|
تفاصيل المنتج:
|
| رقم القطعة: | SCT070HU120G3AG | جهد مصدر الصرف: | 1200 فولت |
|---|---|---|---|
| تيار التصريف (نبضي): | 100 أ | تيار استنزاف جهد البوابة الصفرية (VGS = 0 V ، VDS = 1200 V) كحد أقصى: | 10µ أ |
| تيار تسرب جسم البوابة (VDS = 0V ، VGS = -10 إلى 22V) كحد أقصى: | ± 100 غ | التيار الأمامي المستمر للديود (TC = 25 درجة مئوية): | 30 أ |
SIC MOSFETs SCT070HU120G3AG SIC رقاقة الدائرة المتكاملة HU3PAK 1200V 63mΩ IC رقاقة
وصف المنتج منSSCT070HU120G3AG
SCT070HU120G3AG تم تطوير جهاز Power MOSFET من كربيد السيليكون باستخدام تقنية الجيل الثالث المتطورة والمبتكرة SiC MOSFET.
مواصفاتSCT070HU120G3AG
| رقم القطعة: | SCT070HU120G3AG | إجمالي تبديد الطاقة عند TC = 25 درجة مئوية: | 223 واط |
|---|---|---|---|
| مدى درجة حرارة التخزين: | -55 درجة مئوية إلى 175 درجة مئوية | المقاومة الحرارية ، مفرق إلى حالة: | 0.67 درجة مئوية / غرب |
| تقاطع المقاومة الحرارية إلى المحيط: | 50 درجة مئوية / غرب | طَرد: | HU3PAK |
ميزاترقاقة الدائرة المتكاملة SIC
تطبيقاتSCT070HU120G3AG
المكونات الإلكترونية الأخرى في المخزون
| رقم القطعة | طَرد |
| IRF1405 | TO-220 |
| IRF1407 | TO-220 |
| IRF1902 | SOP-8 |
| IRF2804 | TO-220 |
| IRF2807 | TO-220 |
| IRF2907 | TO-220 |
التعليمات
س: هل منتجاتك أصلية؟
ج: نعم ، جميع المنتجات أصلية ، الاستيراد الأصلي الجديد هو هدفنا.
س: ما هي الشهادات التي لديك؟
ج: نحن شركة حاصلة على شهادة ISO 9001: 2015 وعضو في ERAI.
س: هل يمكنك دعم طلب كمية صغيرة أو عينة؟ هل العينة مجانية؟
ج: نعم ، نحن نؤيد طلب العينة والنظام الصغير ، وتختلف تكلفة العينة وفقًا لطلبك أو مشروعك.
س: كيف أشحن طلبي؟هل هو آمن؟
ج: نستخدم الشحن السريع ، مثل DHL ، Fedex ، UPS ، TNT ، EMS. يمكننا أيضًا استخدام وكيل الشحن المقترح الخاص بك. ستكون المنتجات في تعبئة جيدة وضمان السلامة ونحن مسؤولون عن تلف المنتج لطلبك.
س: ماذا عن المهلة؟
ج: يمكننا شحن أجزاء المخزون في غضون 5 أيام عمل. إذا لم يكن هناك مخزون ، فسوف نؤكد لك المهلة الزمنية بناءً على كمية طلبك.
اتصل شخص: Sales Manager
الهاتف :: 86-13410018555
الفاكس: 86-0755-83957753
