مدونة الشركة حول توفير منتج كربيد السيليكون:ديود سي سي،سي سي موسبيت،سي سي وحدة الطاقة

توريد منتجات WeEn Silicon Carbide: SiC Diode, SiC MOSFET, وحدة طاقة SiC

شركة Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.بصفتها موردًا رائدًا للمكونات الإلكترونية في الصين، تلتزم الشركة بمبدأ ‘الجودة أولاً، والتركيز على العملاء،’، مع التحسين المستمر لجودة المنتج ومعايير الخدمة لتوفير خدمات توريد مكونات إلكترونية عالية الجودة لعدد متزايد من العملاء.

تشمل المنتجات الرئيسية:رقائق الجيل الخامس، ودوائر متكاملة للطاقة الجديدة، ودوائر متكاملة لإنترنت الأشياء، ودوائر متكاملة للبلوتوث، ودوائر متكاملة لشبكات المركبات، ودوائر متكاملة بدرجة السيارات، ودوائر متكاملة للاتصالات، ودوائر متكاملة للذكاء الاصطناعي، ودوائر متكاملة للذاكرة، ودوائر متكاملة للمستشعرات، ودوائر متكاملة للتحكم الدقيق، ودوائر متكاملة للإرسال والاستقبال، ودوائر متكاملة للإيثرنت، ورقائق WiFi، ووحدات الاتصال اللاسلكي، والموصلات، والمكونات الإلكترونية الأخرى.

كربيد السيليكون

كربيد السيليكون (SiC) مادة أشباه موصلات تستخدم على نطاق واسع لمكونات الطاقة ذات الجهد المتوسط ​​إلى العالي. ويرجع ذلك إلى خصائصه المتأصلة المتمثلة في فجوة النطاق العريض والتوصيل الحراري العالي.

SiC Diodes

توفر WeEn-semi SiC Diodes منصات 650 فولت و 1200 فولت، وتتميز بحجم رقاقة صغير وشريحة رقيقة 150 ميكرومتر لتوفير أفضل تنافسية للمنتج في فئته. تعمل WeEn Gen-6 SiC SBD على تحسين نسبة تلامس Schottky إلى منطقة وصلة PN لتحقيق Vf منخفض للغاية (نموذجي 1.26 فولت) وتوفر مقاومة منخفضة للغاية في حالة التشغيل من خلال تحسين تركيز التشويب لطبقة EPi وترقيق الرقاقة. تعمل بنية MPS المبتكرة من WeEn على زيادة قدرة اندفاع التيار بشكل واضح. تجعل تقنية التلبيد Ag المتقدمة المزيج المثالي لأداء المنتج والموثوقية.

SiC MOSFETs

SiC MOSFET يمثل WeEn-semi's Gen-2 planar gate sillicon carbide MOSFET بـ 12mΩ/1200V في تصميم الرقاقة، عن طريق تحسين المعلمات الرئيسية مثل عرض JFET وعرض منطقة تلامس المصدر، باستخدام حجم خلية أصغر، جنبًا إلى جنب مع تقنية ترقيق رقاقة SiC المتقدمة

وحدة طاقة SiC

تشمل منتجات وحدة طاقة كربيد السيليكون من WeEn وحدات PressFit مع طوبولوجيا نصف جسر وجسر كامل، بالإضافة إلى حلول على مستوى النظام مع برامج تشغيل ذكية مدمجة. تدمج هذه الوحدات رقائق SiC متعددة في حزمة مُحسّنة، مما يستفيد بشكل كامل من مزايا التردد العالي والكفاءة العالية لمادة كربيد السيليكون مع تبسيط تصميم نظام العميل.