مدونة الشركة حول تسعى Mingjiada Electronics إلى شراء الجيل الثاني من CoolSiC™ MOSFET G2 من Infineon بقدرة 750 فولت بسعر ممتاز لتشغيل خوادم الذكاء الاصطناعي

تُشغّل موسفتات CoolSiC™ G2 من Infineon من الجيل الثاني بقدرة 750 فولت خوادم الذكاء الاصطناعي؛ تسعى شركة Mingjiada Electronics لشراء الموديلات التالية بأسعار مميزة

مقدمة: مع الانفجار في قوة حوسبة الذكاء الاصطناعي، تظهر فرص جديدة لأشباه الموصلات للطاقة

مدفوعًا بالتحديث السريع لنماذج الذكاء الاصطناعي واسعة النطاق والنمو الأسي في متطلبات قوة الحوسبة داخل مراكز البيانات، يرتفع استهلاك الطاقة لخوادم الذكاء الاصطناعي بشكل حاد. لقد ارتفعت قدرة الخرج لمخدم ذكاء اصطناعي واحد من بضع مئات من الواطات التقليدية إلى عدة كيلوات أو حتى أعلى، مما يفرض تحديات غير مسبوقة على كثافة الطاقة وكفاءة التحويل وقدرات الإدارة الحرارية لمزودات طاقة الخوادم.

توفر سلسلة موسفتات CoolSiC™ G2 من Infineon من الجيل الثاني بقدرة 750 فولت، والتي تستخدم تقنية سيليكون الكربيد (SiC) الخندقية الرائدة في الصناعة، حلول أشباه موصلات للطاقة عالية الأداء لمزودات طاقة خوادم الذكاء الاصطناعي. بصفتها موزعًا متخصصًا للمكونات الإلكترونية، تقوم شركة Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. منذ فترة طويلة بتوريد مخزون المصنع الأصلي لهذه السلسلة بأسعار مميزة من جميع أنحاء العالم، مما يوفر دعمًا موثوقًا لسلسلة توريد المكونات لصناعة خوادم الذكاء الاصطناعي.

أولاً. موسفتات CoolSiC™ G2: تقنية سيليكون الكربيد من الجيل الثاني المصممة خصيصًا لخوادم الذكاء الاصطناعي

تم بناء موسفتات CoolSiC™ G2 من Infineon من الجيل الثاني بقدرة 750 فولت على خبرة تزيد عن 20 عامًا في تقنية سيليكون الكربيد، مما يوفر تحسينات كبيرة مقارنة بالجيل السابق G1 من حيث مقاومة التشغيل، وفقدان التبديل، والأداء الحراري، والموثوقية.

المزايا الرئيسية

1. مقاومة تشغيل منخفضة للغاية (RDS(on))

توفر موسفتات CoolSiC™ 750V G2 مقاومة تشغيل منخفضة للغاية تصل إلى 4 ميجا أوم، مما يقلل بشكل كبير من فقدان التوصيل ويحسن كفاءة تحويل الطاقة. إن مقاومة التشغيل × Qfr الرائدة في الصناعة وأداء RDS(on) × Qoss الممتاز يقللان بشكل فعال من فقدان التبديل في كل من طوبولوجيا التبديل الصلب والتبديل الناعم.

2. أداء تبديل استثنائي

مقارنة بالجيل السابق، توفر موسفتات CoolSiC™ من الجيل الثاني زيادة بنسبة 25% إلى 30% في سرعة التبديل وانخفاضًا بنسبة 30% إلى 40% في فقدان التبديل. تحسن مقياس الأداء (FOM) بنسبة 20% إلى 35% مقارنة بالجيل السابق.

3. مقاومة استثنائية للتشغيل العرضي

تجمع هذه السلسلة بين جهد عتبة عالٍ VGS(th) (عادةً 4.5 فولت عند 25 درجة مئوية) ونسبة QGD/QGS منخفضة للغاية، مما يعزز المناعة ضد التشغيل العرضي (PTO) ويضمن التشغيل الموثوق به في ظل ظروف تشغيل معقدة.

4. قدرات قيادة بوابة موسعة

يوفر دعم جهود البوابة الثابتة حتى -7 فولت وجهود البوابة العابرة حتى -11 فولت هامش تصميم أكبر للمهندسين.

5. أداء حراري استثنائي

يتميز بحزمة Q-DPAK المبتكرة المبردة من الأعلى، ويوفر أداءً حراريًا وموثوقية ممتازين، مع قدرة تبديد طاقة تصل إلى حوالي 20 واط. يدعم الأداء الحراري المحسن درجات حرارة تشغيل تصل إلى 200 درجة مئوية.

