مدونة الشركة حول توفير منتج Infineon GaN: GaN Switch ثنائي الاتجاه، GaN Controller، GaN Smart، GaN Transistor

توفير منتج Infineon GaN: GaN Switch ثنائي الاتجاه، GaN Controller، GaN Smart، GaN Transistor

شركة شينزين مينغجيادا الإلكترونية المحدودةكشركة رائدة في مجال المكونات الإلكترونية في الصين،يستفيد من شبكة سلسلة التوريد القوية وقدرات الخدمة المهنية للصناعة لتزويد العملاء بمنتجات أصلية مستقرة وموثوقة.

المنتجات الرئيسية تشمل:رقائق الجيل الخامس، وحدات تحكم الطاقة الجديدة، وحدات تحكم إنترنت الأشياء، وحدات تحكم بلوتوث، وحدات تحكم شبكات المركبات، وحدات تحكم للسيارات، وحدات تحكم الاتصالات، وحدات تحكم الذكاء الاصطناعي، وحدات تحكم الذاكرة، وحدات تحكم أجهزة الاستشعار، وحدات تحكم ميكروكترول،أجهزة التقاطع الإرسالي، أقراص Ethernet IC ، رقائق WiFi ، وحدات الاتصالات اللاسلكية ، الموصلات ، والمكونات الإلكترونية الأخرى.

الشركة لديها المزايا الأساسية التالية في العرض:

التوريد المباشر من المصنعين الأصليين وضمان الجودة: يتم شراء جميع المنتجات من خلال قنوات معتمدة لضمان أن المنتجات الأصلية أصلية بنسبة 100٪ ،مع إعطاء أرقام الشرائح الأصلية الكاملة للمصنع.

المشتريات القابلة للتوسع وتحسين التكاليف: من خلال التعاون العميق مع العديد من العلامات التجارية المعروفة وميزة المشتريات على نطاق واسع،يمكن للشركة خفض التكلفة الإجمالية للمكونات الإلكترونية بشكل كبير، وتقدم للعملاء أسعار تنافسية للغاية.

القدرات المرنة والسريعة للتسليم: المخزن المركزي في شنشن والخزن الجمركي في هونغ كونغ يعملان جنبا إلى جنب ، ويدعمان التسليم السريع في غضون 48 ساعة ،مع طلبات عاجلة قادرة على الشحن المحلي خلال 24 ساعة.

نتريد الغاليوم (GaN)

CoolGaNTM أجهزة منفصلة وحلول متكاملة توفر أعلى كفاءة وكثافة طاقة لتطبيقات الإلكترونيات الاستهلاكية والصناعية والسيارات.

منتجات وتطبيقات Infineon GaN Bi-directional Switch

المفاتيح ثنائية الاتجاه (BDS) في سلسلة CoolGaNTM من Infineon تمثل اتجاهًا جديدًا مهمًا لتكنولوجيا GaN في تطبيقات تحويل الطاقة.يتم تصنيع أجهزة التبديل ثنائي الاتجاه 40 فولت من Infineon باستخدام تكنولوجيا العملية المتقدمة GaN-on-Si، دمج اثنين من GaN HEMT عالي الأداء (ترانزستورات حركة الكترونات العالية) لتمكين التحكم في التيار الثنائي الاتجاه داخل حزمة واحدة ،تبسيط كبير لتصميم الدوائر وتعزيز موثوقية النظامتتميز هذه الأجهزة بمقاومة إشعال منخفضة للغاية (قيم نموذجية من 1.1mΩ إلى 2.3mΩ) وسرعات التبديل فائقة السرعة ،دعم ترددات تشغيل تصل إلى 2 ميغاهرتز 5 إلى 10 أضعاف أداء MOSFETs التقليدية القائمة على السيليكون مما يجعلها مناسبة بشكل خاص للتطبيقات التي تتطلب ترددات عالية، عملية عالية الكفاءة.

تكمن الميزة التكنولوجية الأساسية لمفتاحات GaN ثنائية الاتجاه في غياب خصائص استرداد الديود العكسي للجسم.لا تولد أجهزة GaN تيار استرداد عكسي أثناء التوصيل العكسي، والقضاء بشكل أساسي على خسائر التبديل ومشاكل EMI الناجمة عن استرداد ثنائي الأضواء العكسي في MOSFETs التقليدية. Infineon's CoolGaN™ bidirectional switches also employ innovative gate drive technology to ensure device stability and reliability under high-frequency switching conditions while simplifying drive circuit designهذه الميزات تمكن مفاتيح GaN ثنائية الاتجاه من الأداء بشكل جيد بشكل استثنائي في التطبيقات التي تتطلب تدفق الطاقة ثنائية الاتجاه ، مثل التصحيح المزامنة ،والشحن اللاسلكي.

