مدونة الشركة حول شينزين مينغجيادا الإلكترونيات.

مجموعة منتجات Mingjiada كاملة من MOSFETs الطاقة لخوادم الذكاء الاصطناعي

مع النمو المتفجر لقوة الحوسبة الذكية ، أصبحت MOSFETs القوية ′′ مكونات عنق الزجاجة ′′ في سلاسل إمدادات الطاقة.

مع تطبيق مجموعات على نطاق واسع للتدريب واستنتاج النماذج الكبيرة تصبح القاعدةارتفع استهلاك الطاقة لكل خزانة في خوادم الذكاء الاصطناعي من النطاق التقليدي 10 كيلوواط إلى نطاق 100 كيلوواط على منصة GB200، مع منصات الجيل التالي التي تستهدف 600 كيلوواط إلى 1 ميجاوات. تعد هندسات إمدادات الطاقة سريعة الانتقال من أنظمة الحافلات التقليدية 12 فولت إلى هندسات 48 فولت / 800 فولت عالية الجهد المتردد.مع زيادة عدد مراحل تحويل الطاقة وتضاعف التيارات العابرة، فإن الطلب على طاقة MOSFETs ومتطلبات الأداء المفروضة عليها ترتفع بشكل كبير.تشير تقديرات الصناعة إلى أن خادم الذكاء الاصطناعي الواحد يستخدم ثلاثة إلى خمسة أضعاف أشباه الموصلات الكهربائية مثل الخادم التقليدي، ومن المتوقع أن ترتفع قيمة أشباه الموصلات الكهربائية في خزانة خادم الذكاء الاصطناعي الواحدة من حوالي 15،000 دولار أمريكي إلى 115،000 دولار أمريكي بحلول عام 2030.

في هذه الخلفية، شركة شينزن مينغجيادا الإلكترونيات المحدودة، الموزع المستقل المعتمد مع ما يقرب من ثلاثة عقود من الخبرة في سلسلة توريد المكونات الإلكترونية، leverages its dual warehousing centres in Shenzhen and Hong Kong and a supply capacity of 2 million stock-keeping units (SKUs) to provide a full range of power MOSFETs from leading international brands—including Infineon، ON Semiconductor ، STMicroelectronics ، Vishay ، ROHM و Renesas ‬ لتصميمات إمدادات الطاقة لخوادم الذكاء الاصطناعي.

سلسلة منتجات Core Power MOSFET لخوادم الذكاء الاصطناعي الموردة من Mingjiada

I. Infineon: تغطية سلسلة كاملة من PFC إلى IBC

تفتخر Infineon بأكبر مجموعة من المنتجات ضمن سلسلة إمدادات الطاقة لخوادم الذكاء الاصطناعي. توفر Mingjiada السلسلة الأساسية التالية من المخزون:

سلسلة OptiMOSTM 5/6/7 (متوسط إلى منخفض الجهد ، 25V ¢ 250V): تغطي المتطلبات الأساسية لمحولات البوك متعددة المراحل ومحولات الحافلات الوسيطة (IBCs). من بينها OptiMOSTM 6 80V MOSFET ،مزودة بحزمة تسرب حرارة مزدوجة الجانبين 5 × 6mm2، تم دمجها في مستوى IBC من منصات خادم الذكاء الاصطناعي من قبل الشركات الرائدة في مجال تصنيع المعالجات. تم تحسين أحدث جيل من منتجات OptiMOSTM 7 لتطبيقات IBC ،مع RDS ((on) مخفضة بنسبة 25 في المائة للنسخة 40 فولت و 40 في المائة للنسخ 80 فولت / 100 فولت مقارنة بالجيل السابقتحتفظ مينغجيادا بمخزون من نماذج IBC خادم الذكاء الاصطناعي الشهير مثل BSC050N10NS5 (100V / 5mΩ).

