مدونة الشركة حول ترانزستور الطاقة Infineon MOSFET IPB017N10N5LF OptiMOS™ 5 100 فولت ترانزستور تأثير المجال الخطي

(منججيادا إلكترونيكس): (إنفينيون) الأصليIPB017N10N5LFOptiMOSTM 5 MOSFETs الطاقة الخطية

IPB017N10N5LFنظرة عامة

الـIPB017N10N5LFهو N-قناة تحسين وضع الطاقة MOSFET من Infineon's OptiMOSTM 5 خطية FET سلسلة، مصممة خصيصا لتطبيقات الوضع الخطية مثل التبادل الساخن، وآمنات إلكترونية (آمنات إلكترونية)وحماية البطاريةيحقق اختراقًا من خلال الجمع بين مقاومة التشغيل المنخفضة للغاية لـ MOSFETs الخندق مع منطقة التشغيل الآمنة الواسعة (SOA) لـ MOSFETs المستوية ، مما يوفر RDS ((on)) منخفض للغاية من 1.7 مΩ (@ 10 فولت) عند الجهد القياسي 100 فولتكما أنها توفر استقرار خطي ممتاز وتحمل الأخطاء، مما يجعلها خيار مثالي لنظم إمدادات الطاقة عالية الكثافة، عالية الموثوقية.,المنتجات الأصلية الموجودة في المخزون للشحن الفوري، ودعم كل من العينات وشراء السائبة لتوفير العملاء مع إمدادات مستقرة وموثوقة من أجهزة الطاقة الأساسية.

IPB017N10N5LFالمواصفات

1الأداء الكهربائي

فولتاج انقطاع مصدر الصرف (VDS): 100V

مقاومة تشغيل (RDS ((on)): ماكس. 1.7 mΩ (VGS=10 V، ID=100 A)

التيار المستمر للصرف (ID): 256 A (في 25 °C، Tc)

تيار استنزاف النبضات (IDpulse): 720 A (tp=10 ms)

شحنة البوابة (QG): 168 nC نموذجية (في 10 فولت)

سعة الخروج (COSS): 1810 pF نموذجية

استهلاك الطاقة الإجمالي (Ptot): 375W (في 25 درجة مئوية، Tc)

الجهد الحد الأدنى (VGS (ث): 3 فولت

درجة حرارة التقاطع التشغيلية (Tj): -55°C إلى +175°C

2الحزمة و الخصائص الفيزيائية

نوع العبوة: PG-TO263-7 (D2-PAK 7-pin)

تكوين الدبوس: الدبوس 1 = بوابة ، الدبوس 4 + وسادة غسيل الحرارة = تصريف ، الدبوس 2/3/5/6/7 = مصدر (متوازي مصدر متعدد)

المقاومة الحرارية (RthJC): 0.4 كيلوواط ، تصميم المقاومة الحرارية المنخفضة ، أداء حراري ممتاز

شهادة بيئية: خالية من الرصاص، خالية من الهالوجين، متوافقة مع RoHS

3الخصائص الرئيسية

منطقة تشغيل آمنة واسعة (SOA): تشغيل مستقر في الوضع الخطي ، يتحمل ارتفاعات التيار الكبيرة ، مناسبة للتبادل الساخن وحماية الدائرة القصيرة

مقاومة التشغيل المنخفضة للغاية: 1.7 مΩ RDS ((on) ، يقلل بشكل ملحوظ من استنزاف الطاقة في الحالة المتشغلة ويحسن كفاءة النظام

خصائص البوابة الممتازة: شحنة البوابة المنخفضة، سرعة التبديل السريعة، مناسبة لتطبيقات التحكم عالية التردد والخطية

القدرة على الصمود ضد الهطول الجليدي: اختبار الهطول الجليدي بنسبة 100٪ ، مع مقاومة قوية للسلطات والجهد الزائد

معتمدة من قبل JEDEC: تجتاز اختبارات الموثوقية J-STD20 و JESD22 ، مما يضمن جودة الصناعة

IPB017N10N5LFالمزايا

التصميم المحدد للوضع الخطي: محسّن للتبادل الساخن والصمامات الإلكترونية ؛ يوفر SOA الواسع تشغيلًا مستقرًا في المنطقة الخطيّة ويمنع الانهيار الثانوي

مقاومة التشغيل المنخفضة للغاية: 1.7 mΩ RDS ((on) عند 100 فولت ، رائدة في الصناعة ، مما يقلل بشكل كبير من الخسائر في الحالة والإنتاج الحراري

قدرة التيار العالي: 256 A التيار المستمر و 720 A التيار النبضي ، تلبية متطلبات أنظمة الطاقة العالية

أداء حراري متفوق: حزمة TO263-7 + تصميم مقاومة حرارية منخفضة ، مناسبة لتطبيقات الكثافة العالية للطاقة والمساحات المدمجة

موثوقية عالية: نطاق درجة حرارة واسع الصناعية ، مقاومة للهطول الجليدي ، ومعتمدة من قبل JEDEC ، مما يضمن تشغيل النظام المستقر على المدى الطويل

IPB017N10N5LFتطبيقات نموذجية

أجهزة تحكم التبادل الساخن: وحدات التبادل الساخن للخوادم ومعدات الاتصالات ومصادر الطاقة الصناعية ، والتي تحد من التيار الداخلي

الأمنات الإلكترونية (الأمنات الإلكترونية): أنظمة إدارة البطارية ووحدات توزيع الطاقة، التي توفر حماية سريعة من التيار الزائد

دوائر حماية البطارية: حزم البطارية 48 فولت / 72 فولت ، وتقدم حماية من الدائرة القصيرة والتيار الزائد والجهد الزائد

مفاتيح الحمل عالية الطاقة: التحكم في الطاقة للمعدات الصناعية ومحركات المحرك وأنظمة تخزين الطاقة المتجددة

تصحيح متزامن: تطبيقات تصحيح متزامن عالية الكفاءة في مصادر الطاقة للخادم ومصادر الطاقة للاتصالات والمحولات.

(شنزن مينغجيادا إلكترونيكس كو) ، المحدودة تحتفظ بمخزون طويل الأجل من (إنفينيون)IPB017N10N5LFترانزستورات أوبتيموسTM ذات تأثير المجال الخطي. مستفيدين من قدراتنا المهنية في سلسلة توريد المكونات، نقدم للعملاء دعمًا شاملًا في المشتريات.