مدونة الشركة حول شريحة IC الأصلية، توفير TI TLV8542RUGR 500nA مكبرات تشغيل طاقة نانوية منخفضة الطاقة

شريحة IC الأصلية، توريد TITLV8542RUGRمضخمات تشغيل فائقة الطاقة منخفضة للغاية 500nA

شركة شنتشن مينغجيا للإلكترونيات المحدودة.——توريد طويل الأجل TI (TLV8542RUGR) مضخمات تشغيل RRIO، فيما يلي تفاصيل المنتج لمضخم TLV8542RUGR:

TLV8542RUGR——معلومات أساسية:
رقم القطعة: TLV8542RUGR
الحزمة: X2QFN-8
النوع: مضخمات تشغيل
تفاصيل المنتج: TLV8542RUGR——مزدوج، 3.6 فولت، 8 كيلو هرتز، تيار هادئ منخفض للغاية (500 نانو أمبير)، مضخم تشغيل RRIO.

سمات المنتج لـ TLV8542RUGR
نوع المضخم: قياسي
عدد الدوائر: 2
نوع الإخراج: من السكة إلى السكة
معدل التغيير: 0.0045 فولت/µs
عرض نطاق التردد: 8 كيلو هرتز
التيار - تحيز الإدخال: 0.1 pA
الجهد - إزاحة الإدخال: 3.4 مللي فولت
التيار - الإمداد: 550 نانو أمبير (2 قناة)
التيار - الإخراج / القناة: 15 مللي أمبير
الجهد - نطاق الإمداد (الحد الأدنى): 1.7 فولت
الجهد - نطاق الإمداد (الحد الأقصى): 3.6 فولت
درجة حرارة التشغيل: -40 درجة مئوية ~ 125 درجة مئوية (TA)
نوع التركيب: تثبيت سطحي
الحزمة / العلبة: 8-XFQFN
حزمة جهاز المورد: 8-X2QFN (1.5x1.5)

TLV8542RUGRتهدف مضخمات التشغيل (op amps) ذات الطاقة المنخفضة للغاية إلى تطبيقات الاستشعار المحسّنة من حيث التكلفة في المعدات اللاسلكية والسلكية منخفضة الطاقة.

تعمل مضخمات التشغيل TLV8542RUGR على تقليل استهلاك الطاقة في المعدات مثل أنظمة الأمان التي تكتشف الحركة (مثل استشعار حركة الميكروويف وPIR) حيث تكون عمر البطارية التشغيلي أمرًا بالغ الأهمية.

تحتوي TLV8542RUGR أيضًا على مرحلة إدخال CMOS مصممة بعناية، مما يتيح تيارات تحيز منخفضة جدًا، فيمتو أمبير، وبالتالي تقليل أخطاء IBIAS وIOS التي قد تؤثر على التطبيقات الحساسة. تشمل أمثلة ذلك تكوينات مضخم الممانعة (TIA) مع مقاومات ردود فعل ميغا أوم، وتطبيقات الاستشعار ذات المعاوقة المصدر العالية. بالإضافة إلى ذلك، تقلل الحماية المدمجة من التداخل الكهرومغناطيسي من الحساسية للإشارات اللاسلكية غير المرغوب فيها من مصادر مثل الهواتف المحمولة وWiFi وأجهزة الإرسال اللاسلكية وقارئات علامات التبويب.

تعمل مضخمات التشغيل TLV8542RUGR بجهد إمداد واحد يصل إلى 1.7 فولت، مما يوفر أداءً مستمرًا في حالات البطارية المنخفضة على نطاق درجة الحرارة الممتد من –40 درجة مئوية إلى +125 درجة مئوية. التشغيل من –40 درجة مئوية إلى 125 درجة مئوية. يتوفر TLV8542RUGR (الإصدار المزدوج) في حزمة SOIC ذات 8 سنون.

TLV8542RUGR——الميزات الرئيسية:
لأنظمة مُحسّنة من حيث التكلفة
تيار الإمداد النانوي: 500 نانو أمبير لكل قناة
جهد الإزاحة: 3.1 مللي فولت (كحد أقصى)
TcVos: 0.8 µV/°C
عرض النطاق: 8 كيلو هرتز
مستقر عند كسب الوحدة
تيار التحيز المنخفض للإدخال: 100 fA
نطاق إمداد واسع: 1.7 فولت إلى 3.6 فولت
إدخال وإخراج من السكة إلى السكة (RRIO)
نطاق درجة الحرارة –40 درجة مئوية إلى +125 درجة مئوية

TLV8542RUGR——التطبيقات
أجهزة كشف الحركة باستخدام مستشعرات PIR SNAA301
أجهزة كشف الحركة باستخدام مستشعرات الميكروويف
أجهزة كشف الغاز
إنذارات الدخان التأين
منظمات الحرارة
أجهزة الاستشعار عن بعد، إنترنت الأشياء (IoT)
قارئات وعلامات RFID النشطة
المعدات الطبية المحمولة
مراقبة الجلوكوز

TLV8542RUGR——صورة المنتج:

[Mingjiada Electronics]توريد طويل الأجل TI (TLV8542RUGR) مضخمات التشغيل، لمزيد من معلومات المنتج حول مضخم TLV8542RUGR، يرجى زيارة الموقع الرسمي لشركة Mingjiada Electronics (https://www.integrated-ic.com/).