شركة شنتشن مينغجيا دا للإلكترونيات المحدودة تقوم بتوريد وإعادة تدوير منتجات Infineon من المزايا التقنية لعملية الجيل السابع فائقة الوصلة لتحقيق اختراقات شاملة في انخفاض الخسائر، والاستقرار العالي، والتوافق القوي، وسهولة التصميم. مقارنة بالمنتجات من الأجيال السابقة، فإنه يوفر خسائر تبديل وقيادة مخفضة بشكل كبير، إلى جانب تحسين ملحوظ في قابلية تكيف الطوبولوجيا والمتانة التشغيلية، مع الحفاظ على الموثوقية والجودة المثبتة لسلسلة Infineon CoolMOS™. يتوافق هذا الجهاز تمامًا مع الاتجاهات الحالية نحو كفاءة أعلى، والتصغير، والتصنيع في معدات إمدادات الطاقة. إنه ترانزستور MOSFET للطاقة المفضل لتطبيقات إمدادات الطاقة التبديلية عالية الجهد متوسطة ومنخفضة الطاقة، ويوفر توازنًا بين فعالية التكلفة والأداء. يمكنه استبدال حلول ترانزستورات MOSFET عالية الجهد التقليدية على نطاق واسع، مما يساعد الأجهزة النهائية على تحسين كفاءة الطاقة وتقليل التكاليف وتعزيز الموثوقية. من نوع CoolMOS™ P7 عالي الكفاءة.
إن IPP60R180P7 هو ترانزستور MOSFET للطاقة من النوع N بجهد عالٍ يبلغ 600 فولت، تم تطويره بواسطة Infineon بناءً على تقنية CoolMOS™ P7 فائقة الوصلة من الجيل السابع. كخليفة مطور لسلسلة P6 من الجيل السابق، يوفر هذا الجهاز توازنًا مثاليًا بين كفاءة التحويل العالية جدًا، والاستقرار التشغيلي الممتاز، وسهولة دمج التصميم، مما يجعله جهاز طاقة أساسيًا لتطبيقات تحويل الطاقة عالية الجهد من الدرجة الصناعية. يستخدم الجهاز بنية عملية Super Junction (SJ) المثبتة، والتي تستفيد من مزايا تقنية CoolMOS™ من Infineon، والتي تم تحسينها بشكل متكرر منذ عام 1998. من خلال ابتكارات العملية، فإنه يقلل بشكل كبير من خسائر التوصيل والتبديل مع تعزيز متانة الجهاز ومقاومته للتداخل، مما يجعله متوافقًا تمامًا مع مجموعة واسعة من طوبولوجيات إمدادات الطاقة الرئيسية، بما في ذلك التبديل الصلب والتبديل الرنيني.
يقوم جهاز من المزايا التقنية لعملية الجيل السابع فائقة الوصلة لتحقيق اختراقات شاملة في انخفاض الخسائر، والاستقرار العالي، والتوافق القوي، وسهولة التصميم. مقارنة بالمنتجات من الأجيال السابقة، فإنه يوفر خسائر تبديل وقيادة مخفضة بشكل كبير، إلى جانب تحسين ملحوظ في قابلية تكيف الطوبولوجيا والمتانة التشغيلية، مع الحفاظ على الموثوقية والجودة المثبتة لسلسلة Infineon CoolMOS™. يتوافق هذا الجهاز تمامًا مع الاتجاهات الحالية نحو كفاءة أعلى، والتصغير، والتصنيع في معدات إمدادات الطاقة. إنه ترانزستور MOSFET للطاقة المفضل لتطبيقات إمدادات الطاقة التبديلية عالية الجهد متوسطة ومنخفضة الطاقة، ويوفر توازنًا بين فعالية التكلفة والأداء. يمكنه استبدال حلول ترانزستورات MOSFET عالية الجهد التقليدية على نطاق واسع، مما يساعد الأجهزة النهائية على تحسين كفاءة الطاقة وتقليل التكاليف وتعزيز الموثوقية. في عبوة TO-252 قابلة للتركيب السطحي، مما يوفر ميزة المساحة المدمجة مع موازنة أداء إدارة الحرارة مع متطلبات التصميم المتكامل. بالالتزام الصارم بمعايير شهادة JEDEC الصناعية، فإنه يضمن التشغيل المستقر طويل الأمد في ظل الظروف الصناعية المعقدة، وهو قابل للتطبيق على نطاق واسع في سيناريوهات تحويل الطاقة عالية الجهد عبر قطاعات متعددة، بما في ذلك الإلكترونيات الاستهلاكية، والمعدات الصناعية، وإمدادات الطاقة لأنظمة الطاقة الجديدة.
