مدونة الشركة حول إعادة تدوير لوحة تقييم وحدة الطاقة قيد التشغيل: وحدة IGBT، وحدة MOSFET، IPM، وحدة SiC

لوحة تقييم وحدات الطاقة المتداولة:وحدة IGBT،وحدة MOSFET،IPM،وحدة SiC

شركة شينزين مينغجيادا الإلكترونية المحدودةهي شركة عالمية معروفة لإعادة تدوير المكونات الإلكترونية من خلال خدمات إعادة تدوير مهنية لمساعدة العملاء على إدراك قيمة المكونات الإلكترونية العاطلةبقوة اقتصادية قوية ونظام خدمة مثالي، فاز بالثقة والتعاون على المدى الطويل من العديد من عملاء المصنع والتجار.

منتجات إعادة التدوير تشمل:رقائق الجيل الخامس، وICs الطاقة الجديدة، وICs إنترنت الأشياء، وICs بلوتوث، وICs التليماتيك، وICs السيارات، وICs تصنيف السيارات، وICs الاتصالات، وICs الذكاء الاصطناعي، وICs الذاكرة، وICs المستشعر، وICs الميكرو،أجهزة التقاطع الإرسالي، وبرامج Ethernet ICs ، وشرائح WiFi ، ووحدات الاتصالات اللاسلكية ، والموصلات والمكونات الإلكترونية الأخرى.

عملية إعادة التدوير

1、 تصنيف المخزون وتقديم القوائم

يقوم العملاء أولاً بتصنيف مخزون المخزون المتأخر لتحديد النموذج والعلامة التجارية وتاريخ الإنتاج والكمية وشكل الحزمة وحالة التعبئة.يمكن للعملاء إرسال قائمة المخزون التفصيلي لفريق التقييم لدينا عن طريق البريد الإلكتروني أو الفاكس.

2、التقييم المهني والاقتراح

عند استلام قائمة المخزون، ستكمل الشركة التقييم الأولي وتقدم ملاحظات حول اقتراح الاقتراح في غضون 24 ساعة.

3、 توقيع الاتفاقيات و ترتيبات الخدمات اللوجستية

بعد أن يتفق الطرفان على السعر، يتم توقيع عقد إعادة تدوير رسمي لتوضيح تفاصيل الصفقة.

4فحص البضائع والسداد السريع

بعد وصول البضائع إلى المستودع، سيتم إجراء التحقق النهائي من جودة المنتجات.الشركة تعد بإكمال الدفع في غضون 3 أيام عمل لضمان أن العميل بسرعة العودة إلى العاصمةأساليب الدفع مرنة ويمكن ترتيبها وفقا لطلب العملاء في شكل تحويلات نقدية أو نقدية وغيرها من الأشكال.

I. لوحات تقييم وحدات IGBT: مع التركيز على المحرك المنعزل ودمج النظام

تشكل IGBTs (الترانزستورات الثنائية القطبية المعزولة) العمود الفقري لتطبيقات الترددات المتوسطة والقوة العالية.تقييم IGBTs ينطوي ليس فقط على الجهاز نفسه ولكن بشكل حاسم محرك البوابة ومصدر الطاقة المعزول.

مجلس التقييم الأساسي مثال: SECO-LVDCDC3064-IGBT-GEVB

هذا لوحة التقييم يتناول بدقة المتطلب الأساسي للقيادة IGBT: توفير مستقر، معزولة مدفوعة بوابة مصدر الطاقة.

أساس التصميم: يحتوي على جهاز تحكم NCV3064 للسيارات من نوع ON Semiconductor (المكافئ الصناعي: NCP3064) لبناء محول DC-DC معزول عن المدخل.

المخرجات الرئيسية: يوفر سكة حديد ثابتة -7.5 فولت / 15 فولت ، مع السكة الحديدية السلبية التي تضمن إيقاف IGBT الموثوق به ومنع التوصيل غير المقصود. 7.كما يتم توفير 5 فولت السكة الحديدية القوة الإضافية.

مواصفات عالية الأداء: يدعم نطاق إدخال واسع من 6 فولت إلى 18 فولت، يعمل على تردد التبديل يصل إلى 150 كيلو هرتز ويحقق عزل كهربائي يصل إلى 4000 فولت،ضمان عزل آمن وموثوق به بين الجانبين عالية الجهد والمنخفضة الجهد.

