مدونة الشركة حول إمدادات ترانزستورات MOSFET ، إمدادات [Infineon] IPA60R099P7 600V CoolMOS TM P7 ترانزستورات MOSFET ذات القناة N

إمدادات ترانزستورات MOSFET، إمدادات [Infineon]IPA60R099P7ترانزستورات MOSFET ذات الطاقة 600 فولت CoolMOSTM P7 N-Channel

[شركة شينزين مينغجيادا الإلكترونية المحدودة]إمدادات طويلة الأجل [Infineon]IPA60R099P7ترانزستورات MOSFET طاقة القناة N 600V CoolMOS TM P7 ، فيما يلي وصف مفصل للترانزستور IPA60R099P7:

رقم الجزء:IPA60R099P7

الحزمة: تو-220-3

نوع: ترانزستورات MOSFET CoolMOSTM P7

IPA60R099P7موصفات MOSFET المتحسّنة ذات الارتباط الفائق التي تجمع بين كفاءة الطاقة العالية وسهولة الاستخدام.

ترانزستور MOSFET 600V CoolMOS TM P7 هو خليفة سلسلة CoolMOS TM P6 600V.IPA60R099P7 لا يزال يوازن بين الحاجة إلى كفاءة عالية مع سهولة الاستخدام في عملية التصميمأفضل RonxA في فئتها والتكلفة المنخفضة بطبيعتها للبوابة (QG) من منصة CoolMOS TM الجيل السابع تضمن كفاءتها العالية.

IPA60R099P7خصائص المنتج

رقم الجزء: IPA60R099P7

سلسلة: CoolMOSTM P7
نوع FET: قناة N
التكنولوجيا: MOSFET (أكسيد المعادن)
التيار الكهربائي من المصدر إلى الصرف (Vdss): 600 فولت
التيار - التخلص المستمر (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
تشغيل الجهد (حد أقصى تشغيل، الحد الأدنى لتشغيل): 10 فولت
Rds On (Max) @ Id، Vgs: 99mOhm @ 10.5A، 10V
Vgs ((th) (Max) @ Id: 4V @ 530μA
شحنة البوابة (Qg) (ماكس) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Vgs (ماكس): ± 20V
سعة الدخول (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V
تبديد الطاقة (ماكس): 29W (Tc)
درجة حرارة التشغيل: -55 °C ~ 150 °C (TJ)
نوع التثبيت: من خلال الثقب
حزمة جهاز المورد: PG-TO220-FP
الحزمة / الحقيبة: TO-220-3 حزمة كاملة

IPA60R099P7*ملخص الخصائص
الكفاءة
- 600 فولت P7 تمكن ممتازة FOM RDS ((on)) xEoss وRDS ((on)) xQG
سهولة الاستخدام
- صلابة ESD ≥ 2kV (فئة HBM 2)
- مقاومة البوابة المتكاملة RG
-ديود الجسم الصلب
- مجموعة واسعة من حزم التثبيت من خلال الثقب والسطح
- كل من الجودة القياسية والقطع الصناعية

فوائد IPA60R099P7
الكفاءة
- FOMs ممتازة RDS ((on) xQG / RDS ((on) xEoss تمكن من زيادة الكفاءة
سهولة الاستخدام
- سهولة الاستخدام في بيئات التصنيع من خلال وقف حدوث فشل في ESD
- RG المتكامل يقلل من حساسية MOSFET التذبذب
- MOSFET مناسبة لكل من توبولوجيات التبديل الصلبة والرنين مثل PFC و LLC
- صلابة ممتازة أثناء التحول الصعب للديود الجسم الذي شوهد في طوبولوجيا LLC
- مناسبة لمجموعة واسعة من التطبيقات النهائية وقوى الإخراج
- أجزاء متاحة مناسبة للتطبيقات الاستهلاكية والصناعية

التطبيقات المحتملة لـ IPA60R099P7
مصدر طاقة التلفزيون
الـ SMPS الصناعي
الخادم
الاتصالات
الإضاءة

تطبيقات IPA60R099P7
نظام التكييف التجاري
حلول خادم الحافة
حلول أشباه الموصلات لتطبيقات الترفيه المنزلي

(مينغجيادا إلكترونيكس)"إمدادات [إنفينيون]IPA60R099P7ترانزستورات MOSFET طاقة 600 فولت CoolMOSTM P7 N-Channel.

IPA60R099P7 هو MOSFET طاقة قناة N 600 فولت يحتوي على تقنية CoolMOS TM P7 من Infineon.هذه التكنولوجيا تحسن أداء التبديل ومقاومة التشغيل لتطبيقات تحويل الطاقة عالية الكفاءة.

الخصائص الرئيسية لـ IPA60R099P7
الجهد القياسي: 600 فولت
مقاومة التشغيل (RDS ((on)): 0.099Ω
التيار المسموح به: 11A (متواصل) ، 44A (متنبث)
شحنة بوابة منخفضة (Qg): 28nC
سرعة التبديل السريعة: خفض خسائر التبديل
خسارة التوصيل المنخفضة: تحسين الكفاءة
حزمة TO-220: تركيب سهل وتبديد الحرارة

الخصائص الكهربائية لـ IPA60R099P7
الجهد من مصدر الصرف (VDS): 600V
الجهد من مصدر البوابة (VGS): ± 20V
الجهد الحد الأدنى (VGS ((th)): 3V إلى 5V
إجمالي شحن البوابة (Qg): 28nC
سعة الدخول (Ciss): 1300pF
سعة الخروج (Coss): 110pF
سعة نقل العكسية (Crss): 15pF

IPA60R099P7مزايا
الكفاءة العالية: خسائر التوصيل والتحويل المنخفضة
أداء حراري ممتاز: تبديد حرارة فعال
موثوقية عالية: مناسبة للبيئات القاسية

صورة الحزمة من IPA60R099P7

يستخدم IPA60R099P7 على نطاق واسع في تطبيقات تحويل الطاقة عالية الكفاءة لتصميمات كثافة الطاقة العالية بسبب مقاومة التشغيل المنخفضة والتحويل السريع والأداء الحراري الممتاز.

لمزيد من المعلومات عنIPA60R099P7الرجاء زيارة موقع " مينغاردا إلكترونيكس " (https://www.integrated-ic.com/)