مدونة الشركة حول منغجيادا إمدادات كبيرة من Infineon IMZC120R007 كربيد السيليكون MOSFETs: 1200V / 7mΩ ، TO-247-4 حزمة ، إمدادات المخزون في شنتشن

شركة شنتشن مينغجيا دا للإلكترونيات المحدودة (مينغجيا دا للإلكترونيات)، بصفتها موزعًا محترفًا لمكونات إلكترونية مخزنة، تقوم بتوريد مكثفات السيليكون الكربيدي (SiC) من سلسلة CoolSiC™ من إنفينيون الأصلية لفترة طويلة. من بين هذه، فإن IMZC120R007 (رقم الموديل الكامل: IMZC120R007M2H) هو أحد المنتجات الرائدة لمنصة تقنية CoolSiC™ من الجيل الثاني من إنفينيون. تحتفظ مينغجيا بمخزون ثابت في شنتشن، مما يدعم التسليم السريع لكل من العينات الصغيرة والإنتاج بكميات كبيرة، مما يوفر للعملاء حلول أشباه الموصلات للطاقة بكفاءة وموثوقية.

أولاً. نظرة عامة على المنتج

إن IMZC120R007 هو ترانزستور MOSFET للطاقة من كربيد السيليكون (SiC) بجهد 1200 فولت تم إطلاقه بواسطة إنفينيون تكنولوجيز، وينتمي إلى سلسلة CoolSiC™ G2 (الجيل الثاني). باستخدام تقنية بوابة الخندق المتقدمة والاستفادة من خبرة إنفينيون الواسعة في مجال SiC، يحقق هذا الجهاز مقاومة تشغيل منخفضة للغاية (RDS(on)) وسرعات تبديل فائقة السرعة، مع توفير استقرار وموثوقية ممتازة في درجات الحرارة العالية.

يستخدم هذا الموديل عبوة TO-247-4 (مصدر كيلفن بأربعة دبابيس)، والتي، مقارنة بالعبوات التقليدية بثلاثة دبابيس، تقلل بشكل كبير من الحث المشترك في دائرة القيادة، وتحسن بشكل ملحوظ أداء التبديل، وتقلل من خسائر التبديل، مما يجعلها مناسبة بشكل خاص لتطبيقات تحويل الطاقة عالية التردد وعالية الكفاءة. بالاستفادة من شبكة المشتريات العالمية ومركز التوزيع في شنتشن، تضمن مينغجيا دا للإلكترونيات توفر أجهزة IMZC120R007 الأصلية في المخزون لتلبية احتياجات مختلف التطبيقات الصناعية والسيارات.

ثانياً. الميزات والمزايا الرئيسية

مقاومة تشغيل منخفضة للغاية: قيمة نموذجية تبلغ 7 ميجا أوم (RDS(on))، بحد أقصى 9 ميجا أوم (عند 25 درجة مئوية)، مما يقلل بشكل كبير من خسائر التوصيل ويحسن كفاءة النظام

جهد حظر عالي: 1200 فولت VDS، يلبي متطلبات قضبان التوصيل ذات الجهد العالي ومناسب للمركبات الكهربائية بجهد 800 فولت وأنظمة الطاقة الشمسية الكهروضوئية

خسائر تبديل منخفضة: بفضل الخصائص الممتازة عالية التردد لمادة SiC، فإن خسائر التبديل أقل بكثير من خسائر IGBTs القائمة على السيليكون ذات المواصفات المكافئة، مما يتيح ترددات تبديل أعلى (تصل إلى عدة مئات من كيلو هرتز) ويقلل من حجم المكونات السلبية

نطاق درجة حرارة تشغيل واسع: درجة حرارة الوصلة تصل إلى 175 درجة مئوية، تلبي متطلبات الموثوقية طويلة الأجل في البيئات القاسية

عبوة TO-247-4: دبوس مصدر كيلفن يلغي الحث المشترك في دائرة القيادة، مما يتيح انتقالات تبديل أسرع وتقليل التذبذب، وبالتالي تحسين موثوقية قيادة البوابة

صمام ثنائي مدمج للجسم: يتميز بشحنة استعادة عكسية منخفضة (Qrr)، مما يتيح التوصيل العكسي بدون خسارة دون الحاجة إلى صمام ثنائي حر قيادة خارجي (مناسب لطوبولوجيا التصحيح المتزامن)

مقاومة انهيار عالية: يوفر مقاومة انهيار قوية، مما يعزز متانة النظام

متوافق مع جهود قيادة البوابة القياسية: يدعم قيادة البوابة من 0 فولت إلى 18 فولت (جهد التشغيل الموصى به هو 15 فولت)، مما يضمن التوافق مع المشغلات الحالية

