مدونة الشركة حول توفير Infineon BSC160N15NS5 OptiMOS TM 5 150V MOSFET القناة الشمالية For Telecommunication Infrastructure

مينغجيا دا للإلكترونيات توفر إنفينيون BSC160N15NS5 OptiMOS™ 5 150V N-channel MOSFET – حل تبديل طاقة عالي الكفاءة للبنية التحتية للاتصالات

أولاً. BSC160N15NS5 نظرة عامة على المنتج

على خلفية استمرار البنية التحتية للاتصالات في التطور نحو كثافة أعلى وكفاءة أكبر، فإن اختيار MOSFETs للطاقة يحدد بشكل مباشر كفاءة التحويل والموثوقية طويلة الأجل لأنظمة إمدادات الطاقة. إن BSC160N15NS5 من Infineon Technologies، وهو جزء من سلسلة MOSFETs للطاقة OptiMOS™ 5 150V، يأتي في عبوة SuperSO8 (TDSON-8). بفضل مقاومة تشغيل منخفضة للغاية تبلغ 16 ميغا أوم وقدرة تيار تصريف مستمر تبلغ 56 أمبير، فهو خيار مثالي لتطبيقات التقويم المتزامن والتبديل عالي التردد في معماريات إمدادات الطاقة 48 فولت ضمن البنية التحتية للاتصالات.

مينغجيا دا للإلكترونيات (Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.)، وهي موزع مستقل معتمد للمكونات الإلكترونية بخبرة تقارب الثلاثين عامًا، توفر منذ فترة طويلة إمدادًا مستقرًا لمجموعة كاملة من منتجات MOSFET من إنفينيون، بما في ذلك MOSFETs للطاقة OptiMOS™ 5 مثل BSC160N15NS5.

ثانياً. المواصفات الفنية الرئيسية لـ BSC160N15NS5

جهد انهيار تصريف-مصدر V_DS: 150 فولت

تيار تصريف مستمر I_D (T_C=25°C): 56 أمبير

مقاومة التشغيل R_DS(on) (الحد الأقصى): 16 ميغا أوم @ V_GS=10 فولت

جهد عتبة البوابة V_GS(th): 3.8 فولت

إجمالي تبديد الطاقة P_tot (T_C=25°C): 115 واط

شحنة الاسترداد العكسي Q_rr: 26 نانو كولوم

سعة الإدخال C_iss: 1820 بيكو فاراد

سعة النقل العكسي C_rss: 17 بيكو فاراد

نطاق درجة حرارة وصلة التشغيل: -55 درجة مئوية إلى +175 درجة مئوية

العبوة: SuperSO8 (TDSON-8، 5×6 مم)

يتميز هذا الجهاز بتصميم عبوة تبريد مزدوج الجوانب مع مقاومة حرارية منخفضة للغاية من الوصلة إلى الأعلى، جنبًا إلى جنب مع نسبة قياس (FOM) منخفضة للغاية لشحنة البوابة × مقاومة التشغيل وشحنة استرداد عكسي منخفضة للغاية، مما يمكّنه من تقليل خسائر التبديل والتوصيل بشكل كبير في تطبيقات التبديل عالي التردد والتقويم المتزامن.

ثالثاً. التطبيقات الرئيسية لـ BSC160N15NS5 في البنية التحتية للاتصالات

3.1 التقويم المتزامن في محولات DC-DC 48 فولت

تستخدم البنية التحتية الحديثة للاتصالات على نطاق واسع معماريات توزيع طاقة DC 48 فولت. في محولات DC-DC عالية التردد بمدخل 48 فولت، يجب أن يلبي MOSFET التقويم المتزامن على الجانب الثانوي متطلبات مزدوجة تتمثل في مقاومة تشغيل منخفضة وخصائص استرداد صمام الجسم السريع في وقت واحد. تتيح مقاومة التشغيل المنخفضة للغاية لـ BSC160N15NS5 البالغة 16 ميغا أوم وشحنة الاسترداد العكسي البالغة 26 نانو كولوم فقط تقليل خسائر التقويم بشكل فعال في طوبولوجيا التقويم المتزامن، وبالتالي تحسين كفاءة التحويل الإجمالية للنظام.

