مدونة الشركة حول مينجيا دا لإعادة تدوير رقائق الذاكرة، إعادة تدوير رقائق ذاكرة Infineon F-RAM ورقائق ذاكرة SRAM

مينغجيادا إعادة تدوير رقاقات الذاكرة، إعادة تدوير رقاقات الذاكرة إنفينيون إف رام و SRAM

شركة شينزين مينغجيادا الإلكترونية المحدودةكشركة عالمية ذات شهرة في إعادة تدوير المكونات الإلكترونية مع سنوات من الخبرة في هذه الصناعة، نحن متخصصون في مجموعة كاملة من خدمات إعادة تدوير الذاكرة في إنفينيون.الاستفادة من فريقنا المهني للتقييم الفني، عمليات إعادة التدوير الشاملة وشبكة الخدمة العالمية، نحن نتعامل مع المخزون الشخصي، بقايا المصنع ومواد التخليص.حلول إعادة التدوير الفعالة والآمنةتسهيل إعادة تدوير الموارد وتعظيم قيمة الأصول.

الفئات الأساسية وتحليل النموذج لأجهزة ذاكرة Infineon
أجهزة الذاكرة Infineon، والمعروفة بموثوقيتها العالية، واستهلاك الطاقة المنخفضة، والقدرات القوية لمكافحة التدخل، والعثور على تطبيقات واسعة النطاق عبر الإلكترونيات السيارات،التحكم الصناعي، المعدات الطبية، إنترنت الأشياء، الطيران والفضاء، وغيرها من القطاعات. وتشمل تصنيفاتهم الأساسية في المقام الأول سلسلتين رئيسيتين:ذاكرة الوصول العشوائي الثابتة (SRAM) وذاكرة الوصول العشوائي الحديدية (F-RAM).

I. ذاكرة الوصول العشوائي الكهربائية الحديدية (F-RAM) غير متقلبة ، مناسبة لتخزين البيانات الحرجة للمهمة
تتجمع ذاكرة F-RAM (Ferroelectric Random Access Memory) من شركة Infineon، التي تركز على سلسلة EXCELONTM، أربع مزايا رئيسية: استهلاك طاقة منخفض للغاية، واجهات سلسلة عالية السرعة، عدم التقلب الفوري،ومدى القراءة والكتابة اللانهائيلا يتطلب أي بطارية احتياطية، فإنه يحتفظ بالبيانات إلى أجل غير مسمى بعد فقدان الطاقة، مما يجعله خيارا مثاليا لتسجيل البيانات المهمة الحرجة.
ويشمل التركيز الأساسي لشركة مينغجيادا الإلكترونية لإعادة التدوير النماذج والمواصفات الرئيسية التالية من Infineon F-RAM:
- سلسلة كثافة 2 ميجابايت: تتضمن النماذج الأساسية CY15V102QN-50LHXI ، CY15V102QN-50SXE ، CY15V102QSN-108SXI ، وما إلى ذلك ، مناسبة للأجهزة الطبية المحمولة ، قاعات القيادة الذكية للسيارات ،وتطبيقات مماثلة.
- سلسلة كثافة 4 ميجابايت: وتشمل النماذج الأساسية CY15V104QN-50SXI و CY15V104QSN-108SXI ، تدعم واجهات SPI / QSPI في 50 ميغاهرتز و 108 ميغاهرتز على التوالي ،مناسبة لتطبيقات التحكم الصناعي وأجهزة استشعار إنترنت الأشياء.
- النماذج الرئيسية الأخرى: تشمل FM25CL64B GTR (كثافة 64Kbit) ، CY15V101QN (1 Mb) ، CY15V108QN (8 Mb) ، CY15V116QN (16 Mb) ، الخ.يدعم FM25CL64B GTR واجهة 20 MHz SPI مع فترة احتفاظ بالبيانات 151 عامًا، مما يجعله مناسبًا لتطبيقات اكتساب بيانات التحكم الصناعي؛ الاختلافات عالية الكثافة (8 Mb ، 16 Mb) تعطي الأولوية للتخزين ذي السعة الكبيرة ، وتلبية متطلبات الالكترونيات السيارات الراقية ،المعدات الطبية، والتطبيقات المماثلة.