يشتمل جهاز IPP60R180P7 على تقنية CoolMOS™ P7 فائقة الوصلة من الجيل السابع، وهي حل عملية ثوري في مجال ترانزستورات MOSFET للطاقة عالية الجهد، مما يمثل ترقية شاملة مقارنة بترانزستورات MOSFET التقليدية وسلسلة P6 من الجيل السابق. تكمن ميزته التقنية الأساسية في الهيكل الرأسي فائق الوصلة المحسن، والذي يقلل بشكل كبير من مقاومة التشغيل لكل وحدة مساحة للجهاز، ويحقق قيمة ممتازة لمقياس الأداء RDS(on)·A أقل من 1 Ω·mm². هذا يتيح خسائر أقل في مقاومة التشغيل وكثافة طاقة أعلى ضمن نفس حجم العبوة.
في الوقت نفسه، خضعت تقنية P7 لتحسينات عميقة في خصائص شحنة البوابة. مقارنة بسلسلة P6، تم تقليل إجمالي شحنة البوابة (Qg) بنسبة 30 بالمائة، مع انخفاض رئيسي في شحنة البوابة إلى المصرف (QGD) المقابلة لمنطقة بلاتو ميلر، مما يؤدي إلى تقصير وقت انتقال التبديل وتقليل خسائر قيادة التبديل وخسائر الاقتران المتبادل عند المصدر. يشتمل الجهاز على مقاومة بوابة مدمجة، مما يلغي الحاجة إلى مكونات تخميد خارجية إضافية. هذا يقمع بشكل فعال تذبذبات التبديل ويقلل من التداخل الكهرومغناطيسي، مع تبسيط تصميم الدائرة المحيطة وتحسين كفاءة تنفيذ الحل. علاوة على ذلك، يوفر الصمام الثنائي للجسم المحسن تقنيًا متانة استثنائية للتبديل، مما يعزز بشكل كبير الاستقرار التشغيلي للجهاز أثناء تبديل الطوبولوجيا وتغيرات الحمل المفاجئة.
