مدونة الشركة حول تقوم Mingjiada بتوريد وحدات MOSFET ذات هيكل الخندق، ودوائر MOSFET من كربيد السيليكون

تقوم Mingjiada بتوريد وحدات MOSFET ذات هيكل الخندق، ودوائر MOSFET من كربيد السيليكون

شنتشن مينججيادا للإلكترونيات المحدودة— مورد طويل الأجل لوحدات MOSFET [ROHM] SiC (كربيد السيليكون)، التي تغطي TO-247-4L، وTO-247N، وTO-263-7L، وTO-263-7LA، وTO-263CA-7LSHYAD، وTO-3PFM، وTOLL، وTSC3PAK والعديد من سلاسل التغليف الأخرى. تدعم Mingjiada Electronics كلا من العينات الصغيرة والطلبات كبيرة الحجم، وتعتمد على نظام لوجستي فعال لضمان التسليم السريع للمنتج.

الدوائر المتكاملة منخفضة المقاومة (كربيد السيليكون) SiC
من حيث المبدأ، لا تولد وحدات SiC MOSFET تيارًا خلفيًا أثناء عملية التبديل، مما يتيح التشغيل عالي السرعة مع خسائر تحويل منخفضة. تؤدي أبعاد المقاومة المنخفضة وأبعاد الرقاقة المدمجة إلى انخفاض السعة وشحن البوابة. علاوة على ذلك، يمتلك SiC خصائص مادية ممتازة، مثل الحد الأدنى من الزيادة في المقاومة، ويوفر مزايا فائقة من حيث تصغير الحزمة وكفاءة الطاقة مقارنة بأجهزة السيليكون (Si)، حيث قد ترتفع المقاومة بأكثر من الضعف مع زيادة درجة الحرارة.

روم الجيل الرابع SiC MOSFET
يحقق الجيل الرابع من SiC MOSFET الذي تم إطلاقه حديثًا مقاومة منخفضة رائدة في الصناعة مع تحسين وقت تحمل الدائرة القصيرة. علاوة على ذلك، فهو يتميز بفقد تبديل منخفض ويدعم جهد مصدر البوابة بمقدار 15 فولت، مما يساهم في توفير المزيد من الطاقة في المعدات.

قامت Mingjiada منذ فترة طويلة بتوريد وحدات MOSFET [ROHM] SiC (كربيد السيليكون) في عبوات TO-247-4L، بما في ذلك على سبيل المثال لا الحصر ما يلي:
SCT3030AR
SCT3030ARHR
SCT3060AR
SCT3060ARHR
SCT3080AR
SCT3080ARHR
SCT4013DR
SCT4013DRHR
SCT4026DR
SCT4026DRHR
SCT4036DR
SCT4036DRHR
SCT4045DR
SCT4045DRHR
SCT4065DR
SCT4065DRHR
SCT4018KR
SCT4036KR
SCT4036KRHR
SCT3040KR
SCT304OKRHR
SCT4050KR
SCT405OKRHR
SCT4062KR
SCT4062KRHR
SCT3080KR
SCT308OKRHR
SCT4090KR
SCT409OKRHR
SCT3105KR
SCT3105KRHR

لمزيد من المعلومات حول الدوائر المتكاملة منخفضة المقاومة (كربيد السيليكون) من ROHM أو للاستفسار عن أسعار العينات، يرجى زيارة موقع Mingjiada Electronics (https://www.integrated-ic.com/) لمزيد من تفاصيل العرض.