مدونة الشركة حول Wolfspeed MOSFET من كربيد السيليكون المنفصل C3M0075120K 1200 فولت / 75 ملي أوم، وضع تعزيز القناة N

شنتشن مينغجيادا إلكترونيكس كو، المحدودة ️ إمدادات المصنع الأصلية من مخزون Wolfspeed الكربيد السيليكوني المنفصل (SiC) MOSFETC3M0075120K1200 فولت / 75 مΩ، وضع تعزيز القناة N

C3M0075120Kلمحة عامة عن المنتج
C3M0075120K هو MOSFET طاقة كربيد السيليكون (SiC) بنظام تعزيز قناة N من 1200 فولت ، 75 مΩ تم تطويره من قبل Wolfspeed.تستخدم تكنولوجيا SiC MOSFET من الجيل الثالث مع تصميم تعبئة محسّن يضم دبوس مصدر محرك مستقلهذا التصميم يمكّن C3M0075120K من الأداء بشكل استثنائي في تطبيقات الجهد العالي، مع توفير مقاومة منخفضة، وأداء التبديل عالية السرعة، والقدرة المنخفضة.

C3M0075120Kالخصائص
الجهد العالي والمقاومة المنخفضة: C3M0075120K لديه جهد مصدر الصرف من 1200V ومقاومة منخفضة تصل إلى 75mΩ ،تمكينها من الحفاظ على كفاءة عالية في تطبيقات الجهد العالي.
أداء التبديل عالية السرعة: يمتلك C3M0075120K قدرة التبديل عالية السرعة ، وخصائص السعة المنخفضة تمكنه من الأداء بشكل جيد بشكل استثنائي في تطبيقات التردد العالي.
ثنائي الأجسام السريعة: ثنائي الأجسام السريعة لديه شحنة استرداد عكسية منخفضة (Qrr) ، مما يقلل من خسائر التبديل.
موثوقية عالية: C3M0075120K متوافق مع معايير RoHS ، خالية من الهالوجين ، ومصممة لتحقيق موثوقية عالية ومتانة.
مزايا الحزمة: تستخدم C3M0075120K حزمة TO-247-4 مع مسافة الزحف 8 مم بين الصرف والصدر.هذا التصميم التغليف يعزز السلامة الكهربائية للمنتج والأداء الحراري.

C3M0075120Kالمواصفات
الجهد من مصدر الصرف (VDS): 1200V (Tc=25°C)
حد أقصى لجهد مصدر البوابة (VGS): -8V إلى + 19V (مرورية)
فولتاج البوابة المصدر التشغيلي (VGS): -4V / 15V (الستاتيكي)
التيار المستمر للتفريغ (ID): 31A (VGS=15V، Tc=25°C، Tj≤150°C)
التيار الكهربائي للنفض (IDM): 123A (VGS = 15V ، Tc = 25 °C)
تبديد الطاقة (PD): 114W (Tc=25°C، Tj=150°C)
درجة حرارة نقطة التقاط العمل ودرجة حرارة التخزين (Tj/Tstg): -55°C إلى +150°C
درجة حرارة اللحام (Tj): 260 درجة مئوية (متوافقة مع JEDEC J-STD-020)
عزم دوران التثبيت (M5): 1.8 إلى 2.5 N-m (باستخدام المسامير M3 أو 6-32)
مقاومة تشغيل مصدر الصرف (RDS ((on)): 75 mΩ إلى 90 mΩ (VGS = 15 V ، ID = 20 A ، Tj = 25 °C / 150 °C)
الجهد الحد الأدنى للبوابة (VGS ((th)): 1.8 V إلى 3.6 V (VS = VDS = 100 V ، T = 25 °C / 150 °C)

التطبيقات
C3M0075120Kمناسبة لمختلف التطبيقات عالية الجهد عالية الطاقة، بما في ذلك على سبيل المثال لا الحصر في المجالات التالية:
الطاقة المتجددة: مثل المحولات الشمسية وأنظمة تخزين الطاقة، والتي يمكن أن تحسن كفاءة تحويل النظام وكثافة الطاقة.
شاحنات بطاريات السيارات الكهربائية: تستخدم في شاحنات الطائرات وأنظمة الشحن السريع، تساعد أدائها في التبديل السريع على تحقيق شحن فعال.
محولات التيار المباشر عالية الجهد: في تطبيقات تحويل التيار المباشر عالية الجهد ، يمكن لـ C3M0075120K تقليل خسائر التبديل وتحسين كفاءة التحويل.
مصادر الطاقة ذات الوضع التبديلي: مناسبة لمختلف مصادر الطاقة ذات الوضع التبديلي ، مما يحسن كفاءة إمدادات الطاقة وكثافة الطاقة.
التدفئة والتبريد الصناعي: في أنظمة التدفئة والتبريد الصناعية ، يعزز C3M0075120K كفاءة النظام وموثوقيته.
التحكم في المحركات والتحريك: يستخدم في أنظمة محركات المحركات ، ويحسن أداء النظام الديناميكي وكفاءته.
لحام وتسخين الاستقبال: في تطبيقات الحام والسخانة الاستقبال ، يوفر C3M0075120K طاقة عالية.
إمدادات الطاقة المساعدة: في تطبيقات إمدادات الطاقة المساعدة مثل أنظمة تبريد مراكز البيانات ، يقلل C3M0075120K بشكل كبير من خسائر النظام.

مع أدائها المتميزة وتطبيق واسع النطاق،C3M0075120Kأصبح الخيار المثالي للعديد من التطبيقات عالية الجهد، عالية الطاقة.

كيفية الشراء؟
الهاتف: +86 13410018555 (السيد تشن)
البريد الإلكتروني: sales@hkmjd.com
الموقع:www.integrated-ic.com
العنوان: الغرفة 1239-1241، مبنى شينياجو غولي، شارع تشينجونغ، منطقة فوتيان، مدينة شنشن

(منججيادا إلكترونيكس) ، كموزع مُهني لقطع إلكترونية، تضمن صحة (سي 3 إم 0075120 كيه) ، تدعم كل من العينات الصغيرة والطلبات الكبيرة،و نرحب بالاسئلة!