر التبديل وأداء حراري محسّن، يمكن أن تتبنى الأنظمة ترددات التبديل العالية.وبالتالي تقليل حجم ووزن المكونات السلبية (مثل المحفزات والمحولات) وتحقيق كثافة طاقة أعلىهذه الميزة مهمة بشكل خاص للتطبيقات المحدودة بالمساحة (مثل المركبات الكهربائية).

تعزيز موثوقية النظام: يقدم مواد الكربيد السيليكون بطبيعتها قدرة أعلى على درجة حرارة التشغيل وموصلية حرارية أفضل.جنبا إلى جنب مع تكنولوجيا التعبئة والتغليف الأمثل لشركة إنفينيون،IDW20G120C5Bيظهر أداء أكثر استقراراً أثناء التشغيل على المدى الطويل، مما يطيل عمر النظام بشكل عام.

انخفاض التداخل الكهرومغناطيسي (EMI): غياب خصائص الاسترداد العكسي يقلل من تقلبات الجهد والتيار أثناء التبديل ،وبالتالي تقليل إشعاع الضوضاء عالية التردد وتبسيط تصميم تصفية EMI.

مجالات التطبيق النموذجيةIDW20G120C5B:

أنظمة عاكس الطاقة الكهروضوئية: مناسبة بشكل خاص لدوائر تعزيز وعاكس في عاكسات سلسلة ، مما يحسن بكثير من كفاءة التحويل ويقلل من تكاليف النظام

معدات شحن المركبات الكهربائية: بما في ذلك محطات الشحن الداخلية (OBC) ومحطات الشحن السريع للسيارةحيث تساعد خصائص ثنائيات كربيد السيليكون عالية التردد على تقليل حجم الجهاز ووزنه

محركات المحرك الصناعية: تستخدم في الدوائر المنسقة والحلقات الحرة من محركات التردد المتغير ومحركات الخدمة ، لتحسين دقة التحكم وكفاءة استخدام الطاقة

مصادر الطاقة غير المتقطعة (UPS): استبدال ثنائيات السيليكون التقليدية في أنظمة UPS عالية الأداء ، والحد من الخسائر وزيادة كثافة الطاقة

أنظمة توليد الطاقة المتجددة: بما في ذلك محولات طاقة الرياح وأنظمة تخزين الطاقة حيث يمكن أن تتعامل أجهزة كربيد السيليكون مع التباين الكبير في مدخلات الطاقة المتجددة