يتوافق مع معيار AEC-Q101 للسيارات (لموديلات درجة السيارات) أو يلبي متطلبات الموثوقية الصناعية

ثالثاً. المواصفات التفصيلية

فيما يلي المواصفات الفنية الرئيسية لـ IMZC120R007 (IMZC120R007M2H):

نوع المنتج: ترانزستور MOSFET من كربيد السيليكون

العبوة / الإسكان: PG-TO247-4-U07

عدد القنوات: قناة واحدة

Vds - جهد انهيار المصرف والمصدر: 1.2 كيلو فولت

Id - تيار المصرف المستمر: 201 أمبير

Rds On - مقاومة المصرف والمصدر عند التشغيل: 20 ميجا أوم

Vgs - جهد البوابة والمصدر: -10 فولت، +25 فولت

Vgs th - جهد عتبة البوابة والمصدر: 5.1 فولت

Qg - شحنة البوابة: 176 نانو كولوم

الحد الأدنى لدرجة حرارة التشغيل: -55 درجة مئوية

الحد الأقصى لدرجة حرارة التشغيل: +175 درجة مئوية

Pd - تبديد الطاقة: 711 واط

اسم العلامة التجارية: CoolSiC

التكوين: تعزيز

وقت السقوط: 33.6 نانو ثانية

التوصيل الأمامي - الحد الأدنى: 60 سيمنز

وقت الارتفاع: 21.5 نانو ثانية

السلسلة: CoolSiC G2

قطبية الترانزستور: قناة N

نوع الترانزستور: ترانزستور قناة N واحد

النوع: ترانزستور MOSFET من SiC

وقت تأخير الإيقاف النموذجي: 76.3 نانو ثانية

وقت تأخير التشغيل النموذجي: 32.4 نانو ثانية

رابعاً. التطبيقات النموذجية

بفضل أدائه المتميز بجهد 1200 فولت / 7 ميجا أوم، فإن IMZC120R007 مناسب لأنظمة تحويل الطاقة ذات المتطلبات العالية للغاية للكفاءة وكثافة الطاقة والموثوقية، وتشمل على وجه الخصوص:

محطات شحن المركبات الكهربائية: مراحل PFC و DC-DC في وحدات الشحن السريع DC، مما يتيح تصميمات عالية الكفاءة وعالية الكثافة للطاقة

محولات الطاقة الشمسية الكهروضوئية: مراحل MPPT ومحولات الطاقة في المحولات المتسلسلة، مما يحسن كفاءة النظام ويقلل الحجم

أنظمة تخزين الطاقة (ESS): محولات DC-DC ثنائية الاتجاه، مما يتيح تحويل الطاقة بكفاءة

مزودات الطاقة الصناعية: مزودات الطاقة التبديلية عالية الطاقة مثل مزودات الطاقة للخوادم، ومزودات الطاقة للاتصالات، ومزودات الطاقة للطلاء الكهربائي

شواحن مدمجة (OBC) ومحولات DC-DC (تلبي متطلبات الموثوقية لدرجة السيارات)

محولات الجر (مساعدة أو قيادة رئيسية، تتطلب الامتثال لـ AEC-Q101)

مزودات الطاقة غير المنقطعة (UPS) والمرشحات النشطة للطاقة (APF)

خامساً. التوريد والخدمات

تقوم شركة مينغجيا دا للإلكترونيات بتوريد كميات كبيرة من ترانزستورات MOSFET من كربيد السيليكون Infineon IMZC120R007 لفترة طويلة. يحتفظ مستودعنا في شنتشن بمخزون ثابت من هذه المنتجات. نضمن منتجات أصلية 100%، أصلية ونقدم الخدمات التالية:

مرونة الشراء: يدعم شراء العينات بكميات صغيرة وطلبات الإنتاج بكميات كبيرة

تسليم سريع: متوفر في المخزون في شنتشن؛ يتم الشحن في غضون 24 ساعة من تقديم الطلب

لوجستيات عالمية: بالاستفادة من شبكات مستودعاتنا في هونغ كونغ وشنتشن، ندعم الشحن المحلي والدولي

للحصول على أحدث المخزون أو التسعير أو لطلب عرض أسعار، يرجى زيارة موقع مينغجيا دا للإلكترونيات (www.hkmjd.com) أو الاتصال بفريق المبيعات لدينا.

معلومات الاتصال:

الجوال: +86 13410018555

البريد الإلكتروني: sales@hkmjd.com

العنوان: الغرف 1239-1241، مبنى غولي، طريق تشن تشونغ، منطقة فوتيان، شنتشن، مقاطعة قوانغدونغ

علامات: IMZC120R007M2H, IMZC120R007M2, IMZC120R007M, IMZC120R007