مدونة الشركة حول إمداد إنفينيون BSZ075N08NS5 80V 40A OptiMOS TM 5 قناة N الطاقة MOSFET الترانزستورات

(مينغجيادا إلكترونيات)BSZ075N08NS580 فولت 40A- نعم ترانزستورات OptiMOSTM 5 N-Channel Power MOSFET

[شركة شينزين مينغجيادا الإلكترونية المحدودة]إمدادات طويلة الأجل (Infineon)BSZ075N08NS580 فولت ، OptiMOS TM 5 N-Channel Power MOSFET Transistors ، فيما يلي معلومات المنتج عن الترانزستور BSZ075N08NS5:

رقم الجزء:BSZ075N08NS5

الحزمة: PG- TSDSON-8

النوع: ترانزستورات MOSFET ذات القناة N

تفاصيل المنتج: BSZ075N08NS5 تقنية MOSFET الرائدة في الصناعة لتطبيقات الاتصالات والخوادم مع OptiMOS TM 5 80V في حزمة S3O8.

BSZ075N08NS5هي ترانزستور MOSFET من قناة N مع تكنولوجيا OptiMOS TM 5 لتطبيقات عالية الكفاءة وعالية كثافة الطاقة.

تقدم Infineon OptiMOSTM 5 80V MOSFET BSZ075N08NS5 خفض RDS ((on) بنسبة 43٪ مقارنة بالأجيال السابقة وهي مناسبة بشكل مثالي للترددات العالية للتبديل.أجهزة هذه العائلة مصممة خصيصا لتصحيح متزامن في الاتصالات ومصادر الطاقة الخادمبالإضافة إلى ذلك، يمكن استخدامها أيضا في التطبيقات الصناعية الأخرى مثل الطاقة الشمسية، محركات الجهد المنخفض والمحولات.

خصائص المنتج من BSZ075N08NS5

السلسلة: OptiMOSTM
نوع FET: قناة N
التكنولوجيا: MOSFET (أكسيد المعادن)
التيار الكهربائي من المصدر إلى الصرف (Vdss): 80 فولت
التيار - التخلص المستمر (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
تشغيل الجهد (حد أقصى تشغيل، الحد الأدنى لتشغيل): 6V، 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7.5mOhm @ 20A، 10V
Vgs ((th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36μA
شحن البوابة (Qg) (ماكس) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 فولت
Vgs (ماكس): ± 20V
سعة الدخول (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 40 V
تبديد الطاقة (ماكس): 69W (Tc)
درجة حرارة التشغيل: -55 °C ~ 150 °C (TJ)
نوع التثبيت: سطح التثبيت
حزمة جهاز المورد: PG-TSDSON-8-26
الحزمة / الحافظة: 8-PowerTDFN

BSZ075N08NS5>ملخص الخصائص

محسّنة للتصحيح المتزامن
مثالية لتحويل التردد العالي
خفض سعة الخروج بنسبة تصل إلى 44٪
انخفاض RDS ((on) يصل إلى 43٪ عن الجيل السابق

فوائد BSZ075N08NS5

أعلى كفاءة للنظام
تخفيض خسائر التبديل والإرشاد
الحد الأدنى من التوازي مطلوب
زيادة كثافة الطاقة
زيادة في الجهد المنخفض

تطبيقات BSZ075N08NS5
48 فولت إلى 12 فولت محول DC-DC
حلول نظام الروبوتات الصناعية للصناعة 4.0
الأجهزة المحمولة والهواتف الذكية
أحدث أشباه الموصلات التي تمكن النظام البيئي الجديد للرعاية الصحية الرقمية والمتصلة للغاية
البنية التحتية للاتصالات

صورة الحزمة من BSZ075N08NS5

(إنفينيون)BSZ075N08NS5هي ترانزستور MOSFET عالي الأداء لمجموعة واسعة من التطبيقات عالية الكفاءة وعالية كثافة الطاقة ، مع نقاط قوة خاصة في إدارة الطاقة وإلكترونيات السيارات.

[(مينغجيادا إلكترونيكس)] كان يزود شركة InfineonBSZ075N08NS5ترانزستور MOSFET القناة N لفترة طويلة ، لمزيد من المعلومات حول BSZ075N08NS5 ، مرحبا بكم في التحقق من الموقع الرسمي لمينغجيادا الإلكترونيات (https://www.integrated-ic.com/)