مدونة الشركة حول إمدادات الطاقة على الوحدة:وحدة IGBT،وحدة MOSFET،وحدة Si/SiC الهجينة،IPMs،وحدة SiC

وحدة الطاقة عند التشغيل: وحدة IGBT، وحدة MOSFET، وحدة Si/SiC الهجينة، IPMs، وحدة SiC

شركة شنتشن مينغجيا للإلكترونيات المحدودة.هي موزع مستقل معتمد عالميًا للمكونات الإلكترونية، متخصص في توفير خدمات شراء المكونات الإلكترونية الشاملة.

فئات المنتجات الرئيسية الموردة:

الدوائر المتكاملة، رقائق الجيل الخامس، الدوائر المتكاملة للطاقة الجديدة، الدوائر المتكاملة لإنترنت الأشياء، دوائر البلوتوث، الدوائر المتكاملة لشبكات المركبات، الدوائر المتكاملة من الدرجة السيارات، دوائر الاتصالات المتكاملة، دوائر الذكاء الاصطناعي المتكاملة، دوائر الذاكرة المتكاملة، دوائر الاستشعار المتكاملة، دوائر التحكم الدقيقة المتكاملة، دوائر الإرسال والاستقبال المتكاملة، دوائر الإيثرنت المتكاملة، رقائق الواي فاي، وحدات الاتصال اللاسلكي، الموصلات، وغيرها من المنتجات.

مزايا التوريد والخدمة:

مخزون قابل للتطوير: مع أكثر من 2 مليون وحدة حفظ المخزون، ندعم الشراء من الكميات الصغيرة (بأقل من قطعة واحدة) إلى الطلبات واسعة النطاق.

التسليم السريع: مستودعات مزدوجة في شنتشن وهونغ كونغ، مع وقت استجابة يبلغ 48 ساعة ودعم لوجستي عالمي.

القدرة التنافسية في الأسعار: تخفيض التكاليف من خلال التوريد المباشر من الشركات المصنعة الأصلية ونموذج سلسلة التوريد المبسط.

مجالات التطبيق:

تغطي المنازل الذكية، والأتمتة الصناعية، وإلكترونيات السيارات، والطاقة الجديدة، والأجهزة الطبية، واتصالات الجيل الخامس، وصناعات الفضاء.

وحدات IGBT

تُستخدم وحدات IGBT في الجر وفي مراحل التيار المستمر-التيار المتردد من العواكس الشمسية، وأنظمة تخزين الطاقة، ومصادر الطاقة غير المنقطعة، ومحركات المحركات.

وحدات MOSFET

تُستخدم وحدات MOSFET لمحركات السيارات وتطبيقات الشاحن الموجود على اللوحة. تأتي بتقييمات 40 فولت و 60 فولت و 80 فولت و 650 فولت بتقنية الوصلة الفائقة ومقاوم الاستشعار. بصرف النظر عن حزمة الستة وحلقة الجسر الكاملة والنصف، فهي متوفرة أيضًا في طوبولوجيا PFC ذات القطب المتوازي.

وحدات Si/SiC الهجينة

تحتوي وحدات Si/SiC الهجينة على IGBTs وثنائيات السيليكون وثنائيات SiC. يتم استخدامها في مراحل التيار المستمر-التيار المتردد من العواكس الشمسية، وأنظمة تخزين الطاقة، ومصادر الطاقة غير المنقطعة.

وحدات Si/SiC الهجينة (السيليكون/كربيد السيليكون) هي وحدات طاقة IGBT متكاملة ذات كثافة طاقة عالية. تتمتع بخسائر تبديل أقل من الوحدات غير الهجينة، ويمكنها أيضًا العمل في درجات حرارة أعلى من أنواع أشباه الموصلات الأخرى.

تتمتع وحدات Si/SiC الهجينة بعدة استخدامات بما في ذلك استخدامها في التطبيقات عالية الطاقة التي تحتاج إلى خسائر منخفضة. يمكن استخدامها أيضًا في بيئات ذات درجة حرارة أعلى من وحدات Si المماثلة. بالنسبة للأنظمة التي تتطلب تبديلًا عالي التردد، توفر وحدات Si/SiC الهجينة كفاءة أفضل.

وحدات الطاقة الذكية (IPMs)

وحدات طاقة ذات جهد عالٍ مع برامج تشغيل بوابة مدمجة لتطبيقات المستهلك والصناعية والسيارات. تقدم مجموعة كبيرة من وحدات العاكس ثلاثية الطور التي تغطي مستويات الطاقة من 50 واط إلى 10 كيلو واط. متوفرة في طوبولوجيات مختلفة بما في ذلك PFC ومقومات جسر الإدخال.

وحدات كربيد السيليكون (SiC)

تحتوي وحدات SiC على SiC MOSFETs وثنائيات SiC. تُستخدم وحدات التعزيز في مراحل التيار المستمر-التيار المستمر من العواكس الشمسية. تستخدم هذه الوحدات SiC MOSFETs وثنائيات SiC بتقييمات جهد 1200 فولت.

وحدة كربيد السيليكون (SiC) هي وحدة طاقة تعمل مع أشباه موصلات كربيد السيليكون لمفتاحها. الغرض من وحدة طاقة SiC هو تحويل الطاقة الكهربائية من خلال المفاتيح لتحسين كفاءة النظام.

الوظيفة الأساسية لوحدات SiC هي تحويل الطاقة الكهربائية. يوفر كربيد السيليكون ميزة على السيليكون لأنه، مع مقاومة أقل للابتعاد عن المصدر (بسبب زيادة الكفاءة)، يمكن لأجهزة SiC أن تعمل بتردد تبديل أعلى. نظام يعتمد على SiC هو أيضًا أكثر إحكاما وخفة من حل السيليكون، مما يسمح بتصميمات أصغر. لذلك، تعد أجهزة SiC هي الحل الأمثل للحالات التي تريد فيها زيادة الكفاءة وتحسين الإدارة الحرارية.