مع النمو الهائل في استهلاك الطاقة مدفوعًا بنماذج الذكاء الاصطناعي الكبيرة والخوادم عالية الأداء، تتطور وحدات إمداد طاقة الخادم (PSUs) نحو كفاءة عالية للغاية وترددات تحويل عالية وكثافة طاقة عالية. بفضل أداء التبديل المتميز واستقرار درجات الحرارة العالية، أصبح الجيل الثاني من سلسلة CoolSiC™ MOSFET G2 (IMBG75R) من الجيل الثاني من Infineon جهاز الطاقة الأساسي للجيل التالي من أنظمة إمداد الطاقة لخادم الذكاء الاصطناعي.
شنتشن مينججيادا للإلكترونيات المحدودةتحتفظ بمخزون طويل الأجل من وحدات MOSFET الأصلية من كربيد السيليكون Infineon IMBG75R عبر مجموعة المنتجات الكاملة. تقدم الشركة أيضًا أسعارًا متميزة لإعادة شراء الفائض والمخزون المتقادم من هذه السلسلة في جميع الصناعات، مما يوفر خدمات توريد المكونات عالية الجودة وتحسين المخزون للعملاء في خادم الذكاء الاصطناعي ومركز البيانات وإمدادات الطاقة الصناعية وقطاعات الطاقة الجديدة.
I. قائمة كاملة بنماذج سلسلة IMBG75R (التوريد وإعادة الشراء)
تستخدم سلسلة IMBG75R حزمة التركيب السطحي PG-TO263-7 (D2PAK-7) مع دبوس مصدر مستقل متكامل (مصدر كلفن)، يغطي نطاق المقاومة (RDS(on)) من 7 mΩ إلى 60 mΩ ليناسب تصميمات مصدر الطاقة لمختلف تقييمات الطاقة. تشمل القائمة الكاملة للنماذج ما يلي:
IMBG75R033M2H
ثانيا. الميزات التقنية الرئيسية
تعتمد هذه السلسلة على تقنية كربيد السيليكون الخندق CoolSiC™ من الجيل الثاني من Infineon، والتي توفر تحسنًا بنسبة 20% إلى 35% في مقاييس رقم الاستحقاق (FOM) الرئيسية مقارنة بالجيل السابق، وتقدم المزايا المهمة التالية:
خسائر تحويل منخفضة للغاية: تعمل معلمات RDS(on)×Qfr وRDS(on)×Qoss وRDS(on)×QG الرائدة في الصناعة على تقليل فقد الطاقة بشكل كبير في كل من طبولوجيا التبديل الثابت والتحويل الناعم، مما يساعد أنظمة إمداد الطاقة على تحقيق كفاءات تتجاوز 97 بالمائة.
متانة وموثوقية عالية: امتثال لاختبار الانهيار الجليدي بنسبة 100%، قادر على تحمل ظروف قضيب التوصيل عالية الجهد التي تتجاوز 500 فولت، ومقاومة تأثيرات التوصيل الطفيلية بشكل فعال.
أداء حراري متميز: باستخدام عملية ربط الانتشار .XT الحاصلة على براءة اختراع من Infineon، فإنها توفر تبديدًا ممتازًا للحرارة، مع أقصى درجة حرارة وصلة تشغيل تصل إلى 175 درجة مئوية (تصل إلى 200 درجة مئوية لطرز معينة) ومقاومة حرارية منخفضة للغاية.
تصميم مبسط للمحرك: نسبة Crss/Ciss منخفضة مقترنة بجهد عتبة البوابة العالي VGS(th) تدعم قيادة البوابة أحادية القطب (إيقاف تشغيل 0 فولت)، مما يقلل من تعقيد دائرة التشغيل؛ تعمل دبابيس مصدر محرك الأقراص المستقلة على تحسين المشاركة الحالية في التكوينات المتوازية متعددة الأجهزة عالية الطاقة.
ثالثا. التطبيقات النموذجية: خوادم الذكاء الاصطناعي ومراكز البيانات
تم تصميم سلسلة IMBG75R خصيصًا لتطبيقات إمداد الطاقة ذات التردد العالي والجهد العالي والطاقة العالية، مع كون خوادم الذكاء الاصطناعي هي مجال التطبيقات الأساسي:
مصادر طاقة خادم الذكاء الاصطناعي (PSUs): دوائر تعزيز PFC ذات قطب الطوطم ومحولات DC-DC الرنانة LLC/CLLC، مما يلبي متطلبات مصدر الطاقة عالية التيار اللحظية لوحدات معالجة الرسومات عالية الطاقة (مثل NVIDIA H100 وB200).
بنية إمداد الطاقة لمركز البيانات: وحدات إمداد طاقة للخادم عالية الجهد ثلاثية الطور وتحويل DC-DC عالي/منخفض الجهد، مما يساعد على تقليل مقياس استهلاك الطاقة PUE في مراكز البيانات.
تخزين الطاقة والطاقة الاحتياطية: محولات تخزين الطاقة في مراكز البيانات (PCS) وأنظمة تخزين طاقة البطارية (BESS).
التطبيقات الصناعية الأخرى: محولات الطاقة الكهروضوئية، وتخزين الطاقة التجارية والصناعية، ووحدات طاقة محطات الشحن بالتيار المستمر، وأنظمة UPS عالية الطاقة، وقواطع الدائرة الصلبة (SSCBs)، إلخ.
رابعا. التزام خدمة Mingjiada
التوفر الفوري: تغطية سلسلة IMBG75R الكاملة؛ منتجات أصلية وأصلية؛ دعم كل من العينة والعرض بالجملة.
إعادة الشراء على المدى الطويل: نحن نقدم إعادة شراء عالية القيمة للمخزون الفائض لهذه السلسلة ووحدات Infineon CoolSiC™ MOSFET المماثلة من الشركات المصنعة وموفري الحلول والشركات المصنعة للعقود، مع توفير تقييم احترافي وشروط تسوية مرنة.
يرجى الاتصال بشركة Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. للحصول على أحدث قوائم الأسهم أو عروض الأسعار أو الاستفسارات المتعلقة بترتيبات إعادة الشراء.
إذا كنت مهتما، يرجى الاتصال بالسيد تشين عبر الهاتف:
الجوال: +86 13410018555
البريد الإلكتروني: sales@hkmjd.com
موقع إلكتروني:https://www.integrated-ic.com/
العنوان: الغرف 1239-1241، مبنى Guoli، طريق Zhenzhong، منطقة فوتيان، شنتشن
اتصل شخص: Mr. Sales Manager
الهاتف :: 86-13410018555
الفاكس: 86-0755-83957753
Arabic
