مدونة الشركة حول إعادة تدوير مراحل طاقة TI: مراحل طاقة GaN، مراحل طاقة Si

إعادة تدوير مراحل طاقة TI:مراحل طاقة GaN،مراحل طاقة Si

شركة شينزين مينغجيادا الإلكترونية المحدودةمتخصصة في مجال إعادة تدوير المكونات الإلكترونية لسنوات عديدة وهي شركة رائدة في مجال حلول المخزون في الصين.خدمات إعادة تدوير النقد عالية القيمة لمجموعة واسعة من المكونات والشرائح الإلكترونية في جميع أنحاء العالم، توفير خدمات فعالة وآمنة وشفافة لتخليص المخزون وإدارة المخزون العاطل للعملاء في جميع مراحل سلسلة التوريد.

المزايا الرئيسية لخدمة إعادة الشراء

1أسعار شراء نقدية مرتفعة وتعليقات تنافسية للغاية

نستفيد من قاعدة بيانات السوق العالمية وفريق التقييم المهني، ونقدم عروض الأسعار في الوقت الحقيقي التي تعكس ظروف سوق الرقائق الحالية.بدون مكاسب من الوسطاء والسداد الفوري نقداًنحن نرحب بالشراكات مع مصنعي المعدات الأصلية (OEMs) والوكلاء ومصانع المستخدمين النهائيين والموزعين.

2إعادة شراء شاملة بدون قيود مواصفات

المخزون الكامل: نحن نعطي الأولوية لإعادة شراء الرقائق ذات القيمة العالية في عبواتها الأصلية، بما في ذلك الرقائق الكاملة والحقائب الكاملة.

قطع الغيار والمخزونات القديمة: نقبل العينات والمخزونات المقطوعة والمنتجات في نهاية حياتها والمواد الزائدة من المشاريع.

أي شرط: نحن نقبل منتجات جديدة بالكامل، غير مفتوحة، أجزاء فاضلة أصلية، مكونات فعالة بالكامل من المعدات المفككة، وجميع أنواع المخزونات القديمة.

3عملية فعالة وآمنة ومتوافقة

تنسيق المتطلبات: يقدم العملاء قائمة بأرقام الأجزاء والكميات وأرقام الشرائح والشروط.

الاقتباس السريع: الاقتباسات الدقيقة الصادرة في غضون ساعتين.

التفتيش والقبول: التفتيش في الموقع أو اختبار العينات، مع تأكيد في الموقع.

التسوية الفورية: الدفع النقدي أو التحويل المصرفي الذي يتم فوراً بعد القبول الناجح.

4خدمة عالمية، حلول مرنة

يقع مقرها الرئيسي في مدينة شنتشن، وتغطي أعمالنا الأسواق المحلية والخارجية على حد سواء. نحن ندعم جمع المنتجات في الموقع، وتسليم البريد المجانية والمعاملات عبر الحدود.نحن نضمن السرية المطلقة طوال العملية بأكملها، حماية خصوصية عملائنا سلسلة التوريد والقضاء على أي مخاطر ذات صلة بالصناعة.

تنقسم منتجات مرحلة الطاقة من TI إلى خطين رئيسيين من المنتجات: مرحلتين طاقة متكاملة GaN ومراحل طاقة متكاملة Si (MOSFET السيليكون).مع مفاتيح طاقة، محركات البوابة، أجهزة الكشف عن التيار الحالي ودوائر الحماية داخل جهاز واحد، مما يوفر مباشرة وحدة التبديل الكاملة. وهذا يقلل بشكل كبير من عدد المكونات الخارجية،تبسط تخطيط PCB، وهي مناسبة لمختلف سيناريوهات تحويل الطاقة مثل مصادر الطاقة للخوادم ، مصادر الطاقة الصناعية ، أنظمة الطاقة للسيارات ،وحدات طاقة الروبوتات البشرية ومصادر طاقة الاتصالات.

I. مراحل طاقة TI GaN (مراحل طاقة متكاملة لنتريد الغاليوم)

يتم تطوير مراحل طاقة TI GaN باستخدام عملية GaN FET في وضع تحسين GaN على أساس السيليكون (GaN-on-Si) ويتم تصنيفها على أنها أجهزة متكاملة للطاقة واسعة النطاق.النماذج النموذجية تشمل LMG3410R050، LMG5200 ، LMG708B0 و DRV7308 ، تغطي الجهد القياسي من 80 فولت إلى 650 فولت ، مع اختيار بنية IPM نصف الجسر والجسر الكامل والثلاثي.

الخصائص الرئيسية

1صفر شحنة استرداد عكسية: لا تظهر GaN FETs تأثير الاسترداد العكسي الموجود في ثنائي أكسيد السيليكون MOSFETs.يمكن تخفيض خسائر التبديل بنسبة تصل إلى 80٪ مقارنة بـ MOSFETات السيليكون التقليدية، دعم التبديل عالية التردد على مستوى ميگاهرتز، وتقليل حجم المحفزات والمكثفات، وتحسين كثافة الطاقة بشكل كبير.

2- مدرب متكامل للغاية على الشريحة: يدمج جهاز طاقة GaN ، مدرب البوابة ، الحماية من التيار الزائد والحرارة الزائدة والقلة ، والاستشعار الحالي في حزمة واحدة.هذا يزيل قضايا الطنين و EMI الناجمة عن الحمل الطفيلي حلقة البوابة في الحلول المنفصلة ويقلل من تعقيد التشغيل.

