مدونة الشركة حول توفير Mingjiada Infineon CoolSiC TM MOSFET وحدة الطاقة ، توفير CIPOS TM Prime CoolSiC TM MOSFET وحدة

توفير Mingjiada Infineon CoolSiC TM MOSFET وحدة الطاقة ، توفير CIPOS TM Prime CoolSiC TM MOSFET وحدة

في مجالات السيارات الجديدة للطاقة، وتخزين الطاقة الضوئية ومصادر الطاقة الصناعية، أصبحت تكنولوجيا كربيد السيليكون (SiC) محركًا رئيسيًا لترقية أنظمة الكترونيات القوية,بفضل مزاياها الأساسية من الخسائر المنخفضة، التشغيل عالية التردد ومقاومة درجات الحرارة العالية.شركة شينزين مينغجيادا الإلكترونية المحدودةمنذ فترة طويلة المورد الكامل لمجموعة Infineon من وحدات CIPOSTM Prime CoolSiCTM MOSFET. مع المخزون الذي يغطي جميع النماذج الرئيسية، ونحن ندعم كل من عينات الدفعات الصغيرة والطلبات بكميات كبيرة،والاعتماد على نظام لوجستية فعال لضمان تسليم المنتجات بسرعة.

وحدات Infineon CIPOSTM Prime CoolSiCTM MOSFET
تتكون سلسلة Infineon CIPOSTM Prime من وحدات طاقة الكربيد السيليكون المصممة خصيصًا لتطبيقات عالية الجهد عالية الكفاءة في بيئات السيارات والصناعية.دمج الجيل الأخير من رقائق CoolSiCTM MOSFET مع تكنولوجيا التعبئة والتغليف المحسّنة، هذه الوحدات تجمع بين الأداء العالي، والتكامل العالي والموثوقية العالية، مما يجعلها الخيار المفضل للشواحن الداخلية (OBCs) 6.6kW44kW، محولات DC / DC عالية الجهد،محركات الدفع الصناعية ومحطات شحن الطاقة الجديدة.

الخصائص الرئيسية:
شهادة موثوقية عالية للسيارات: معتمدة مزدوجة على AEC-Q101 و AQG324 ، تلبية دورات درجة الحرارة الصارمة ،متطلبات الاهتزاز والاستقرار على المدى الطويل في البيئات القاسية داخل المركبةتتراوح درجة حرارة التقاطع التشغيلي من -40°C إلى 175°C، مما يجعلها مناسبة لظروف التشغيل القاسية.
التعبئة المدمجة المدمجة: تستخدم علبة مزدوجة في خط واحد معزولة بالكامل (DIP) من 44 ملم × 28 ملم مع رصيف DCB متكامل من نتريد الألومنيوم (AlN) ، مما يوفر توصيلًا حراريًا ممتازًا.متوفرة في طوبولوجيات الجسر الثلاثي المرحلي 4 في 1 كاملة و 6 في 1، دمج العديد من MOSFETs SiC في وحدة واحدة لتبسيط تصميم النظام بشكل كبير وتقليل عدد المكونات الخارجية.
أداء عالية التردد ذات الخسارة المنخفضة: مجهزة بشرائط MOSFET CoolSiCTM 1200V ، مع مقاومة تشغيل (RDS ((on)) منخفضة تصل إلى 20mΩ.يتم تقليل خسائر التبديل بأكثر من 50٪ مقارنة مع IGBT على أساس السيليكون. يدعم التشغيل عالي التردد على مستوى MHz ، مما يساعد على تحسين كفاءة النظام بنسبة 3٪ إلى 5٪ ، مع تقليل حجم محفزات وتكثيفات تخزين الطاقة وخفض تكاليف BOM.

منغجيادا إلكترونيكس هي مورد طويل الأجل لـ [إنفينيون] CIPOSTM Prime CoolSiCTM MOSFET وحدات ، بما في ذلك على سبيل المثال لا الحصر ما يلي:
AMF12S18LB2Z
AMF12S25LB2Z
AMF12S36LB2Z
AMF12S54LB2Z
AMF12S62LB2Z
AMM12S18LB1Z
AMM12S25LB1Z
AMM12S36LB1Z
AMM12S36LB1Z2
AMM12S54LB1Z
AMM12S54LB2Z
AMM12S62LB1Z
AMM12S62LB2Z

بالإضافة إلى ذلك ، تقدم Mingjiada Electronics توريدًا طويل الأجل لمختلف المكونات الإلكترونية ، بما في ذلك الدوائر المتكاملة (ICs) ، رقائق 5G ، ICs الطاقة الجديدة ، رقائق IoT ،رقائق بلوتوث ورقائق السيارات، توفير العملاء مع تجربة الشراء من محطة واحدة.التأكد من أن العملاء يمكنهم الحصول بسرعة على المنتجات التي يحتاجونهاتدعم الشركة كل من مشتريات العينات الصغيرة والطلبات الكبيرة، وتلبية احتياجات العملاء من جميع الأحجام.

لمزيد من التفاصيل المتعلقة بوحدة CIPOSTM Prime CoolSiCTM MOSFET من [Infineon] أو للتساؤل عن أسعار العينة، يرجى زيارة موقع Mingjiada Electronics (https://www.integrated-ic.com/) للحصول على معلومات كاملة عن العرض.