سلسلة CoolMOS TM C7 / C8 (الجهد العالي ، 600V ~ 950V): مناسبة لمراحل PFC و LLC من إمدادات الطاقة CRPS لخوادم الذكاء الاصطناعي. يستخدم CoolMOS TM 8.تكنولوجيا XT للترابط وتقدم أداء حراري رائد في الصناعة، مما يجعلها مناسبة بشكل خاص لتصميمات إمدادات الطاقة عالية الكثافة في كل من الخوادم التقليدية والذكائية. النموذج النموذجي SPW20N60C3 (650V/20.7A) تستخدم على نطاق واسع في مصادر الطاقة الصناعية ودورات PFC الخادم.

سلسلة CoolSiC TM 400V (مخصصة لمراحل AC / DC): تم تطوير MOSFETs 400V SiC من Infineon ، على أساس تكنولوجيا CoolSiC TM من الجيل الثاني ، خصيصًا لمراحل AC / DC لخوادم AI ،تتيح كثافة طاقة تزيد عن 100 واط/إن3 وكفاءة مرحلة PFC من 99.5 بالمئة

سلسلة StrongIRFET TM: وضعت كحل فعال من حيث التكلفة لتطبيقات الجهد المتوسط والمنخفض ، مع VBRDSS تصل إلى 100V ، RDS ((on) منخفضة إلى 1.2mΩ ، وحد أقصى ID من 282A ،انها مناسبة لتطبيقات مثل مصادر الطاقة المساعدة ومفاتيح الحمل في خوادم الذكاء الاصطناعي.

II. على شبه الموصل: PowerTrench® T10 + EliteSiCTM الحل المشترك

تتميز حلول إمدادات الطاقة الخاصة بخادم الذكاء الاصطناعي لشركة ON Semiconductor بتركيب خط مزدوج على أساس السيليكون + كربيد السيليكون.الجيل الأخير من سلسلة T10 PowerTrench® تستخدم تصميم خندق بوابة محمية، تم تحسينها خصيصًا لتطبيقات التيار العالي في مراحل تحويل الطاقة DC-DC ، مما يوفر كثافة طاقة أعلى وأداء حراري استثنائي في حزمة صغيرة.عندما تستخدم مع سلسلة T10، يقلل EliteSiCTM 650V M3S MOSFET من شحن البوابة بنسبة 50٪ وطاقة السعة الخارجة بنسبة 44٪ مقارنة بالجيل السابق ،مما يقلل من خسائر الطاقة في مركز البيانات بنحو 1%وعلاوة على ذلك، أطلقت شركة "أون سيمكوندكتور" وحدة طاقة حوسبة سحابة الذكاء الاصطناعي بقدرة 12 كيلوواط باستخدام حل M3S MOSFET و SiC JFET، لتحقيق كفاءة قصوى تصل إلى 98 في المائة للوحدة بأكملها..

Mingjiada الأسهم على سلسلة EliteSiC من Semiconductor's من MOSFETs SiC (غطاء كامل نطاق الجهد من 650V إلى 1700V) ،وكذلك سلسلة PowerTrench MOSFETs طاقة N-قناة واحدة مثل NVMFS5C404NL و NVMFS5C456NL، وتدعم كل من عينات الاطراف الصغيرة والطلبات الكبيرة.

فيشاي: TrenchFET® Gen V حل منخفض المقاومة

Vishay SiRS5700DP هو 150 فولت TrenchFET® Gen V N-channel power MOSFET موجود في حزمة PowerPAK® SO-8S (QFN 6 × 5) ، مع RDS ((on)) منخفضة إلى 5.6 مΩ و عامل الجودة (RDS ((on) × Qg) من 336 مΩ·nC فقط، RthJC منخفضة تصل إلى 0.45 °C / W ، وتيار الصرف المستمر يصل إلى 144 A.هذا الجهاز مصمم خصيصا لتلبية متطلبات كفاءة 6 كيلوواط AI أنظمة إمدادات الطاقة الخادم وهو مناسب للتصحيح المتزامنتطبيقات نموذجية تشمل خوادم الذكاء الاصطناعي والحوسبة الحافة وأجهزة الكمبيوتر الفائقة.(مينغجيادا) تقدم توفير فوري لـ (سي آر إس 5700 دي بي) ومجموعة كاملة من (موسفيت) طاقة (فيشاي ترينش فيت).

