مدونة الشركة حول منغجيادا إعادة تدوير ذاكرة IC، إعادة تدوير NAND فلاش، NOR فلاش، ذاكرة SRAM، ذاكرة DRAM

رقائق ذاكرة Mingjiada لإعادة التدوير، وإعادة تدوير ذاكرة فلاش NAND، وذاكرة فلاش NOR، وذاكرة SRAM، وذاكرة DRAM

شركة Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.—— إعادة تدوير طويلة الأجل لجميع أنواع الذاكرة من Infineon (Infineon) و Micron (Micron) و SAMSUNG (Samsung) وغيرها من العلامات التجارية، بما في ذلك: ذاكرة فلاش NAND (Flash)، وذاكرة فلاش NOR (Flash)، وذاكرة SRAM، وذاكرة DRAM (ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية)، والذاكرة الكهروحرارية (F-RAM) وغيرها من المنتجات. 

تصنيف ونماذج ذاكرة نموذجية (Infineon و Micron و SAMSUNG) التي تركز عليها Mingjiada في إعادة التدوير:

أولاً: ذاكرة فلاش NAND

1. SAMSUNG:

eMMC: KLMAG2JETD-B041, KLMCG8JETD-B041, KLMAG1JETD-B041

UFS: KLUDG4U1EA-B0C1, KLUEG8UHDB-C2D1, KLUFG8RHDA-B2D1 NAND: KY7C10612DV33-10ZSXI (متوافق مع SRAM غير المتزامن)، CY62167EV30LL-45ZXI B2D1

NAND: K9F1G08U0D (SLC), K9F4G08U0D (MLC), K9GBGD8U0A (TLC)

2. Micron:

eMMC: MTFC64GAPALBH-IT, MTFDDAK064MAM-1K12

UFS: MT128GAKAECN-IT, MT256GAKAEECN-IT

NAND: MT29F1G08ABAEAWP (SLC), MT29F256G08C08C08EWP (SLC), K9F4G08U0D (MLC), K9GBGD8U0A (TLC). MT29F256G08CUCAB (MLC), MT29F1T08EMHAF (TLC)

3. Infineon:

SLC NAND: S34ML01G100TFI000, S34ML02G100TFI000, S34ML04G100TFI000 (درجة صناعية / موثوقية عالية)

ثانياً: ذاكرة فلاش NOR

Infineon:

Serial (SPI) NOR: S25FL128SAGNFI000, S25FL256SAGNFI000, S25FL512SAGBHIFI0

Parallel NOR: S29GL01GP10TFI010, S29GL512P11TFI010, S29GL512P11TFI010 (درجة صناعية / موثوقية عالية). S29GL512P11FFI010, S29GL01GS10TFI010

Automotive NOR: سلسلة S25FL-A (مثل S25FL256LAGNFI000)، سلسلة S26KS (HyperFlash)

ثالثاً: SRAM وغيرها من الذاكرة المتخصصة

Infineon:

Asynchronous SRAM: CY62167EV30LL-45ZXI, CY62148ELL-45ZSXI

Synchronous SRAM (QDR II+/IV, DDR II/III): CY7C15632KV18-550BZI (QDR IV), CY7C1515KV18-550BZC (DDR III) Non-Volatile SRAM (nvSRAM): CY14B101PA-SFXI, CY14E101LA-SFXI (DDR III) CY7C1515KV18-550BZC (DDR III)

Non-Volatile SRAM (nvSRAM): CY14B101PA-SFXI, CY14E101LA-SFXI

Ferroelectric Memory (FRAM): FM25V20A-G, FM28V020-SG

رابعاً: DRAM (ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية)

1. SAMSUNG:

DDR4: K4A8G165WC-BCTD, K4AAG165WA-BCTD, K4A4G165WF-BCTD, M393A4K40BB M393A4K40BB1-CRC

DDR3: K4B4G1646E-BCMA, K4B2G1646Q-BCK0

LPDDR4/LPDDR4X: K4U6E3S4AA-MGCL, K3LKBKB0BM-MGCP, K3UH7H7HMMDGLPD

GDDR6: K4ZAF325BM -HC14 (ذاكرة)

2. Micron:

DDR4: MT40A1G8SA-062E:R, MT40A2G8VA-062E:R, MT40A512M16LY-062E:R

DDR3: MT41K512M8DA-107:AUT, MT41J256M16HA-125:E

LPDDR4/ LPDDR4X: MT53E1G32D4DT-046:AAT, MT53D512M32D4DT-046:AAT

3. Infineon:

DRAM: CY7C10612DV33-10ZSXI (متوافق مع SRAM غير المتزامن)، CY62167EV30LL-45ZXI

مصادر القنوات الرسمية: تقوم Mingjiada Electronics بإعادة تدوير مصادر القنوات الرسمية فقط، مثل الوكلاء والتجار والمصانع الطرفية وما إلى ذلك. نحن لا نقبل مصادر القنوات غير الرسمية.

ميزات الخدمة: توفر Mingjiada Electronics مجموعة متنوعة من الخدمات مثل المبيعات والإرسال والتخليص وما إلى ذلك. لدينا خبرة غنية في إعادة التدوير، وقوة قوية، وأموال وفيرة، وأسعار إعادة تدوير معقولة.

إذا كان لديك مخزون من الذاكرة أو المكونات الإلكترونية الأخرى للتخلص منها، فيرجى زيارة الموقع الرسمي لشركة Mingjiada Electronics (https://www.integrated-ic.com/) للحصول على تفاصيل إعادة التدوير.