أجهزة تحكم GaN من إنفينيون وحلول الأجهزة الذكية

تتضمن خط منتجات جهاز تحكم GaN لشركة Infineon برامج تشغيل بوابة مستقلة ووحدات طاقة ذكية متكاملة للغاية (IPMs) ،والتي تم تحسينها لخصائص فريدة من أجهزة طاقة GaN للاستفادة الكاملة من الترددات العالية، ومزايا عالية الكفاءة لتكنولوجيا GaN. لا سيما وحدة التحكم الذكية للطاقة مثل NV6133A ، التي تدمج مفاتيح وسائقات GaN ،استخدام تكنولوجيا GaNSense TM لتمكين الكشف عن التيار بدون خسارة ووظائف حماية شاملة، تبسيط كبير لتصميم النظام وتعزيز الموثوقية.

و GaNFast TM قوة IC هي سلسلة الرائدة في خط منتجات جهاز تحكم GaN من Infineon. تعمل رقاقة NV6133A على دمج مفاتيح وسائقات GaN عالية الأداء ، وتدعم نطاقًا واسعًا من VCC من 10 إلى 30 فولت ،يقدم تشغيل قابل للبرمجة dV/dt، ويوفر 200V/ns dV/dt مناعة. يحتوي الجهاز على تصنيف الجهد العابر 800V وتصنيف الجهد المستمر 700V،بمقاومة تشغيل 330mΩ فقط ودعم لترددات تشغيل تصل إلى 2MHzتقنية GaNSense TM المتكاملة توفر ميزات ذكية مثل حماية الدائرة القصيرة، حماية درجة الحرارة الزائدة، وضع الاستعداد الذاتي منخفض التيار،القضاء على خسائر الطاقة من المقاومات العينة في التصاميم التقليدية وزيادة تعزيز كفاءة النظام وموثوقيته.

سلسلة ترانزستورات Infineon GaN

تغطي خط منتجات ترانزستورات GaN من Infineon مجموعة واسعة من متطلبات التطبيقات من الجهد المتوسط إلى العالي ، بما في ذلك السلسلة الكاملة من ترانزستورات GaN مثل CoolGaNTM G3 (الجهد المتوسط) ،CoolGaNTM G5 (الجهد العالي)، وسلسلة IGT الصناعية. يتم تصنيع هذه الأجهزة باستخدام عمليات رقائق متقدمة 8 بوصة ، مما يعزز بشكل كبير كثافة الطاقة وتردد التبديل وأداء الإدارة الحرارية ،مما يجعلها مناسبة للتطبيقات المتطورة من الإلكترونيات الاستهلاكية إلى مصادر الطاقة الصناعية.

يتم تحسين سلسلة CoolGaNTM G3 لتطبيقات الجهد المتوسط ، مع نطاق الجهد من 40V إلى 120V. تستخدم حزم RQFN 5x6 و 3.3x3.3 القياسية ،التي تتوافق مع دبوس MOSFET التقليدية القائمة على السيليكون، مما يسهل هجرة التصميم للعملاء. هذه الأجهزة تتميز بمقاومة منخفضة للغاية (1.1mΩ إلى 2.3mΩ) واستقرار دورة حرارية ممتازة.مما يجعلها مناسبة بشكل خاص لتطبيقات التبديل عالية الترددفي تصاميم الشحن السريع USB-C ، تحقق ترانزستورات GaN من سلسلة G3 كفاءة تزيد عن 95٪ مع تقليل حجم مصدر الطاقة بأكثر من 50٪.خصائصها عالية التردد تساعد على تقليل حجم عنصر المرشح وتعزيز نطاق النطاق الترددي للتحكم.

سلسلة CoolGaNTM G5 هي المنتج الرائد من Infineon لتطبيقات الجهد العالي ، والتي تعمل عند الجهد يصل إلى 650 فولت.تحقيق تحسن في الكفاءة بنسبة 3٪ إلى 5٪ مقارنة بالجيل السابقتتميز ترانزستورات GaN من سلسلة G5 بخسائر التبديل المنخفضة للغاية ، تدعم ترددات التشغيل من مئات kHz إلى MHz ،مع توفير مقاومة ممتازة لـ dv/dt و القدرة على مقاومة الدائرة القصيرةفي تطبيقات عاكس الطاقة الكهروضوئية ، تصل أجهزة G5 إلى كفاءة تحويل تتجاوز 99٪ ، مما يعزز بشكل كبير إنتاج الطاقة في أنظمة توليد الطاقة.في إمدادات الطاقة للخادم ومشغلات شحن المركبات الكهربائية، كثافة الطاقة العالية تمكن من تصميمات النظام الأكثر تراكمية.