بفضل الضبط الدقيق لمعلماته، يعد جهاز IPP60R180P7 مناسبًا لتطبيقات تحويل الطاقة متوسطة وعالية الجهد، منخفضة إلى متوسطة الطاقة. معلمات التصنيف الأساسية وخصائصه الكهربائية هي كما يلي؛ تم التحقق من جميع المعلمات من خلال اختبارات قياسية من الدرجة الصناعية:
- الجهد المقنن (VDS): 600 فولت؛ مناسب لتطبيقات قضبان التوصيل عالية الجهد الاستهلاكية والصناعية العامة، مع هامش جهد كافٍ لتحمل الاضطرابات مثل تقلبات التيار الكهربائي والنبضات الحادة
- مقاومة التشغيل (RDS(on)): قيمة نموذجية تبلغ 180 ميجا أوم؛ تقلل مقاومة التشغيل المنخفضة للغاية بشكل كبير من خسائر التوصيل في الحالة المستقرة، مما يقلل بشكل فعال من تسخين الجهاز ويعزز كفاءة تحويل إمدادات الطاقة عند الحمل الكامل
- تيار المصرف المقنن (ID): 18 أمبير؛ قدرة كافية لحمل التيار لتلبية متطلبات إمدادات الطاقة منخفضة إلى متوسطة الطاقة التي تعمل عند الحمل الكامل وتحت ظروف الحمل الزائد قصيرة الأجل
- خصائص شحنة البوابة: شحنة بوابة إجمالية منخفضة (Qg) وشحنة بوابة إلى مصرف منخفضة (QGD)، بينما يتم تقليل الطاقة المخزنة في COSS بشكل كبير، مما يحسن بشكل ملحوظ كفاءة التبديل في ظروف التشغيل ذات الحمل الخفيف والتردد العالي
- تصنيف حماية ESD: جهد تحمل التفريغ الكهروستاتيكي > 2 كيلو فولت في ظل نموذج جسم الإنسان (HBM)، مما يوفر مناعة ممتازة ضد التفريغ الكهروستاتيكي ويخفف بشكل فعال من خطر التلف الكهروستاتيكي أثناء الإنتاج والتجميع والتشغيل والصيانة
- نطاق درجة حرارة التشغيل: نطاق درجة حرارة صناعي قياسي، قادر على التشغيل المستقر عبر نطاق درجة حرارة واسع من -55 درجة مئوية إلى 150 درجة مئوية، مناسب للبيئات الصناعية الخارجية القاسية
1. خسائر منخفضة للغاية، كفاءة عالية، وتوفير للطاقة في جميع ظروف التشغيل
يقوم جهاز من المزايا التقنية لعملية الجيل السابع فائقة الوصلة لتحقيق اختراقات شاملة في انخفاض الخسائر، والاستقرار العالي، والتوافق القوي، وسهولة التصميم. مقارنة بالمنتجات من الأجيال السابقة، فإنه يوفر خسائر تبديل وقيادة مخفضة بشكل كبير، إلى جانب تحسين ملحوظ في قابلية تكيف الطوبولوجيا والمتانة التشغيلية، مع الحفاظ على الموثوقية والجودة المثبتة لسلسلة Infineon CoolMOS™. يتوافق هذا الجهاز تمامًا مع الاتجاهات الحالية نحو كفاءة أعلى، والتصغير، والتصنيع في معدات إمدادات الطاقة. إنه ترانزستور MOSFET للطاقة المفضل لتطبيقات إمدادات الطاقة التبديلية عالية الجهد متوسطة ومنخفضة الطاقة، ويوفر توازنًا بين فعالية التكلفة والأداء. يمكنه استبدال حلول ترانزستورات MOSFET عالية الجهد التقليدية على نطاق واسع، مما يساعد الأجهزة النهائية على تحسين كفاءة الطاقة وتقليل التكاليف وتعزيز الموثوقية. بتحسين مقاومة التشغيل وخسائر التبديل في وقت واحد لتحقيق تشغيل عالي الكفاءة عبر نطاق الحمل بأكمله. تقلل خصائص RDS(on) المنخفضة بشكل كبير من فقدان الطاقة عندما يكون الجهاز في حالة التشغيل، مما يعالج مشاكل توليد الحرارة المفرطة وانخفاض الكفاءة في ظروف الحمل الكامل؛ تقلل خصائص شحنة البوابة وسعة الخرج المحسنة بشكل كبير من الخسائر الديناميكية أثناء التبديل عالي التردد، مما يعزز بشكل خاص كفاءة التحويل في ظروف الحمل الخفيف، ويلبي تمامًا متطلبات الصناعة الحالية لترقيات كفاءة الطاقة في إمدادات الطاقة ووضع الاستعداد منخفض الطاقة. مقارنة بالمنتجات المنافسة بنفس المواصفات، فإن عامل جودة RDS(on)·A الممتاز يتيح حجم جهاز أصغر بنفس تصنيف الطاقة، مما يسهل التصغير وتصميمات كثافة الطاقة العالية.
