مدونة الشركة حول إعادة تدوير الترانزستورات الكهربائية ST: IGBTs، MOSFETs للطاقة، PowerGaN، MOSFETs SiC

إعادة تدوير الترانزستورات الكهربائية ST: IGBTs، Power MOSFETs، PowerGaN، SiC MOSFETs

شركة Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.بصفتها مزودًا رائدًا لخدمات إعادة تدوير المكونات الإلكترونية في الصين، تستفيد من خبرتها الصناعية المهنية وشبكة إعادة التدوير العالمية وعمليات التخلص المتوافقة لتقديم خدمات إعادة تدوير شاملة لمختلف منتجات المكونات الإلكترونية للشركات من جميع الأنواع. تغطي هذه الخدمات مجموعة واسعة من المنتجات، بما في ذلك الدوائر المتكاملة، ورقائق 5G، و ICs للطاقة الجديدة، و IoT ICs، و Bluetooth ICs، و ICs للمركبات إلى كل شيء (V2X)، و ICs من الدرجة المستخدمة في السيارات، و ICs للاتصالات، و ICs للذكاء الاصطناعي (AI)، و ICs للتخزين، و ICs للمستشعرات، و ICs للتحكم الدقيق، و ICs للإرسال والاستقبال، و Ethernet ICs، ورقائق Wi-Fi، ووحدات الاتصال اللاسلكي، والموصلات، والمزيد. يساعد هذا العملاء على تقليل المخزون وتقليل مساحة التخزين وخفض تكاليف التخزين والإدارة.

عملية إعادة التدوير:

إذا كان لديك مكونات إلكترونية في المخزون تحتاج إلى التخلص منها، يمكنك إرسال بريد إلكتروني إلينا يوضح ICs/الوحدات التي ترغب في بيعها. سترسل شركتنا موظفين محترفين إلى مقر عملك لإجراء فحص أولي وتصنيف لمكوناتك الإلكترونية المخزنة، وستوفر سعر إعادة تدوير مطابقًا بناءً على عوامل مثل نوع وكمية وجودة المكونات المعاد تدويرها. بمجرد التوصل إلى اتفاق، يمكن التفاوض على ترتيبات تسليم محددة.

【IGBTs】

تقدم ST مجموعة شاملة من الترانزستورات ثنائية القطب ذات البوابة المعزولة (IGBTs) التي تتراوح من 300 إلى 1700 فولت، والتي تنتمي إلى عائلة STPOWER.

أفضل مقايضة بين فقدان الطاقة أثناء التوصيل والإيقاف

أقصى درجة حرارة للوصلة تصل إلى 175 درجة مئوية

نطاق تردد تبديل واسع

خيار صمام ثنائي مضاد للتوازي مدمج لتحسين تبديد الطاقة والإدارة الحرارية المثالية.

التطبيقات

من خلال تقديم مقايضة مثالية بين أداء التبديل والسلوك في الحالة النشطة، تعتبر ST IGBTs مناسبة للقطاعات الصناعية والسيارات (المؤهلة AEC-Q101) في تطبيقات مثل العواكس ذات الأغراض العامة، والتحكم في المحركات، والأجهزة المنزلية، والتدفئة والتهوية وتكييف الهواء، و UPS/SMPS، ومعدات اللحام، والتسخين بالحث، والعواكس الشمسية، وعواكس الجر، والشواحن المدمجة والشواحن السريعة.

【Power MOSFETs】

توفر مجموعة ST power MOSFET مجموعة واسعة من جهود الانهيار من -100 إلى 1700 فولت، مما يجمع بين أحدث التعبئة والتغليف مع شحن البوابة المنخفض والمقاومة المنخفضة في حالة التشغيل. تضمن تقنية المعالجة لدينا حلولًا عالية الكفاءة من خلال معالجة الطاقة المحسنة باستخدام MDmesh و STMESH trench power MOSFETs ذات الجهد العالي و STripFET power MOSFETs ذات الجهد المنخفض.

التطبيقات

طاقة الخادم والاتصالات

المحولات الدقيقة

الشواحن السريعة

السيارات

الأجهزة المنزلية والمهنية

【PowerGaN】

ترانزستورات ST POWER GaN هي ترانزستورات عالية الكفاءة تعتمد على نيتريد الغاليوم (GaN)، وهو مركب جديد نسبيًا ذو فجوة نطاق واسع يوفر قيمة مضافة حقيقية في حلول تحويل الطاقة.

التحدي الرئيسي للإلكترونيات الكهربائية اليوم هو التعامل مع الحاجة المتزايدة لتحسين الكفاءة وأداء الطاقة وفي نفس الوقت، السعي المستمر لخفض التكاليف والحجم.

يتحرك إدخال تقنية نيتريد الغاليوم (GaN) في هذا الاتجاه، ومع توفرها بشكل متزايد تجاريًا، يزداد استخدامها في تطبيقات تحويل الطاقة.

مع رقم أفضل للأداء (FOM)، والمقاومة في حالة التشغيل (RDS(on))، وإجمالي شحن البوابة (QG) أفضل من نظيراتها المصنوعة من السيليكون، توفر ترانزستورات الطاقة GaN أيضًا قدرة جهد عالية من المصدر إلى المصرف، وشحن استرداد عكسي صفري (أو ضئيل في حالة الأجهزة المتتالية) وسعات داخلية منخفضة جدًا. يمثل الحل الرائد لتحسين الكفاءة في تطبيقات تحويل الطاقة، تقنية GaN، إمكانية تلبية متطلبات الطاقة الأكثر صرامة جنبًا إلى جنب مع كثافات طاقة أعلى حيث يمكنها العمل بترددات أعلى بكثير، وبالتالي تقليل حجم النظام. تمثل ترانزستورات STPOWER GaN انفراجة حقيقية في التطبيقات الصناعية والسيارات لتحقيق الكفاءة والحلول عالية التردد.

【SiC MOSFETs】

قم بإنشاء أنظمة أكثر كفاءة وصغرًا من أي وقت مضى باستخدام STPOWER SiC MOSFETs

اجلب مزايا مواد الفجوة النطاق العريض المبتكرة (WBG) إلى تصميمك التالي بفضل SiC MOSFETs. مع نطاق جهد ممتد، من 650 إلى 2200 فولت، توفر MOSFETs كربيد السيليكون من ST واحدة من أكثر منصات التكنولوجيا تقدمًا والتي تتميز بأداء تبديل ممتاز جنبًا إلى جنب مع مقاومة منخفضة جدًا في حالة التشغيل لكل منطقة.

تشمل الميزات الرئيسية لـ SiC MOSFETs لدينا:

أجهزة مؤهلة من الدرجة المستخدمة في السيارات (AG)

قدرة معالجة درجة حرارة عالية جدًا (الحد الأقصى TJ = 200 درجة مئوية)

تشغيل تردد تبديل عالي جدًا وفقدان تبديل منخفض جدًا

مقاومة منخفضة في حالة التشغيل

محرك البوابة متوافق مع ICs الموجودة

صمام ثنائي داخلي سريع جدًا وقوي

تتضمن مجموعة SiC MOSFETs لدينا أحدث الحزم (HiP247، H2PAK-7، TO-247 long leads، STPAK و HU3PAK) المصممة خصيصًا لتلبية المتطلبات الصارمة لتطبيقات السيارات والصناعية.