|
تفاصيل المنتج:
|
| رقم الجزء: | SCT1000N170AG | إجمالي تبديد الطاقة عند TC = 25 درجة مئوية: | 96 واط |
|---|---|---|---|
| نطاق درجة حرارة التخزين: | -55 درجة مئوية إلى 200 درجة مئوية | تقاطع المقاومة الحرارية من حالة إلى أخرى: | 1.83 درجة مئوية / غرب |
| تقاطع المقاومة الحرارية مع المحيط: | 40 درجة مئوية / غرب | طَرد: | هيب 247 |
| إبراز: | قوة 1700 فولت موسفيت,7A كربيد السيليكون MOSFET,رقاقة الدوائر المتكاملة للسيارات |
||
هذا السيليكون كاربيد الطاقة MOSFET يتم إنتاجه استغلال التقدم، خصائص مبتكرة من مواد واسعة الفجوة.
رقم الجزء:
SCT1000N170AG
الجهد من مصدر الصرف:
1700 فولت
فولتاج البوابة المصدر:
-10 إلى 22 فولت
التدفق المستمر عند TC = 25 °C:
7A
التدفق المستمر عند TC = 100 °C:
5A
التدفق الحالي (المضغوط):
20A
رقم الجزء
الحزمة
IPDQ65R099CFD7
PG-HDSOP-22
IPDQ65R125CFD7
PG-HDSOP-22
IQE046N08LM5CG
PG-TTFN-9
BSC007N04LS6SC
PG-WSON-8
IPB050N10NF2S
PG-TO263-3
IRF150P220
PG-TO247-3
IRF150P221
PG-TO247-3
الـ IAUS200N08S5N023
PG-HSOG-8
IPA040N06NM5S
PG-TO220
IPA052N08NM5S
PG-TO220
الـ IAUC100N04S6N028
PG-TDSON-8
ISC088N08NM6
PG-TDSON-8
1ED3330MC12M
PG-DSO-16
2EDR3140XQE
PG-DSO-14
2ED2410-EM
PG-TSDSO-24
2EDN7533F
PG-DSO-8
2EDN8534F
PG-DSO-8
6EDL04N065PT
PG-DSO-28
TLE9180D-21QK
PG-LQFP-64
1EDI20I12AF
PG-DSO-8
2EDS7165H
PG-DSO-16
IDWD150G120C5
PG-TO247-2
IDWD75G120C5
PG-TO247-2
IDWD60G120C5
PG-TO247-2
IDWD50G120C5
PG-TO247-2
MRMS166R
الـ QFN
SCH16T-K20
الصفحة 24
PE24108A
الـ QFN
PE24110A
الـ QFN
PE25200A
الـ QFN
اتصل شخص: Sales Manager
الهاتف :: 86-13410018555
الفاكس: 86-0755-83957753