2. قابلية تكيف قوية للطوبولوجيا، مناسبة للتبديل الصلب والتبديل الناعم
بفضل متانة التبديل الممتازة وقدرة تحمل الصمام الثنائي للجسم، فإن هذا الجهاز مناسب لكل من طوبولوجيات التبديل الصلب وطوبولوجيات التبديل الناعم الرنيني. في دوائر التبديل الصلب مثل محولات PFC boost و flyback، فإنه يقمع بشكل موثوق نبضات التبديل والتذبذبات، مما يقلل من التداخل الكهرومغناطيسي؛ في طوبولوجيات التبديل الناعم مثل محولات LLC الرنينية، فإن أداء التبديل الممتاز للصمام الثنائي للجسم يمنع بشكل فعال تلف الجهاز الناجم عن فشل الاسترداد العكسي، مما يعزز بشكل كبير الموثوقية الإجمالية لإمدادات الطاقة. يمكن لجهاز واحد استيعاب معماريات إمدادات طاقة متعددة، مما يقلل من تكاليف اختيار المكونات والمخزون.
3. متانة عالية، مناسبة للبيئات الصناعية المتطلبة
لقد اجتاز الجهاز شهادة JEDEC الصناعية الكاملة وخضع لاختبارات صارمة لدورات الحرارة العالية والمنخفضة، واختبارات الرطوبة والحرارة، واختبارات زيادة الجهد، مما يدل على قدرة تكيف استثنائية مع ظروف التشغيل. مع قدرة حماية ESD تتجاوز 2 كيلو فولت، فإنه يتحمل بشكل فعال التفريغ الكهروستاتيكي أثناء الإنتاج والتجميع والاستخدام، مما يقلل من معدلات عيوب المنتج؛ تصميم مقاومة البوابة المدمجة يلغي الحاجة إلى مقاومات تخميد إضافية، مما لا يبسط الدائرة المحيطة فحسب، بل يقمع أيضًا بشكل فعال تذبذبات التبديل عالية التردد، ويقلل من التداخل الكهرومغناطيسي وضغط الجهد على الجهاز، ويعزز أداء EMC العام والاستقرار التشغيلي للنظام.
4. تصميم سهل الاستخدام للإنتاج الضخم السريع
تم تحسين سلسلة CoolMOS™ P7 لسهولة الاستخدام، وتوفر اتساقًا عاليًا للمعلمات وتحملًا للأخطاء، مما يتيح ظروف تشغيل مثالية دون الحاجة إلى ضبط معقد لمعلمات القيادة. العبوة المدمجة TO-252 القابلة للتركيب السطحي متوافقة مع عمليات الإنتاج الضخم الآلية SMT، مما يوازن بين الأداء الحراري ومرونة التخطيط. هذا يقلل بشكل فعال من دورة البحث والتطوير لحلول إمدادات الطاقة ويلبي متطلبات الإنتاج الضخم على نطاق واسع.
