مدونة الشركة حول تقوم Mingjiada بتوريد رقائق الذاكرة SK Hynix وSAMSUNG DDR4 SDRAM ETT

رقائق ذاكرة DDR4 SDRAM ETT من Mingjiada Supply SK Hynix و SAMSUNG

شركة شنتشن مينغجيا دا للإلكترونيات المحدودة — توفر مجموعة واسعة من رقائق ذاكرة DDR4 SDRAM ETT، تغطي العلامتين التجاريتين الرئيسيتين: سامسونج و SK Hynix.

نماذج ومواصفات رقائق ذاكرة DDR4 ETT الرئيسية المتوفرة حاليًا من Mingjiada Electronics هي كما يلي:
ذاكرة DDR4 SDRAM من SK Hynix
H5AN4G8NBJR-VKC — شريحة ذاكرة DDR4 SDRAM بسعة 4 جيجابت، تستخدم حزمة FBGA بـ 78 كرة، وتتميز بتنظيم 512Mx8، وتدعم معدل نقل بيانات يبلغ 2666 ميجابت في الثانية وجهد تشغيل يبلغ 1.2 فولت.
H5AN4G6NBJR-UHC — ذاكرة وصول عشوائي ديناميكية متزامنة (SDRAM) عالية الكثافة ومنخفضة الطاقة من نوع DDR4. تم تصنيع هذه الشريحة باستخدام عمليات أشباه الموصلات المتقدمة، وتوفر سعة تخزين تبلغ 4 جيجابت (512 ميجابايت) في حزمة FBGA-96 مدمجة.
H5AN4G6NBJR-VKC – شريحة ذاكرة DDR4 SDRAM بسعة 4 جيجابت (أي 512 ميجابايت)، تم تصنيعها باستخدام تقنية CMOS المتزامنة عالية السرعة، وهي مخصصة بشكل أساسي لتطبيقات الذاكرة الرئيسية التي تتطلب كثافة تخزين عالية وعرض نطاق ترددي عالٍ.
H5AN8G6NDJR-XNC – شريحة ذاكرة DDR4-3200 بسعة 8 جيجابت، تتميز بتنظيم 512M×16، وتدعم معدل نقل بيانات أقصى يبلغ 3200 ميجابت في الثانية، وتعتمد على تصميم منخفض الجهد 1.2 فولت، في حزمة FBGA-96 (13×7.5 مم)
H5AN8G8NDJR-XNC – شريحة ذاكرة DDR4 SDRAM بسعة 8 جيجابت (1 جيجابايت)، تم تصنيعها باستخدام عملية CMOS المتزامنة عالية السرعة، مع تنظيم داخلي يبلغ 1G × 8 بت (عرض 8 بت)، وتستخدم بنية استرجاع مسبق 8 بت لتحقيق نقل بيانات بعرض نطاق ترددي عالٍ.
H5AN8G8NCJR-XNC – ذاكرة DDR4 SDRAM بسعة 8 جيجابت، في حزمة FBGA بـ 78 كرة، تعمل بجهد 1.2 فولت، وتدعم معدل بيانات أقصى يبلغ 3200 ميجابت في الثانية (DDR4-3200)، مع تنظيم 1G × 8 بت.
H5ANAG6NCJR-XNC – وحدة ذاكرة DDR4 SDRAM بسعة 16 جيجابت، منظمة كـ 1G × 16، تستخدم حزمة BGA-96 متوافقة مع RoHS. معدل البيانات محدد بـ 3200 MT/s، مع سرعة ساعة قصوى تبلغ 1600 ميجاهرتز.
H5ANAG8NCJR-XNC – شريحة ذاكرة DDR4 SDRAM بسعة 16 جيجابت (2 جيجابايت)، تعمل بجهد DDR4 القياسي (عادةً 1.2 فولت)، تم تصنيعها باستخدام عملية SK Hynix’s 1z نانومتر (D1Z)، في حزمة FBGA بـ 78 كرة.

ذاكرة DDR4 SDRAM من SAMSUNG 
K4A8G085WC-BCTD — شريحة ذاكرة DDR4 SDRAM بسعة 8 جيجابت، تعمل بجهد 1.2 فولت، في حزمة FBGA بـ 78 كرة، مع نطاق درجة حرارة تشغيل من 0 إلى 85 درجة مئوية
K4A4G165WF-BCTD — شريحة ذاكرة DDR4 SDRAM عالية الأداء بسعة 4 جيجابت مع تردد ساعة أقصى يبلغ 1.066 جيجاهرتز.
K4A4G165WE-BCRC — شريحة ذاكرة DDR4 SDRAM بسعة 4 جيجابت (512 ميجابايت)، تتميز ببنية 256M × 16 بت وحزمة FBGA بـ 96 كرة، تعمل بجهد قياسي يبلغ 1.2 فولت وتدعم معدل نقل بيانات أقصى يبلغ DDR4-2400 (2400 ميجابت في الثانية).
K4A4G165WF-BCWE – شريحة ذاكرة DDR4 SDRAM بسعة 4 جيجابت (512 ميجابايت)، تتميز ببنية 256M × 16 بت وحزمة FBGA بـ 96 كرة، تعمل بجهد قياسي يبلغ 1.2 فولت وتدعم معدل نقل بيانات أقصى يبلغ DDR4-3200 (3200 ميجابت في الثانية).
K4A8G165WB-BCRC – شريحة ذاكرة DDR4 بسعة 8 جيجابت، تستخدم حزمة FBGA بـ 96 كرة، بسرعة اسمية تبلغ 2400 ميجابت في الثانية وجهد تشغيل يبلغ 1.2 فولت.
K4A8G165WC-BCTD — شريحة ذاكرة DDR4 SDRAM بسعة 8 جيجابت (1 جيجابايت)، تتميز ببنية 512M × 16 بت وحزمة FBGA بـ 96 كرة، تعمل بجهد قياسي يبلغ 1.2 فولت. تنتمي هذه الشريحة إلى سلسلة منتجات C-Die من سامسونج وتدعم معدل نقل بيانات أقصى يبلغ DDR4-2666 (2666 ميجابت في الثانية).

تُستخدم رقائق الذاكرة هذه على نطاق واسع في الخوادم ومراكز البيانات واتصالات الشبكات والتحكم الصناعي والإلكترونيات السيارات. تقدم Mingjiada Electronics خدمات عينات بكميات صغيرة وإمدادات بالجملة. للحصول على عرض أسعار دقيق، يرجى تقديم العلامة التجارية للشريحة، والسعة، وعرض البت، والسرعة، ونوع الحزمة، وكمية الشراء.
عنوان URL للشركة: https://www.integrated-ic.com/