مدونة الشركة حول توفير Mingjiada Infineon CY7C1370 و CY7C1372 ذاكرة SRAM متزامنة مع بنية NoBL TM

شركة شينزين مينغجيادا الإلكترونية المحدودة‬ مورّد أجهزة ذاكرة SRAM CY7C1370 و CY7C1372 ذات 18 ميغابايت مع بنية NoBLTM؛ CY7C1370 لديها مواصفات سعة 512K × 36 بت،في حين أن CY7C1372 لديها سعة 1M × 18 بت. (منججيادا إلكترونيكس) تحتفظ بمخزون من النماذج الرئيسية وتدعم كل من عينات مجموعات صغيرة وأوامر حجمية كبيرة؛ مدعومة بنظام لوجستية فعال، ونحن نضمن تسليم منتجات سريعة.

[Infineon] CY7C1370، CY7C1372 SRAM متزامن

التفاصيل: CY7C1370KV33 ، CY7C1370KVE33 ، CY7C1372KV33 و CY7C1372KVE33 هي SRAMs المتزامنة المتزامنة ، 3.3V ، 512 K × 36 و 1 M × 18 ، على التوالي ، مع منطق No Bus Latency TM (NoBL).وهي مصممة خصيصا لدعم العمليات القراءة / الكتابة المستمرة مع غير محدود، ولايات الانتظار الصفر.

الخصائص الرئيسية:

بنية NoBLTM ، والحد من فترة تأخير التحول الحافلة أثناء انتقال القراءة / الكتابة

التشغيل المتزامن في الأنابيب، مع تأخير قراءة نموذجي من دورات الساعة 2

درجات السرعة المشتركة: 200 ميغاهرتز، 250 ميغاهرتز

الجهد العادي للطاقة: 3.3 فولت

الحزم الشائعة: TQFP من 100 دبوس ، BGA من 119 كرة ، إلخ.

التطبيقات: مفاتيح الشبكة، ومركبات، ومعدات الاتصالات السلكية واللاسلكية، مخازن DSP، وأجهزة تخزين البيانات عالية السرعة

النماذج المقدمة من قبل Mingjiada Electronics:

CY7C1370KV33-167AXC

CY7C1372KV33-167AXC

CY7C1370KV33-167BZXC

CY7C1370KV33-167AXI

CY7C1370KVE33-167AXI

CY7C1372KV33-167AXI

CY7C1372KVE33-167AXI

CY7C1370KV33-200AXC

CY7C1372KV33-200AXC

CY7C1370KV33-200AXI

CY7C1370KV33-250AXC

تزويد Mingjiada Electronics Infineon بـ CY7C1370 / CY7C1372 18Mbit SRAMs المنتجة على بنية NoBL TM.

وتشمل النماذج: CY7C1370 (512K × 36) ، CY7C1372 (1M × 18)

سرعات الساعة الشائعة: 200 MHz / 250 MHz

الجهد العادي للطاقة: 3.3 فولت

مناسبة لتطبيقات مثل اتصالات الشبكة، التوجيه والتبديل، ذاكرة التخزين المؤقت DSP وذخيرة البيانات عالية السرعة.

لمزيد من المعلومات حول [Infineon] CY7C1370 و CY7C1372 SRAMs المزامنة، أو للحصول على أسعار العينة، يرجى زيارة موقع Mingjiada Electronics على الإنترنت (https://www.integrated-ic.com/) لمزيد من تفاصيل التوريد.