قيمة التطبيق: تعمل كحل ′′توصيل وتشغيل′′، وتتوافق مقطوعتها مع مصادر الطاقة التجارية IGBT DC / DC،تمكين المهندسين من دمجها بسرعة في لوحات عاكس أو محرك محركهذا يسمح بالتركيز على تحديد الأخطاء على مستوى النظام بدلاً من تصميم مصدر طاقة السائق من الصفر.العزل العالي والامتثال AEC-Q تجعلها مناسبة بشكل خاص للتطبيقات المطالبة مثل محركات السيارات والمحولات الصناعية.

وبالإضافة إلى ذلك، تقنية ON Semiconductor الهجينة المبتكرة IGBTs (مثل AFGHL50T65SQDC،الذي يدمج IGBT الميدان مع SiC Schottky diode في حزمة واحدة) يتطلب تقييم محرك متخصص لتحقيق التوازن الأمثل بين أداء التبديل والخسائر.

II. لوحات تقييم وحدات MOSFET: تخطيط وملاءمة اختبار محسنة

وحدات MOSFET الطاقة هي محورية للتطبيقات عالية التردد، عالية الكفاءة.ودعم منهجيات التحقق المتقدمة من الأداء.

مجلس التقييم الأساسي مثال: EVBUM2878G-EVB

تم تصميم هذه اللوحة خصيصًا لتقييم وحدات MOSFET ذات الجسر الكامل 1200V M3S (4-PACK) في عبوات F2.

تصميم الأساسي: يستخدم قرص FR4 من أربع طبقات بسماكة 70μm،جنبا إلى جنب مع تخطيط الحثية المنخفضة للحد من الحثية الطفيلية والمقاومة في حلقة الطاقة ‬ حاسمة لتطبيقات التبديل عالية التردد.

الميزات الرئيسية: تتضمن أربعة محركات بوابة قناة واحدة معزولة (2.5 كيلو فولت تحمل الجهد) لضمان قيادة مستقلة وموثوقة لكل ذراع جسر.اللوحة تدعم اختبار النبض المزدوج (DPT) واختبار الطاقة المفتوحة، المنهجيات القياسية لتقييم خصائص التبديل الديناميكية لجهاز الطاقة مثل خسائر التبديل وتفوق الجهد.

تصميم سهل الاستخدام: توفر مآخذ وصلات إشارات الدخول / الإخراج اتصالًا مع أجهزة التحكم الخارجية (توفير إشارات PWM) وإدارة إشارات العيب.يتم دمج نقاط اختبار متعددة لقياسات مسبار الأوسيلوسكوب المريحة لأشكال الموجات الحرجة.

تركيز التطبيق: يستهدف بشكل أساسي القطاعات التي تتطلب كثافة طاقة عالية وكفاءة عالية ، مثل مصادر الطاقة غير المتقطعة ، وأنظمة تخزين الطاقة ، ومحطات شحن المركبات الكهربائية ،و المحولات الشمسية.

مجلس تقييم وحدات الطاقة الذكية: تبسيط التصميم، وتعزيز الموثوقية

يدمج IPM (وحدة الطاقة الذكية) IGBTs أو MOSFETs ، ودوائر السائق ، ودوائر الحماية (على سبيل المثال ، التيار الزائد ، وانخفاض الجهد ، ودرجة الحرارة الزائدة) في حزمة واحدة.اللوحة التقييمية تمكن المستخدمين من التحقق من صحة جميع وظائف الوحدة الذكية بسرعة وبناء أنظمة تطبيق كاملة.

مكونات التقييم الأساسية والتكنولوجيا: FOD848x IPM المعزولة بصريًا

على الرغم من أن المعلومات التفصيلية حول لوحات تقييم IPM ON Semiconductor محدودة في نتائج البحث ، فإن مكونات IPM المنعزلة بصريًا من سلسلة FOD848x المحورية تكشف عن جوهر تقييم IPM.

النواة الوظيفية: يعمل هذا الجهاز كجسر يربط جهاز التحكم الرقمي بوحدة الطاقة ، مما يضمن نقل إشارات التحكم بأمان وموثوقية.

