مدونة الشركة حول ?

شركة شينزين مينغجيادا الإلكترونية المحدودة[مورد لـ [Infineon] SRAM (ذاكرة الوصول العشوائي الثابت) ، بما في ذلك أجهزة SRAM متزامنة 72Mbit QDR® II + SRAM CY7C25632 و CY7C25652 مع بنية انفجار أربع بايتات.مينغجيادا إلكترونيكس تحتفظ بمخزون من النماذج الرئيسية وتدعم كل من عينات الطرقات الصغيرة والأوامر الكبيرةوبالاعتماد على نظام لوجستية فعال، نضمن تسليم المنتجات بسرعة.

[Infineon] CY7C25632 CY7C25652 72Mbit QDR® II+ SRAM (ذاكرة الوصول العشوائي الثابت)

1التفاصيل: CY7C25632KV18 و CY7C25652KV18 هي SRAMs متزامنة 1.8V تستخدم بنية QDR II +.بنية QDR II + تتكون من منفذين مستقلين: منفذ للقراءة وميناء للكتابة للوصول إلى صفحة الذاكرة. يحتوي منفذ القراءة على دبوس إخراج بيانات مخصصة لدعم عمليات القراءة ،بينما يحتوي منفذ الكتابة على دبوس إدخال بيانات مخصصة لدعم عمليات الكتابة.

2التكوينات:

فترة تأخير دورة القراءة من 2.5 دورة

CY7C25632KV18 4M × 18

CY7C25652KV18 2M × 36

3الميزات الرئيسية:

تردد الساعة 550 ميغاهرتز لسرعة النطاق الكبيرة

الإصدارات المتاحة مع تأخير دورة القراءة من 2.5 دورات ساعة

متوفرة في تكوينات ×18 و ×36

الاتساق الكامل للبيانات، وتوفير أحدث البيانات

VDD النواة = 1.8 فولت ± 0.1 فولت؛ I/O VDDQ = 1.4 فولت إلى VDD

يدعم كل من 1.5 فولت و 1.8 فولت جهد إدخال / إخراج

مدخلات HSTL ومعازل خروج HSTL ذات المحرك المتغير

متوفرة في حزمة FBGA بـ 165 كرة (13 × 15 × 1.4 مم)

النماذج المختارة الموردة من قبل Mingjiada Electronics:

CY7C25632KV18-550BZC

CY7C25652KV18-550BZXC

CY7C25632KV18-550BZXI

CY7C25652KV18-550BZXI

CY7C25632KV18-500BZC

CY7C25652KV18-500BZC

CY7C25652KV18-500BZI

CY7C25632KV18-500BZXC

CY7C25652KV18-500BZXC

CY7C25632KV18-500BZXI

CY7C25632KV18-450BZC

CY7C25652KV18-450BZI

CY7C25652KV18-450BZXC

CY7C25632KV18-450BZXI

CY7C25632KV18-400BZC

CY7C25652KV18-400BZC

CY7C25652KV18-400BZI

CY7C25652KV18-400BZXC

CY7C25632KV18-400BZXI

CY7C25652KV18-400BZXI

لمزيد من المعلومات المتعلقة بـ [Infineon] CY7C25632 CY7C25652 72Mbit QDR® II+ SRAM متزامن ، أو للتساؤل عن أسعار العينات ، يرجى زيارة موقع Mingjiada Electronics (https://www.integrated-ic.com/) لمزيد من تفاصيل التوريد.