مدونة الشركة حول توفير Mingjiada لـ Infineon® CoolSiCTM MOSFET IMBG75R و IMDQ75R و IMZA75R ، مناسبة لتطبيقات خادم الذكاء الاصطناعي

مع التوسع السريع في البنية التحتية لحوسبة الذكاء الاصطناعي، تواجه مصادر طاقة الخادم متطلبات صارمة للغاية فيما يتعلق بكثافة الطاقة وكفاءة التحويل والموثوقية في درجات الحرارة العالية. تقدم شركة Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. خدمات التوريد الفوري وإعادة شراء المخزون لسلسلة CoolSiC™ SiC MOSFET الثلاث من Infineon — IMBG75R، وIMDQ75R، وIMZA75R — والتي تعد مكونات رئيسية في بناء مصادر طاقة خادم الذكاء الاصطناعي الموفرة للطاقة.

لماذا تحتاج خوادم الذكاء الاصطناعي إلى وحدات CoolSiC™ MOSFETs؟

تشهد خوادم الذكاء الاصطناعي - وخاصة الأنظمة المجهزة بوحدات معالجة الرسومات عالية الاستهلاك للطاقة (مثل NVIDIA H100 وB200) - أن وحدات إمداد الطاقة (PSUs) الخاصة بها تتطور نحو كثافات طاقة عالية تبلغ 6.6 كيلو واط أو حتى 12 كيلو واط. تعاني الدوائر المتكاملة منخفضة المقاومة (MOSFET) التقليدية القائمة على السيليكون من خسائر التحويل العالية عند الترددات العالية والجهد العالي، الأمر الذي أصبح بمثابة عنق الزجاجة لتحسين الكفاءة.

تعتمد سلسلة CoolSiC™ MOSFET G2 من الجيل الثاني من Infineon بقدرة 750 فولت على عملية كربيد السيليكون الخندقية المتقدمة. بالمقارنة مع الجيل السابق، فهو يوفر تحسينًا بنسبة 20% إلى 35% في شكل الجدارة (FOM)، ويتميز بفقد تحويل منخفض للغاية، وأداء حراري استثنائي (يدعم درجة حرارة توصيل قصوى تبلغ 175 درجة مئوية)، ومتانة عالية (معدل نجاح اختبار الانهيار الجليدي 100%). هذه الخصائص تجعلها خيارًا مثاليًا لمحولات PFC ذات القطب الطوطمي ومحولات DC-DC عالية الجهد في مصادر طاقة خادم الذكاء الاصطناعي، مما يساعد على رفع كفاءة النظام إلى ما يتجاوز 97%.

تحليل السلاسل الثلاث والنماذج والحزم

تغطي السلاسل الثلاث المقدمة من Mingjiada نطاقات طاقة وأنواع حزم مختلفة لتلبية متطلبات التصميم المتنوعة لإمدادات الطاقة لخادم الذكاء الاصطناعي:

1. سلسلة IMBG75R (حزمة PG-TO263-7)

الميزات: حزمة التثبيت على السطح مع دبوس مصدر كلفن مستقل متكامل، مما يقلل بشكل فعال من تأثير الحث الطفيلي على السائق؛ مناسبة لخطوط إنتاج SMT الآلية؛ يغطي تطبيقات الطاقة المتوسطة.

النماذج المتاحة:

IMBG75R007M2H,IMBG75R007M2H,IMBG75R011M2H,IMBG75R016M2H,IMBG75R020M2H,IMBG75R025M2H,IMBG75R040M2H,IMBG75R050M2H,IMBG75R060M2H

2. سلسلة IMDQ75R (حزمة PG-HDSOP-22)

الميزات: يستخدم حزمة Q-DPAK مع تبريد الجانب العلوي (TSC)، المصمم خصيصًا للتطبيقات المدمجة ذات كثافة الطاقة العالية. تدعم هذه السلسلة التيار العالي للغاية (على سبيل المثال، ما يصل إلى 357 أمبير لنماذج 4 مللي أوم)، مما يجعلها مثالية لسيناريوهات التيار العالي في وحدات PSU لخادم الذكاء الاصطناعي بقدرة 12 كيلووات حيث لا يلزم الاتصال المتوازي لأجهزة متعددة.

النماذج المتاحة:

إمدQ75R011M2H,إمدQ75R020M2H,إمدQ75R033M2H,إمدQ75R050M2H

3. سلسلة IMZA75R (حزمة PG-TO247-4)

الميزات: حزمة من خلال الفتحة لسهولة تركيب واستبدال غرفة التبريد. يتضمن التصميم ذو 4 دبابيس طرف مصدر كلفن للقضاء على تداخل الحث الطفيلي في المسارات عالية التيار، والتي تستخدم عادة في تحويل DC-DC عالي الجهد.

النماذج المتاحة:

IMZA75R007M2H,IMZA75R011M2H,IMZA75R016M2H,IMZA75R020M2H,IMZA75R025M2H,IMZA75R033M2H,IMZA75R050M2H

ملحوظة: الأرقام الموجودة في أرقام النماذج (على سبيل المثال، 007، 011، 060) تمثل عادة تصنيف المقاومة (RDS(on))؛ كلما كان الرقم أصغر، انخفضت المقاومة، وارتفعت القدرة على حمل التيار.

تقوم شركة Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. بتخزين السلسلة المذكورة أعلاه من المنتجات الأصلية والأصلية وتوفر أيضًا خدمات إعادة شراء المخزون للصناعة بأكملها. لمزيد من التفاصيل، يرجى الاتصال بمكتبهم في Shenzhen للحصول على أحدث معلومات المخزون وعروض الأسعار.

معلومات الاتصال

جهة الاتصال: السيد تشين

الجوال: +86 13410018555

البريد الإلكتروني: sales@hkmjd.com

موقع إلكتروني:https://www.integrated-ic.com/

العنوان: الغرف 1239-1241، مبنى Guoli، طريق Zhenzhong، منطقة فوتيان، شنتشن