3سعة طفيلية منخفضة: مع الحد الأدنى من سعة المدخلات والإخراجات ، يتم تقليل حلقة عقدة التبديل وتخفيض تكاليف تصفية EMI ، مما يجعلها مناسبة لطوبولوجيات مثل PFC قطب التوتم,محولات المحركات عالية التردد

4- موثوقية مُحققة بدقة: خضع الجهاز لأكثر من 40 مليون ساعة من اختبارات الموثوقية المُسرعة؛ يحتوي الإصدار ذو الجهد العالي على آليات حماية شاملة،تلبية متطلبات الموثوقية العالية مثل تلك المطلوبة للتطبيقات الصناعية والسيارات AEC-Q100 Grade 1.

تطبيقات نموذجية

إمدادات طاقة خادم الحوسبة الذكية، إمدادات طاقة مركز البيانات 1U، مشغلات شحن للسيارات (OBCs) ، إمدادات طاقة عالية التردد الصناعية، محولات طاقة الطائرات بدون طيار، محركات خدمة الروبوتات الإنسانية،إمدادات الطاقة لمحطة قاعدة الاتصالات، ومحولات عالية الجودة.

II. مراحل طاقة TI Si (مراحل طاقة MOSFET السيليكون المتكامل)

تستند مراحل طاقة TI Si إلى عمليات MOSFET السيليكونية الناضجة ، وتدمج MOSFETs السيليكونية عالية الجانب والمنخفض ، وسائقات البوابات ودوائر استشعار التيار.وهي تمثل حلًا كلاسيكيًا متكاملًا لمرحلة الطاقة لتطبيقات DC-DC step-down، تستهدف سيناريوهات الجهد المتوسط والمنخفض والتيار العالي. وهي تقدم مجموعة واسعة من النماذج والتكاليف القابلة للسيطرة ونظام هندسي ناضج.

الخصائص الرئيسية

1. عملية متطورة على أساس السيليكون: تستخدم MOSFETs السيليكون مع المقاومة المثلى (Rds ((on)) ،توفير أداء ممتاز لفقدان التوصيل في تطبيقات الجهد المتوسط إلى المنخفض والترددات المتوسطة إلى المنخفضة، مع إمدادات مستقرة ومجموعة واسعة من خيارات الجهاز.

2وحدة التبديل المتكاملة نصف الجسر: يحتوي على سائق مدمج ، MOSFETs السيليكونية على الجانب العالي والجانب المنخفض ، والاستشعار الحالي ، مصممة لتحويلات الباك.هذا يزيل الحاجة إلى رقائق السائق الخارجي و يبسط تصميم مصادر الطاقة عالية التيار بول (نقطة الحمل).

3ميزات حماية شاملة: حماية متكاملة من التيار الزائد،إيقاف التشغيل الحراري وقفل انخفاض الجهد يوفر حماية قوية ضد ظروف التشغيل غير الطبيعية مثل الدوائر القصيرة والحمل الزائد.

4قيود التردد: بسبب الاسترداد العكسي للديود الجسدي في MOSFETs السيليكونية ، فإن تردد التبديل يقتصر عمومًا على عدة مئات من kHz ؛ مع زيادة التردد ،خسائر التبديل ترتفع بسرعة، مما يترك مجالا محدودا لتحسين كثافة الطاقة.

تطبيقات نموذجية

إمدادات الطاقة POL (نقطة الحمل) للوحات الأم للخادم؛ إمدادات الطاقة لـ FPGAs والمعالجات؛ إمدادات الطاقة للوحات التحكم الصناعية؛ إمدادات الطاقة لنظام الأمان.محولات مكافئة التيار المتردد للكترونيات الاستهلاكيةمصادر الطاقة الإضافية لمعدات الأتمتة.

III. مقارنة بين مراحل طاقة TI GaN مقابل مراحل طاقة Si

1. التردد التبديلي

مراحل طاقة GaN: يمكنها الوصول إلى نطاق MHz ، تدعم طوبولوجيات الترددات العالية.

مستويات الطاقة: تعمل بشكل رئيسي عند عشرات كيلو هرتز إلى عدة مئات من كيلو هرتز ؛ الزيادة في الخسائر بشكل ملحوظ عند الترددات العالية.

2كثافة الطاقة

مراحل طاقة GaN: يتم تقليل حجم المكونات السلبية بشكل ملحوظ ، مما يؤدي إلى أحجام حل أصغر لنفس طاقة الإخراج.

مراحل الطاقة Si: المكونات السلبية كبيرة نسبيا، مما يؤدي إلى انخفاض كثافة الطاقة للحلول.

3خصائص الخسارة

مراحل طاقة GaN: خسائر التبديل منخفضة للغاية وبدون استرداد عكسي ، مناسبة لتطبيقات التردد العالي والجهد العالي.

مراحل الطاقة: تقدم مزايا في الخسائر في الحالة عند الترددات المنخفضة والجهد المتوسط إلى المنخفض ، ولكنها تعاني من خسائر استعادة عكسية كبيرة عند الترددات العالية.

4تكلفة النظام

مرحلة طاقة GaN: على الرغم من أن سعر الوحدة للمكونات أعلى ، إلا أن الحاجة إلى مكنسات الحرارة ومصفات EMI والمحفزات والمكثفات تقل ، مما يعطي ترددًا مرتفعًا ،حلول الأنظمة الكاملة عالية الجهد ميزة تكلفة;

مراحل الطاقة: المكونات نفسها منخفضة التكلفة ، مما يجعل BOM العام أكثر اقتصادية لتطبيقات التردد المنخفض والمتوسط إلى المنخفض.

5طوبولوجيا مناسبة

مراحل طاقة GaN: PFC بدون جسر قطب التوتيم ، LLC عالية التردد ، محولات محرك ثلاثية المراحل ، نصف جسر / جسر كامل عالية التردد ؛

مستويات الطاقة: محولات بوك، محولات بوست التقليدية، الجسر الكامل منخفض التردد.