ذاكرة الوصول العشوائي الثابتة (SRAM)
تستخدم Infineon SRAM دوائر مقفلة تستند إلى أجهزة الـ flip-flop لتخزين البيانات ، مما يلغي الحاجة إلى التحديث الدوري. البيانات تبقى إلى أجل غير مسمى عند تشغيلها ،تقدم مزايا أساسية لعمليات القراءة والكتابة عالية السرعة، انخفاض استهلاك الطاقة، والموثوقية العالية. تتراوح القدرات من 256 كيلوبايت إلى 144 ميجابايت.
1ذاكرة SRAM غير متزامنة
تعمل ذاكرة SRAM غير المزامنة دون مزامنة ساعة خارجية ، مما يوفر وصولًا مرنًا. تتراوح كثافة من 256 كيلوبايت إلى 64 ميغابايت.
- ذاكرة الوصول الذكي غير المتزامن منخفضة الطاقة: النماذج الأساسية التي تمثلها سلسلة MOBLTM تعمل بسرعة 45 ns أو أسرع. وتشمل نماذج Mingjiada المجددة MOBL128K8 و MOBL256K8 ،جميع نطاقات درجة الحرارة الصناعية (-40 °C إلى 85 °C).
- ذاكرة SRAM غير متزامنة عالية السرعة: سرعات تشغيل أقل من 25 ns. تتضمن بعض النماذج تقنية PowerSnooze ، مما يوازن بين الوصول عالية السرعة وأوضاع النوم ذات الطاقة المنخفضة للغاية.وتشمل النماذج المركزية المعاد تدويرها IDT71V65803S و IDT71V3575.
2SRAM متزامن
تعمل SRAM المزامنة متزامنة مع إشارة ساعة خارجية ، مما يوفر معدل بيانات أعلى مع كثافة تتراوح من 9 ميجابايت إلى 144 ميجابايت.
- SRAM معدل البيانات الفردي: ينقل كلمة واحدة من البيانات لكل دورة ساعة. وتشمل نماذج الاسترداد الأساسية CY7C1049DV33 و CY7C1360AV33 ، التي تدعم مصادر الطاقة 1.8V و 3.3V.
- ثنائي / رباعي معدل البيانات SRAM:
تستخدم سلسلة DDR (DDR-II ، DDR-II +) واجهة حافلة بيانات مشتركة ، وتحويل البيانات على حواف الساعة. تستخدم سلسلة QDR (QDR-II ، QDR-II +) واجهات حافلة بيانات مستقلة مزدوجة ،تحقيق معدلات نقل البيانات تصل إلى 80 جيجابت في الثانية، مناسبة لتطبيقات الشبكات المتطورة وتخزين البيانات.
وتشمل النماذج التي تم إيقافها CY7C1510B و CY7C16200. تتحمل QDR-II + SRAM المقاومة للإشعاع (72 Mb ، كثافة 144 Mb) الإشعاع الكوني لمجموعات الأقمار الصناعية وتطبيقات الرادار.وتشمل النماذج الشائعة CY7C14400V33-RH و CY7C14400V33، تعمل عند فولت 1.5 فولت إلى 1.8 فولت بتردد أقصى 250 ميغاهرتز و 36 جيجابايت في الثانية من معدل تسليم الشريحة الواحدة.

إذا كنت بحاجة إلى خدمات إعادة تدوير لأي سلسلة ذاكرة من Infineon، بغض النظر عن حجم الشريحة أو الحالة، يرجى الاتصال Mingjiada الإلكترونيات.فريقنا المتخصص سوف يوفر خدمات التقييم والاقتباس الشخصيةلضمان أن مكوناتك العاطلة تحقق القيمة القصوى.
عنوان الشركة:https://www.integrated-ic.com/