|
تفاصيل المنتج:
|
| رقم القطعة: | MT53E512M32D1ZW-046 AIT: ب | تردد الساعة: | 2.133 جيجاهرتز |
|---|---|---|---|
| اكتب Cycle Time - Word ، Page: | 18ns | وقت الوصول: | 3.5 نانوثانية |
| الجهد - الإمدادات: | 1.06 فولت ~ 1.17 فولت | درجة حرارة العمل: | -40 درجة مئوية ~ 95 درجة مئوية (ح) |
IC الذاكرة MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B 200-TFBGA سطح الحاجز
وصف المنتجMT3الشركة الوطنية
MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B هو ذاكرة الديناميكية عالية السرعة للوصول العشوائي تم تكوينها داخلياً كـ 8 بنوك DRAM لتكوين x16 وكـ 16 بنوك DRAM لتكوين x4 و x8.
مواصفاتMT3الشركة الوطنية
|
رقم الجزء: |
MT3الشركة الوطنية |
نوع الذاكرة: |
متطايرة |
|---|---|---|---|
|
تنسيق الذاكرة: |
الـ DRAM |
التكنولوجيا |
SDRAM - LPDDR4X المحمول |
|
حجم الذاكرة: |
16Gbit |
منظمة الذاكرة: |
512M × 32 |
الخصائصمن MT53E512M32D1ZW-046 AIT:
يزيد من عرض النطاق الترددي بنسبة تصل إلى 50٪ على DDR3
انخفاض فولت 1.2 فولت من التيار الكهربائي (النواة و I / O) يقلل من الطلب على طاقة الذاكرة
أنواع منتجات التوريد الأخرى
|
رقم الجزء |
الحزمة |
|
C8051F330 |
QFN20 |
|
C8051F336 |
QFN20 |
|
C8051F390 |
QFN24 |
|
C8051F396 |
QFN20 |
|
C8051F411 |
QFN32 |
|
C8051F850 |
QFN-20 |
الأسئلة الشائعة
س: هل منتجاتك أصلية؟
ج: نعم، جميع المنتجات هي الأصلية، جديدة الأصلية الاستيراد هو هدفنا.
س: ما هي الشهادات التي لديك؟
ج: نحن شركة معتمدة من منظمة الأيزو 9001: 2015 وعضو في ERAI.
س: هل يمكنك دعم طلب كمية صغيرة أو عينة؟ هل العينة مجانية؟
ج: نعم،نحن ندعم طلبات العينات والطلبات الصغيرة. تكلفة العينة مختلفة حسب طلبك أو مشروعك.
س: كيف أُرسل طلبي؟ هل هو آمن؟
ج: نحن نستخدم السريع للشحن، مثل DHL،Fedex،UPS،TNT،EMS.سوف تكون المنتجات في حزمة جيدة وضمان السلامة ونحن مسؤولون عن تلف المنتج لطلبك.
س: ماذا عن الوقت المحدد؟
ج: يمكننا شحن قطع الغيار الموجودة في غضون 5 أيام عمل. إذا لم يكن هناك مخزون، فسوف نؤكد الوقت المحدد لك بناءً على كمية طلبك.
اتصل شخص: Sales Manager
الهاتف :: 86-13410018555
الفاكس: 86-0755-83957753
