|
تفاصيل المنتج:
|
| رقم القطعة: | SCT040W120G3AG | تبديد الطاقة (الحد الأقصى): | 312 واط |
|---|---|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.2 فولت @ 5 مللي أمبير | بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs: | 56 ن سي @ 18 فولت |
| تيار التصريف (نبضي): | 179 أ | سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds: | 1329 pF @ 800 فولت |
SIC رقاقة الدائرة المتكاملة SCT040W120G3AG كربيد السيليكون HiP247 الترانزستورات ذات فجوة الحزمة العريضة
وصف المنتج منSCT040W120G3AG
SCT040W120G3AG جهاز Power MOSFET من كربيد السيليكون.يتميز الجهاز بـ RDS (on) منخفض جدًا على نطاق درجة الحرارة بالكامل جنبًا إلى جنب مع السعات المنخفضة وعمليات التحويل العالية جدًا ، مما يحسن أداء التطبيق في التردد وكفاءة الطاقة وحجم النظام وتقليل الوزن.
مواصفاتSCT040W120G3AG
| رقم القطعة: | SCT040W120G3AG | نوع FET: | قناة N |
|---|---|---|---|
| استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): | 1200 فولت | الحالي - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: | 40 أمبير (ح) |
| محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): | 18 فولت | Rds On (Max) @ Id، Vgs: | 54mOhm @ 16A ، 18V |
مخطط الحزمة منSCT040W120G3AG
المكونات الإلكترونية الأخرى في المخزون
| رقم القطعة | طَرد |
| IRFU9N20 | TO-251 |
| IRFZ44 | TO-263 |
| IRG4BC15 | TO-263 |
| IRG4BC20 | TO-220 |
| IRG4BC30 | TO-220 |
| IRG4IBC10 | TO-220F |
التعليمات
س: هل منتجاتك أصلية؟
ج: نعم ، جميع المنتجات أصلية ، الاستيراد الأصلي الجديد هو هدفنا.
س: ما هي الشهادات التي لديك؟
ج: نحن شركة حاصلة على شهادة ISO 9001: 2015 وعضو في ERAI.
س: هل يمكنك دعم طلب كمية صغيرة أو عينة؟ هل العينة مجانية؟
ج: نعم ، نحن نؤيد طلب العينة والنظام الصغير ، وتختلف تكلفة العينة وفقًا لطلبك أو مشروعك.
س: كيف أشحن طلبي؟هل هو آمن؟
ج: نستخدم الشحن السريع ، مثل DHL ، Fedex ، UPS ، TNT ، EMS. يمكننا أيضًا استخدام وكيل الشحن المقترح الخاص بك. ستكون المنتجات في تعبئة جيدة وضمان السلامة ونحن مسؤولون عن تلف المنتج لطلبك.
س: ماذا عن المهلة؟
ج: يمكننا شحن أجزاء المخزون في غضون 5 أيام عمل. إذا لم يكن هناك مخزون ، فسوف نؤكد لك المهلة الزمنية بناءً على كمية طلبك.
اتصل شخص: Sales Manager
الهاتف :: 86-13410018555
الفاكس: 86-0755-83957753
