مدونة الشركة حول فيشاي SIZF918DT-T1-GE3 مزدوج قناة N 30V MOSFET مع ثنائي حاجز شوتكي - في المخزون

في مجال المكونات الإلكترونية، يعد منتج MOSFET عالي الأداء والموثوقية أمرًا بالغ الأهمية للتشغيل المستقر لمختلف الأجهزة الإلكترونية. يسعد شركة Mingjiada Electronics اليوم أن تقدم منتجنا الأصلي والمتوفر في المخزون من Vishay SIZF918DT-T1-GE3.

SIZF918DT-T1-GE3 نظرة عامة على المنتج
تقدم شركة Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. MOSFET ثنائي القناة N عالي الأداء SIZF918DT-T1-GE3 من Vishay من المخزون. يستخدم هذا المنتج تقنية TrenchFET® المتقدمة، ويدمج اثنين من MOSFETs من النوع N وثنائيات Schottky، ويتميز بجهد تصريف-مصدر يبلغ 30 فولت وقدرة تصريف تيار تبلغ 40/60 أمبير. يستخدم SIZF918DT-T1-GE3 حزمة 8-PowerPair® (6x5) المدمجة المناسبة للتطبيقات المقيدة بالمساحة.

هذا SIZF918DT-T1-GE3 يظهر MOSFET مقاومات منخفضة للغاية في الحالة المشغلة تبلغ 6.8mΩ و 2.7mΩ، مما يقلل بشكل كبير من خسائر التبديل والتوصيل. مع شحنة بوابة تبلغ 22/56nC، يدعم SIZF918DT-T1-GE3 ترددات تبديل عالية، مما يجعله خيارًا مثاليًا لإدارة الطاقة بكفاءة. يعمل SIZF918DT-T1-GE3 ضمن نطاق درجة حرارة من -55 درجة مئوية إلى 150 درجة مئوية، وهو مناسب للتطبيقات الصناعية.

SIZF918DT-T1-GE3 ميزات المنتج
يستخدم SIZF918DT-T1-GE3 تصميم بوابة على المستوى المنطقي، مما يسهل التفاعل المباشر مع المتحكمات الدقيقة ومعالجات الإشارات الرقمية. يشتمل كل SIZF918DT-T1-GE3 على اثنين من MOSFETs من النوع N المستقلين والمُكوّنين في طوبولوجيا نصف جسر، مما يجعله مناسبًا جدًا لتطبيقات التصحيح المتزامن ومحركات المحركات.

يقوم جهاز SIZF918DT-T1-GE3 هذا أيضًا بدمج صمام ثنائي حاجز Schottky، مما يوفر خصائص استرداد عكسي ممتازة تساعد في تخفيف ارتفاعات الجهد والتداخل الكهرومغناطيسي في مصادر طاقة التبديل. مع تبديد طاقة إجمالي يبلغ 26.6/50 واط، يحقق SIZF918DT-T1-GE3 توازنًا بين الأداء ومتطلبات الإدارة الحرارية. يستخدم SIZF918DT-T1-GE3 تقنية التركيب السطحي، مما يجعله مناسبًا لتجميع لوحات الدوائر المطبوعة الآلية.

مجالات التطبيق
يجد SIZF918DT-T1-GE3 تطبيقًا واسعًا عبر مجالات متعددة:
أنظمة إدارة الطاقة: بما في ذلك محولات DC-DC، ومصادر طاقة وضع التبديل، ووحدات تنظيم الجهد
إلكترونيات السيارات: مثل محركات المحركات، والتحكم في الإضاءة، وأنظمة توزيع الطاقة بجهد 12 فولت
الأتمتة الصناعية: مشغلات الترحيل، والتحكم في المحركات، ومفاتيح الطاقة
الإلكترونيات الاستهلاكية: إدارة الطاقة للهواتف الذكية والأجهزة اللوحية والأجهزة المحمولة

إن SIZF918DT-T1-GE3 مناسب بشكل خاص للتطبيقات التي تتطلب تحويل طاقة عالي الكفاءة، حيث تعمل مقاومته المنخفضة وخصائص التبديل السريع على تحسين كفاءة الطاقة الإجمالية للنظام بشكل كبير.

ضمان الجودة والتوافر
تضمن شركة Mingjiada Electronics أن كل SIZF918DT-T1-GE3 يتم توريده هو منتج أصلي وحقيقي. ننفذ بدقة إجراءات فحص الجودة، ونوفر ضمان جودة بنسبة 100٪ لـ SIZF918DT-T1-GE3.

حاليًا، يتوفر SIZF918DT-T1-GE3 بكميات كبيرة ومتاح للإرسال الفوري. نحن ندعم كل من المشتريات بكميات صغيرة وكبيرة، ونقدم حلول توريد مرنة لعملائنا. بالنسبة للعملاء ذوي المتطلبات العاجلة، يتأهل SIZF918DT-T1-GE3 لخدمة التوصيل السريع لدينا.

لماذا تختار شركة Mingjiada Electronics
بصفتها موردًا متمرسًا للمكونات الإلكترونية، تمتلك شركة Mingjiada Electronics خبرة صناعية واسعة وموارد سلسلة توريد قوية. نحن متخصصون في توفير حلول شراء المكونات الإلكترونية الشاملة، مما يضمن الإمداد المستقر لـ SIZF918DT-T1-GE3.

لمزيد من التفاصيل المتعلقة بـ SIZF918DT-T1-GE3 أو لطلب عينات، يرجى الاتصال بفريق المبيعات لدينا. تقف شركة Mingjiada Electronics كشريك مورد موثوق به لـ SIZF918DT-T1-GE3.

يمكنك الاتصال بشركة Mingjiada Electronics عبر القنوات التالية للحصول على أحدث عروض الأسعار والمواصفات التفصيلية:
جهة الاتصال: السيد تشين
الهاتف: +86 13410018555
البريد الإلكتروني: sales@hkmjd.com
الموقع الإلكتروني: www.integrated-ic.com
عنوان الشركة: الغرف 1239-1241، مبنى آسيا غولي الجديد، طريق تشنتشونغ، منطقة فوتيان، مدينة شنتشن، مقاطعة قوانغدونغ