3.2 إمدادات الطاقة ذات وضع التبديل (SMPS) في معدات الاتصالات

تفرض إمدادات الطاقة ذات وضع التبديل في محطات قاعدة الاتصالات وأجهزة التوجيه ومعدات الإرسال متطلبات صارمة على كفاءة وأداء الطاقة للأجهزة. تم إدراج سلسلة OptiMOS™ 5 150V صراحةً من قبل إنفينيون كخيار موصى به لتطبيقات البنية التحتية للاتصالات وهي مناسبة لسيناريوهات التبديل عالية التردد مثل إمدادات الطاقة لمعدات الاتصالات وتحويل طاقة DC-DC.

3.3 محولات الناقل الوسيط 48 فولت (IBC)

في مراكز البيانات وغرف معدات الاتصالات، تكون محولات الناقل الوسيط 48 فولت مسؤولة عن تحويل الجهد من ناقل 48 فولت إلى جهد نقطة التحميل. بفضل خصائص FOM المنخفضة، يتيح BSC160N15NS5 كثافة طاقة أعلى وارتفاعًا أقل في درجة الحرارة في طوبولوجيا IBC.

3.4 محركات الجهد المنخفض والتطبيقات الشمسية

بالإضافة إلى البنية التحتية للاتصالات، فإن BSC160N15NS5 مناسب أيضًا لمحركات الجهد المنخفض (مثل الرافعات الشوكية الكهربائية والسكوترات الكهربائية) وكذلك العواكس الشمسية، مما يدل على قابلية تكيف واسعة عبر سيناريوهات مختلفة.

رابعاً. مينغجيا دا للإلكترونيات – موردك الموثوق لـ Infineon MOSFETs

4.1 نقاط قوة الشركة

تأسست مينغجيا دا للإلكترونيات عام 1996 ومقرها في شنتشن، ولديها فروع في هونغ كونغ واليابان وروسيا وتايوان، مع أكثر من مليون طراز متوفر في المخزون.

4.2 ضمان التوريد

منتجات OEM أصلية: يتم الحصول على جميع منتجات MOSFET من إنفينيون من خلال قنوات OEM الرسمية، مما يلغي خطر المنتجات المقلدة.

مخزون كافٍ: تحتفظ مراكز التخزين المزدوجة لدينا في شنتشن وهونغ كونغ بمخزونات كبيرة من الطرازات الرئيسية، مع توفر سلسلة BSC160N15NS5 للشحن السريع.

استجابة سريعة: يتم شحن الطلبات العاجلة في غضون 4 ساعات؛ يتم تسليم الطلبات القياسية في غضون 48 ساعة.

شراء مرن: ندعم كلاً من عمليات شراء العينات الصغيرة والطلبات الكبيرة، ونقدم أسعارًا تنافسية في السوق.

خامساً. الشراء والاتصال

إذا كنت تبحث عن مصدر توريد موثوق لـ BSC160N15NS5 لمشروع بنية تحتية للاتصالات، يرجى الاتصال بـ مينغجيا دا للإلكترونيات للحصول على أحدث عرض أسعار.

الجوال: +86 13410018555

البريد الإلكتروني: sales@hkmjd.com

العنوان: الغرف 1239–1241، مبنى آسيا الجديدة غولي، طريق زينتشونغ، منطقة فوتيان، شنتشن، مقاطعة قوانغدونغ

مينغجيا دا للإلكترونيات – شريكك الشامل لـ Infineon MOSFETs، مما يضمن تحويل طاقة موثوقًا به لكل جانب من جوانب البنية التحتية للاتصالات الخاصة بك.