IV ROHM: MOSFETs مصممة خصيصًا لتطبيقات 48V hot-swap في خوادم AI

أطلقت ROHM MOSFETs ذات الطاقة 100 فولت RY7P250BM و RS7P200BM لدوائر التبادل الساخن لتزويد الطاقة 48 فولت في خوادم الذكاء الاصطناعي.RY7P250BM يحقق تحمل SOA يصل إلى 16 A عند VDS = 48 V وعرض نبض 10 ms، وحتى 50 A في 1 ميس، مع مقاومة تشغيل منخفضة تصل إلى 1.86 مΩ.وقد تم اعتمادها وتوصيتها من قبل منصات السحابة ذات الشهرة العالميةيصل RS7P200BM إلى نطاق SOA واسع رائد في الصناعة في حزمة صغيرة من 5.0 ملم × 6.0 ملم ، وتلبية متطلبات تصاميم إمدادات الطاقة عالية الكثافة.منغجيادا منذ فترة طويلة موردا ROHM MOSFETs القناة N الطاقة ومنتجات SiC MOSFET، بما في ذلك نماذج مثل RCX450N20 (200 V/45 A).

V. STMicroelectronics (ST): MDmeshTM و STripFETTM سلسلة

تغطي MOSFETs الطاقة ST ′′ مجموعة واسعة من فولتاج الكسر من ′′100 فولت إلى 1,700 فولت ،تحقيق شحن بوابة منخفض ومقاومة منخفضة من خلال سلسلة MDmesh TM عالية الجهد وسلسلة STripFET TM منخفضة الجهدنموذج نموذجي ، STW48N60M6 (600 V / 48 A ، 0.060 Ω) ، مناسب لمرحلة PFC من خوادم AI وتحويل DC / DC عالية الجهد. من حيث MOSFETs SiC ،تتميز منتجات ST ′s مع نطاق فولتاج مُمتد من 650V ′2200V بقدرة الحرارة العالية للغاية (TJ تصل إلى 200 درجة مئوية) وخسائر التبديل المنخفضة للغاية، توفير بديل كربيد السيليكون لمراحل AC / DC عالية الكفاءة في خوادم الذكاء الاصطناعي.

تأمين التوريد من (مينغجيادا)

المنتجات الأصلية والمخزون الواسع: توزع Mingjiada المنتجات من أكثر من 500 من مصنعي أشباه الموصلات في جميع أنحاء العالم ؛ جميع MOSFETs الطاقة هي منتجات أصلية مختومة في المصنع ،مع خدمات تعقب الدفعات المقدمةمراكز التخزين المزدوجة لدينا في شنغشن وهونغ كونغ تحتفظ بمخزون من 2 مليون رقم مختلف للجزء، لدعم "طلب اليوم، إرسال غدا" استجابة سريعة.

المشتريات المرنة والتسليم العالمي: نحن ندعم كل من مشتريات العينات الصغيرة (بدءًا من وحدة واحدة) وأوامر خط الإنتاج في الملايين ،تلبية متطلبات الدورة الكاملة من النموذج الأولي لمصدر طاقة خادم الذكاء الاصطناعي إلى زيادة الإنتاج الضخممن خلال فروعنا في هونغ كونغ واليابان وروسيا وأماكن أخرى، نحن ندعم الشحن الدولي DHL/UPS لضمان تسليم سريع عالمي.

اتصل بـ (مينغجيادا): الموقع الرسميwww.integrated-ic.com∙ ∙ خط الخدمة الساخن +86 13410018555 (السيد تشن) ∙