6. ضمان موثوقية عالية

اختبار الانهيار بنسبة 100%

متوافق تمامًا مع معيار السيارات AEC Q101 ومعيار الصناعة JEDEC

يستخدم تقنية الربط بالانتشار .XT الخاصة بـ Infineon

المواصفات الفنية الرئيسية

جهد انهيار المصرف إلى المصدر: 750 فولت

نطاق مقاومة التشغيل: 4 ميجا أوم إلى 78 ميجا أوم

تيار المصرف المستمر: 29 أمبير إلى 357 أمبير

جهد العتبة (نموذجي): 4.5 فولت عند 25 درجة مئوية

نطاق درجة حرارة التشغيل: -55 درجة مئوية إلى 175 درجة مئوية

ثانياً. تمكين خوادم الذكاء الاصطناعي: الخيار المثالي لمزودات الطاقة عالية الكثافة

تضع مزودات طاقة خوادم الذكاء الاصطناعي (SMPS) متطلبات عالية للغاية على كثافة الطاقة والكفاءة. توفر موسفتات CoolSiC™ G2 من الجيل الثاني بقدرة 750 فولت أداءً استثنائيًا في طوبولوجيا التبديل الصلب مثل totem-pole، و active neutral-point clamping (ANPC)، و Vienna rectifier، و fly-across capacitor (FCC). في الوقت نفسه، تتيح سعة الخرج (Coss) المخفضة بشكل كبير تشغيل تبديل بتردد أعلى في طوبولوجيا التبديل الناعم مثل CLLC، و double active bridge (DAB)، و LLC.

تستخدم هذه السلسلة على نطاق واسع في:

وحدات طاقة خوادم الذكاء الاصطناعي (PSUs)

تحويل الطاقة من تيار متردد إلى تيار مستمر للبنية التحتية للاتصالات

محولات الطاقة الشمسية

البنية التحتية لشحن المركبات الكهربائية

أنظمة إمداد الطاقة غير المنقطعة (UPS)

أنظمة تخزين الطاقة (ESS)

ثالثاً. تسعى شركة Mingjiada Electronics للشراء بأسعار مميزة: مجموعة كاملة من موديلات CoolSiC™ MOSFET G2 750V

تسعى شركة Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.، بصفتها موزعًا مستقلاً معتمدًا للمكونات الإلكترونية مشهورًا عالميًا، إلى شراء مخزون أصلي من سلسلة موسفتات CoolSiC™ G2 من Infineon من الجيل الثاني بقدرة 750 فولت بأسعار مميزة على المدى الطويل من جميع أنحاء العالم.

قائمة الموديلات المطلوبة

تسعى شركة Mingjiada Electronics حاليًا لشراء الموديلات التالية من فئة الأغراض الصناعية وفئة السيارات من CoolSiC™ MOSFET G2 750V على مستوى العالم:

حزمة Q-DPAK من فئة السيارات:

AIMDQ75R016M2H

AIMDQ75R025M2H

AIMDQ75R060M2H

حزم Q-DPAK من فئة الأغراض الصناعية:

IMDQ75R004M2H

IMDQ75R007M2H

IMDQ75R016M2H

IMDQ75R025M2H

IMDQ75R060M2H

موديلات موسعة إضافية

بالإضافة إلى ذلك، تقدم سلسلة Infineon CoolSiC™ MOSFET 750V G2 أيضًا منتجات في حزم D2PAK ذات 7 سنون، مع مقاومة تشغيل تتراوح من 7، 25، 33، 40، 50 إلى 60 ميجا أوم، بالإضافة إلى حزم Q-DPAK التي تغطي 4، 7، 20، 33، 40 و 50 ميجا أوم. تشمل الموديلات ذات الصلة، على سبيل المثال لا الحصر:

IMBG75R025M2H (D2PAK-7، 25 ميجا أوم، درجة صناعية)

IMBG75R007M2H (D2PAK-7، 7 ميجا أوم)

تسعى شركة Mingjiada Electronics أيضًا لشراء مجموعة كاملة من المنتجات المذكورة أعلاه، بالإضافة إلى سلاسل منتجات Infineon CoolSiC™ الأخرى مثل وحدات الطاقة وثنائيات سيليكون الكربيد، على المدى الطويل.

خاتمة

أصبحت موسفتات CoolSiC™ G2 من Infineon من الجيل الثاني بقدرة 750 فولت، بأدائها الاستثنائي، جهاز طاقة أساسيًا في قطاعات مثل مزودات طاقة خوادم الذكاء الاصطناعي، وشحن المركبات الكهربائية، والطاقة المتجددة. تسعى شركة Mingjiada Electronics باستمرار لشراء مجموعة كاملة من الموديلات المذكورة أعلاه بأسعار تنافسية من الموردين في جميع أنحاء العالم؛ نرحب بالعملاء الذين لديهم مخزون بالاتصال بنا في أي وقت لمناقشة الفرص.

اتصل بنا

هاتف: +86 13410018555

بريد إلكتروني: sales@hkmjd.com

العنوان: الغرف 1239-1241، مبنى Guoli، طريق Zhenzhong، منطقة Futian، شنتشن