بالاستفادة من مزاياه الأساسية المتمثلة في الكفاءة العالية والاستقرار والتنوع، يُستخدم جهاز من المزايا التقنية لعملية الجيل السابع فائقة الوصلة لتحقيق اختراقات شاملة في انخفاض الخسائر، والاستقرار العالي، والتوافق القوي، وسهولة التصميم. مقارنة بالمنتجات من الأجيال السابقة، فإنه يوفر خسائر تبديل وقيادة مخفضة بشكل كبير، إلى جانب تحسين ملحوظ في قابلية تكيف الطوبولوجيا والمتانة التشغيلية، مع الحفاظ على الموثوقية والجودة المثبتة لسلسلة Infineon CoolMOS™. يتوافق هذا الجهاز تمامًا مع الاتجاهات الحالية نحو كفاءة أعلى، والتصغير، والتصنيع في معدات إمدادات الطاقة. إنه ترانزستور MOSFET للطاقة المفضل لتطبيقات إمدادات الطاقة التبديلية عالية الجهد متوسطة ومنخفضة الطاقة، ويوفر توازنًا بين فعالية التكلفة والأداء. يمكنه استبدال حلول ترانزستورات MOSFET عالية الجهد التقليدية على نطاق واسع، مما يساعد الأجهزة النهائية على تحسين كفاءة الطاقة وتقليل التكاليف وتعزيز الموثوقية. على نطاق واسع في تطبيقات تحويل الطاقة عالية الجهد منخفضة إلى متوسطة الطاقة عند مستوى جهد 600 فولت. مجالات التطبيق الرئيسية هي كما يلي:
- إمدادات الطاقة للإلكترونيات الاستهلاكية: محولات الطاقة عالية الطاقة، شواحن أجهزة الكمبيوتر المحمولة، إمدادات الطاقة ذات الوضع التبديل للأجهزة المنزلية الذكية، ووحدات طاقة التلفزيون، وتلبي متطلبات المنتجات الاستهلاكية من حيث استهلاك الطاقة المنخفض، والتصغير، والاستقرار العالي
- معدات الطاقة الصناعية: إمدادات الطاقة ذات الوضع التبديل الصناعية، إمدادات الطاقة المساعدة للخوادم، إمدادات الطاقة لتحويل التيار المتردد إلى تيار مستمر للبنية التحتية للاتصالات، وأنظمة طاقة IBC متوسطة الجهد 48 فولت، مناسبة لظروف التشغيل الصناعية المستمرة والحمل الكامل
- معدات الطاقة الجديدة والمركبات الخفيفة: إمدادات الطاقة للمركبات الكهربائية الخفيفة، والمحولات الدقيقة الكهروضوئية، وإمدادات الطاقة المساعدة لوحدات تخزين الطاقة، وتلبي متطلبات معدات الطاقة الجديدة من حيث ظروف التشغيل الواسعة والموثوقية العالية
- الإضاءة والأجهزة المنزلية: إمدادات الطاقة للإضاءة الصناعية LED عالية الطاقة وإمدادات الطاقة للأجهزة المنزلية عالية الطاقة مثل المكانس الكهربائية، مع موازنة كفاءة الطاقة وفعالية التكلفة
VI. ملخص منتج من المزايا التقنية لعملية الجيل السابع فائقة الوصلة لتحقيق اختراقات شاملة في انخفاض الخسائر، والاستقرار العالي، والتوافق القوي، وسهولة التصميم. مقارنة بالمنتجات من الأجيال السابقة، فإنه يوفر خسائر تبديل وقيادة مخفضة بشكل كبير، إلى جانب تحسين ملحوظ في قابلية تكيف الطوبولوجيا والمتانة التشغيلية، مع الحفاظ على الموثوقية والجودة المثبتة لسلسلة Infineon CoolMOS™. يتوافق هذا الجهاز تمامًا مع الاتجاهات الحالية نحو كفاءة أعلى، والتصغير، والتصنيع في معدات إمدادات الطاقة. إنه ترانزستور MOSFET للطاقة المفضل لتطبيقات إمدادات الطاقة التبديلية عالية الجهد متوسطة ومنخفضة الطاقة، ويوفر توازنًا بين فعالية التكلفة والأداء. يمكنه استبدال حلول ترانزستورات MOSFET عالية الجهد التقليدية على نطاق واسع، مما يساعد الأجهزة النهائية على تحسين كفاءة الطاقة وتقليل التكاليف وتعزيز الموثوقية.باعتباره جهازًا رائدًا في سلسلة CoolMOS™ P7 بجهد 600 فولت، يستفيد جهاز Infineon
اتصل شخص: Mr. Sales Manager
الهاتف :: 86-13410018555
الفاكس: 86-0755-83957753
Arabic