أداء رئيسي: يحتوي على مقاومة عابرة عالية بشكل استثنائي في الوضع المشترك (CMTI) مع حد أدنى لتصنيف 20kV / μs ،إنه يقضي بفعالية على تداخلات الضوضاء عالية التردد الناتجة عن عمليات التبديل من جانب الطاقةيمنع عطل الجانب المنطقي. ويوفر عزل كهربائي يصل إلى 5000 فولت، مما يضمن سلامة النظام.

قيمة لوحة التقييم: لوحة تقييم IPM شاملة (على سبيل المثال ، مماثلة لتصميم EVAL-M1-IM818-A من الشركات المصنعة الأخرى) مبنية على مثل هذه العازلات ، وتدمج الدوائر للوحدة IPM ،استشعار التيار، عينة الجهد الحافلة، وتصفية EMI. يوفر للمستخدمين مع نهاية واحدة أو ثلاثية المراحل كاملة تقريبا محول الطاقة الأمامية.يحتاج المطورون فقط إلى توصيل لوحة تحكم MCU والمحرك لبدء التحقق بسرعة من الخوارزميات المتقدمة مثل التحكم الموجه إلى الميدان بدون أجهزة استشعار.

IV. لوحات تقييم وحدات SiC: منصات متطورة للتحديات عالية الجهد عالية السرعة

أجهزة الكربيد السيليكونية (SiC) تُحدث ثورة في مجال الطاقة الكهروضوئية والمركبات الكهربائية ومصادر الطاقة الراقية بسبب قدراتها عالية الجهد وارتفاع درجة الحرارة وارتفاع التردد.لوحات التقييم الخاصة بهم تقدم التحديات التصميم الأكثر تطلبا والتعقيد، والتي تتطلب إدارة أعلى dV / dt، متطلبات محرك البوابة أكثر صرامة، وميزات حماية قوية.

مجلس التقييم الأساسي مثال: EVBUM2880G-EVB

تقوم هذه المنصة المتقدمة بتقييم وحدات MOSFET من ON Semiconductor 1200V M3S EliteSiC نصف الجسر (2-PACK).

الهدف من التصميم: توفير منصة اختبار قوية ومرنة لتقييم الأداء المتطرف ووظائف وحدات SiC.

القدرات الأساسية: دعم شامل لاختبار النبضات المزدوجة واختبار إمدادات الطاقة المفتوحة.يجب على سائق بوابة الطائرة توفير الجهد الإيجابي والسلبي للبوابة المطلوب لـ SiC MOSFETs (e.g، +15V / 3V إلى -5V) ، مع تأخير الانتشار المنخفض للغاية وأداء CMTI استثنائي للاستفادة من مزايا SiC عالية السرعة.

واجهة النظام: تتصل بمراقبين خارجيين لاستقبال مدخلات PWM ومعالجة إشارات العطل التي تعيدها الوحدة ، مما يسهل الاندماج في أنظمة التحكم الرقمية الأكثر تعقيدا.

التوافق والتطبيقات: متوافق مع العديد من أنواع الوحدات ذات التيار المحدد (على سبيل المثال، NXH010P120M3F1PTG) ، تغطي تقريباً جميع الجيل القادم من وحدات الكفاءة العالية.التطبيقات ذات الكثافة العالية للطاقة بما في ذلك محركات المركبات الكهربائية، محولات الجر، محولات الطاقة الشمسية، ومصادر الطاقة الصناعية الراقية.

لجنة تقييم خاصة للسائق: NCP51705 لجنة تقييم SMD مصغرة

وبالإضافة إلى التقييم على مستوى الوحدة، تقدم ON Semiconductor حلول على مستوى السائق مثل NCP51705 Mini SMD Evaluation Board.محسّنة لتشغيل MOSFETs SiCمع كل الدوائر الطرفية والمعزول الرقمي، يحتوي على أقراص محجوزة لتعبئة TO-247.بمثابة وحدة تقييم عالمية للدراجة منخفضة الجانب أو عالية الجانب لمساعدة المهندسين في التحقق من صحة أداء دائرة الدراجة بسرعة على مراحل الطاقة المخصصة.