مدونة الشركة حول منغجيادا توفير إنفينيون F-RAM ذاكرة الـ RAM الحديدية، توفير ذاكرة F-RAM المتسلسلة، ذاكرة F-RAM المتوازية

مينجيا دا توريد إنفينيون F-RAM ذاكرة الوصول العشوائي الكهرضغطية، توريد ذاكرة F-RAM التسلسلية، ذاكرة F-RAM المتوازية

شركة شنتشن مينجيا دا للإلكترونيات المحدودة مورد قديم لمجموعة كاملة من منتجات ذاكرة إنفينيون، بما في ذلك ذاكرة الوصول العشوائي الكهرضغطية التسلسلية (F-RAM) وذاكرة الوصول العشوائي الكهرضغطية المتوازية (F-RAM). تجمع هذه الأجهزة بين إمكانيات القراءة/الكتابة عالية السرعة لذاكرة الوصول العشوائي (RAM) وعدم تطاير ذاكرة القراءة فقط (ROM)؛ تكمن مزاياها الأساسية في الكتابة عالية السرعة، واستهلاك الطاقة المنخفض للغاية، وقدرة قراءة/كتابة غير محدودة تقريبًا. تحتفظ مينجيا دا للإلكترونيات بمخزون من الموديلات الرئيسية وتدعم كلاً من العينات الصغيرة والطلبات الكبيرة؛ مدعومة بنظام لوجستي فعال، نضمن تسليم المنتجات بسرعة.

F-RAM (ذاكرة الوصول العشوائي الكهرضغطية أو FeRAM)هي ذاكرة مستقلة غير متطايرة تلتقط وتحتفظ بالبيانات الهامة فورًا في حالة انقطاع التيار الكهربائي. إنها مناسبة تمامًا لتطبيقات تسجيل البيانات الحيوية، مثل وحدات التحكم المنطقية القابلة للبرمجة (PLCs) عالية الأداء التي تتطلب موثوقية عالية وتحكمًا وإنتاجية، أو أجهزة مراقبة المرضى المصممة لتحسين جودة الحياة.

توفر مينجيا دا للإلكترونيات أجهزة ذاكرة إنفينيون F-RAM الكهرضغطية التسلسلية التالية:
FM25V02A-G: ذاكرة وصول عشوائي كهرضغطية تسلسلية (F-RAM) بسعة 256 كيلوبت (32 ألف × 8) مع واجهة SPI تعمل بسرعة تصل إلى 40 ميجاهرتز.

FM25V05-G: ذاكرة F-RAM تسلسلية بسعة 512 كيلوبت (64 ألف × 8) مع تخزين غير متطاير متين للغاية، تعمل بجهد 2.0 فولت إلى 3.6 فولت، مع نطاق درجة حرارة من -40 درجة مئوية إلى +85 درجة مئوية، ومعدل ناقل SPI يصل إلى 40 ميجاهرتز، ودعم الوضعين 0 و 3.

FM25V10-G: ذاكرة F-RAM تسلسلية بسعة 1 ميجابت (128 ألف × 8) مع واجهة SPI، تعمل بجهد 2.0 فولت إلى 3.6 فولت، وتدعم معدل ساعة SPI يصل إلى 40 ميجاهرتز، مع كتابة NoDelay™ لتخزين البيانات الفوري.

FM25V20A-DG: ذاكرة F-RAM تسلسلية بسعة 2 ميجابت (256 ألف × 8)، تستخدم تقنية كهرضغطية متقدمة، بجهد تشغيل من 2.0 فولت إلى 3.6 فولت ونطاق درجة حرارة من -40 درجة مئوية إلى +85 درجة مئوية. تدعم واجهة SPI بسرعة قصوى تبلغ 40 ميجاهرتز وكتابة بسرعة ناقل NoDelay™.

FM25V20A-DGQ: ذاكرة F-RAM تسلسلية بسعة 2 ميجابت (256 ألف × 8) مع قدرة درجة حرارة ممتدة، تعمل بجهد 2.0 فولت إلى 3.6 فولت، وتتميز بقدرة كتابة عالية السرعة NoDelay™ ومعدل SPI يصل إلى 33 ميجاهرتز (الوضع 0/3)، مناسبة لتطبيقات التخزين غير المتطاير المتكررة وعالية السرعة في القطاعات الصناعية والطبية.

FM25V20A-G: ذاكرة F-RAM تسلسلية بسعة 2 ميجابت (256 ألف × 8)، تعمل بجهد 2.0 فولت إلى 3.6 فولت، مع نطاق درجة حرارة من -40 درجة مئوية إلى +85 درجة مئوية؛ تتميز بواجهة SPI قصوى تبلغ 40 ميجاهرتز للكتابة السريعة والخالية من التأخير، وهي مناسبة للتطبيقات التي تتطلب كتابة متكررة أو سريعة، مثل التحكم الصناعي واكتساب البيانات.

FM1808B-SG: ذاكرة وصول عشوائي كهرضغطية متوازية (F-RAM) بسعة 256 كيلوبت (32 ألف × 8) في حزمة SOIC ذات 28 سنًا، متوافقة مع SRAM و EEPROM. جهد التشغيل: 4.5 فولت إلى 5.5 فولت؛ نطاق درجة الحرارة: -40 درجة مئوية إلى +85 درجة مئوية.

FM18W08-SG: ذاكرة وصول عشوائي كهرضغطية (F-RAM) بعرض بايت بسعة 256 كيلوبت (32 ألف × 8)، تعمل بجهد 2.7 فولت إلى 5.5 فولت وضمن نطاق درجة حرارة من -40 درجة مئوية إلى +85 درجة مئوية، مناسبة للكتابة عالية التردد والتطبيقات عالية الموثوقية مثل الصناعة والأجهزة وتسجيل البيانات.

تقدم حلول ذاكرة F-RAM من إنفينيون مجموعة من الميزات، بما في ذلك:
تكتب NoDelay™ البيانات إلى خلايا الذاكرة بسرعة الناقل دون أي وقت إعداد
منتجات الذاكرة الكهرضغطية متينة للغاية، مع أكثر من 100 تريليون دورة كتابة، مما يجعلها أكثر متانة من ذاكرة البوابة العائمة.
استهلاك طاقة منخفض للغاية، باستخدام طاقة أقل بـ 200 مرة من EEPROM و 3000 مرة أقل من ذاكرة فلاش NOR.
مقاومة للإشعاع، غير متأثرة بالأخطاء الناعمة الناتجة عن الإشعاع التي تسبب انقلاب البتات.

لمزيد من المعلومات حول منتجات ذاكرة F-RAM الكهرضغطية من [Infineon] أو للاستفسار عن أسعار العينات، يرجى زيارة موقع مينجيا دا للإلكترونيات (https://www.integrated-ic.com/) لمزيد من تفاصيل التوريد.