مدونة الشركة حول Infineon IR3550MTRPBF 60A مدمجة PowIRstage مدرب بوابة بوك متزامن

إنفينيونIR3550MTRPBF60A مدمجة PowIRstage مدرب بوابة بوك متزامن

شركة شينزن مينغجيادا الإلكترونية المحدودةكمزود محترف معروف لخدمات توزيع المكونات الإلكترونية في الداخل والخارج ، متخصص منذ فترة طويلة في جميع أنواع المكونات الإلكترونية ،بما في ذلك Infineon IR3550MTRPBF Integrated PowIRstage Synchronous Buck Gate Driverتم تصميم هذا الجهاز من أجل أجهزة الخوادم، التخزين، والاتصالات من الجيل القادم، ويقدم أقصى قدر من التيار الكهربائي والكفاءة في أصغر حجم ممكن.

وصف المنتجIR3550MTRPBF
IR3550MTRPBF PowlRstage المتكامل هو محرك بوابة بوك متزامن مع MOSFET التحكم و MOSFET متزامن مع ثنائي Schottky المتكامل. تم تحسينه داخلياً لتخطيط PCB,نقل الحرارة وتوقيت السائق / MOSFET. يسمح مزيج محرك البوابة المصمم خصيصًا و MOSFET بكفاءة أعلى عند الجهد الخارجي المنخفض المطلوب من تصميمات ذاكرة وحدة المعالجة المركزية و GPU و DDR المتطورة.

تسمح ترددات التبديل التي تصل إلى 1.0 ميغا هرتز بالاستجابة العابرة عالية الأداء ، مما يسمح بتصغير محفزات الإخراج ،وكذلك مكثفات المدخلات والمخرجات مع الحفاظ على الكفاءة الرائدة في الصناعةإن الكفاءة العالية لـ IR3550MTRPBF تمكن من الحجم الأصغر وتكلفة الحل الأقل. تتوافق بصمة PCB IR3550MTRPBF مع IR3551 (50A) و IR3553 (40A).

مكبر الحساسة التيارية المتكاملة يحقق دقة الحساسة الحالية المتفوقة ونسبة الإشارة إلى الضوضاء مقابل أفضل أساليب الحساسة DCR القائمة على جهاز التحكم.

يحتوي IR3550MTRPBF على ميزة Body-Braking® التي تمكن من تقليل مكثفات الإخراج.وضع محاكاة ثنائي المزامنة في IR3550MTRPBF يزيل عبء الكشف عن التيار الصفر من جهاز التحكم PWM ويزيد من كفاءة نظام الحمل الخفيف.

تم تحسين IR3550MTRPBF خصيصًا لتقديم طاقة مركز المعالجة المركزية في تطبيقات الخادم.القدرة على تلبية المتطلبات الصارمة لسوق الخوادم تجعل IR3550MTRPBF مناسبة بشكل مثالي لتشغيل تصاميم ذاكرة GPU و DDR وتطبيقات أخرى عالية التيار.

مواصفاتIR3550MTRPBF
سلسلة:PowIRstage®
تكوين الإخراج: نصف الجسر
التطبيقات: محولات بوك متزامنة، منظمات الجهد
واجهة:PWM
نوع الحمل: الحثي
التكنولوجيا: MOSFET الطاقة
التيار - الخروج / القناة: 60A
التيار - ذروة الخروج:90A
الجهد - التوريد:4.5 فولت ~ 7 فولت
الجهد - الحمل:4.5 فولت ~ 15 فولت
درجة حرارة التشغيل: -40 درجة مئوية ~ 125 درجة مئوية (TJ)
الخصائص: دائرة bootstrap ، محاكاة الديود ، علم الحالة
حماية الخطأ: فوق درجة الحرارة ، إطلاق النار ، UVLO
نوع التثبيت: التثبيت السطحي
الحزمة / القضية:32-PowerVFQFN
حزمة أجهزة المورد:32-PQFN (6x6)

خصائصIR3550MTRPBF
الكفاءة القصوى تصل إلى 95% عند 1.2 فولت
محرك مدمج ، MOSFET التحكم ، MOSFET متزامن وديود Schottky
نطاق تشغيل الجهد الدخالي (VIN) يصل إلى 15 فولت
نطاق الجهد الخارجي من 0.25 فولت إلى Vcc-2.5 فولت ، أو إلى 5.5 فولت إذا لم يتم استخدام مكبر الحركة الداخلية
قدرة التيار الخارجي من 60A DC
تشغيل حتى 1.0MHz
مكبر الحساسة التيارية المتكاملة
VCC تحت إغلاق الجهد
العلامة الحرارية
الدعم المؤقت للحمّل بواسطة جسم الكبح®
وضع الكفاءة العالية للديود-إيموليشن
متوافق مع منطق PWM 3.3V و VCC متسامح
متوافق مع Intel DrMOS V40
بصمة PCB متوافقة مع IR3551 و IR3553
تبريد فعال من جانبين
حزمة PQFN صغيرة 6 ملم × 6 ملم × 0.9 ملم
حزمة متوافقة مع RoHS خالية من الرصاص

تطبيقاتIR3550MTRPBF
خوادم عالية الأداء: يوفر IR3550MTRPBF حلول طاقة عالية الكفاءة للمكونات الأساسية مثل وحدة المعالجة المركزية و GPUs.
أنظمة تخزين البيانات: IR3550MTRPBF تلبي الطلب على مصادر الطاقة عالية التيار عالية الكفاءة لأجهزة التخزين.
معدات الاتصالات: IR3550MTRPBF مناسبة للبنية التحتية للاتصالات، مثل المحطات الأساسية والمفاتيح وغيرها من البنية التحتية للاتصالات.
أنظمة التحكم الصناعية: يوفر IR3550MTRPBF مصدر طاقة موثوق به لدوافع الخدمة ، PLCs ، إلخ.
معدات الحوسبة عالية الأداء: IR3550MTRPBF تلبي احتياجات الطاقة لمسرعات الذكاء الاصطناعي و FPGA وأجهزة أخرى.

دائرة التطبيق الأساسيةIR3550MTRPBF