|
تفاصيل المنتج:
|
| رقم القطعة: | S80KS5122GABHA023 | واجهة الذاكرة: | هايبر باص |
|---|---|---|---|
| تردد الساعة: | 200 ميغاهرتز | اكتب Cycle Time - Word ، Page: | 35ns |
| وقت الوصول: | 35 نانوثانية | الحزمة / الحقيبة: | 24-VBGA |
| إبراز: | S80KS5122GABHA023 IC Chip,شريحة ذاكرة DRAM المتكاملة,S80KS5122GABHA023 |
||
رقاقة الدوائر المتكاملة S80KS5122GABHA023 ذاكرة DRAM 512Mb مع واجهة HYPERBUS
وصف المنتج من S80KS5122GABHA023
S80KS5122GABHA023 HYPERRAMTM 2.0 الذاكرة هي عالية السرعة، منخفضة عدد الدبوس،ذاكرة الذاكرة الديناميكية (DRAM) ذاتية التحديث منخفضة الطاقة للأنظمة المدمجة عالية الأداء التي تتطلب ذاكرة التوسيع لأغراض scratchpad أو buffering.
مواصفات S80KS5122GABHA023
| رقم الجزء: | S80KS5122GABHA023 | فئة المنتج: | الـ DRAM |
|---|---|---|---|
| التكنولوجيا | PSRAM (SRAM الزائفة) | حجم الذاكرة: | 512Mbit |
| منظمة الذاكرة: | 64M × 8 | حزمة الجهاز من المورد: | 24-FBGA (6x8) |
خصائص S80KS5122GABHA023
تطبيقات S80KS5122GABHA023
مخطط الكتل المنطقية من S80KS5122GABHA023
أنواع منتجات التوريد الأخرى
| رقم الجزء | الحزمة |
| 3296W-1-502LF | DIP |
| BQ25101YFPR | DSBGA6 |
| S9S12G48F0CLF | QFP48 |
| SSL2103T | SOP14 |
| BTS5016SDA | TO-252-5 |
| FF900R12IP4 | وحدة |
الأسئلة الشائعة
س: هل منتجاتك أصلية؟
ج: نعم، جميع المنتجات هي الأصلية، جديدة الأصلية الاستيراد هو هدفنا.
س: ما هي الشهادات التي لديك؟
ج: نحن شركة معتمدة من منظمة الأيزو 9001: 2015 وعضو في ERAI.
س: هل يمكنك دعم طلب كمية صغيرة أو عينة؟ هل العينة مجانية؟
ج: نعم،نحن ندعم طلبات العينات والطلبات الصغيرة. تكلفة العينة مختلفة حسب طلبك أو مشروعك.
س: كيف أُرسل طلبي؟ هل هو آمن؟
ج: نحن نستخدم السريع للشحن، مثل DHL،Fedex،UPS،TNT،EMS.سوف تكون المنتجات في حزمة جيدة وضمان السلامة ونحن مسؤولون عن تلف المنتج لطلبك.
س: ماذا عن الوقت المحدد؟
ج: يمكننا شحن قطع الغيار الموجودة في غضون 5 أيام عمل. إذا لم يكن هناك مخزون، فسوف نؤكد الوقت المحدد لك بناءً على كمية طلبك.
اتصل شخص: Sales Manager
الهاتف :: 86-13410018555
الفاكس: 86-0755-83957753
