|
تفاصيل المنتج:
|
| رقم القطعة: | S27KL0642GABHI033 | واجهات: | هايبر باص |
|---|---|---|---|
| الطاقة العميقة لأسفل (CS # = VCC = 2.0 فولت ، 105 درجة مئوية): | 12 | الطاقة العميقة لأسفل (CS # = VCC = 3.6 فولت ، 105 درجة مئوية): | 15 |
| وقت الوصول: | 35 نانوثانية | قراءة أو كتابة الاندفاع (انفجار خطي عند 200 ميجاهرتز ، 3.0 فولت): | 30 مللي أمبير |
| إبراز: | S27KL0642GABHI033,S27KL0642GABHI033 IC Chips,FBGA24 SRAM IC |
||
شريحة ذاكرة IC S27KL0642GABHI033 شريحة ذاكرة SRAM الزائفة IC 200MHz FBGA24 IC
وصف المنتجS27KL0642GABHI033
S27KL0642GABHI033 e هي وحدة CMOS عالية السرعة ، و DRAM ذاتية التحديث ، مع واجهة HYPERBUS TM. تستخدم مجموعة DRAM خلايا ديناميكية تتطلب تحديثًا دوريًا.
مواصفاتS27KL0642GABHI033
| رقم الجزء | S27KL0642GABHI033 |
|
الجهد - الإمدادات
|
2.7 فولت ~ 3.6 فولت
|
|
درجة حرارة العمل
|
-40°C ~ 85°C (TA)
|
|
نوع التثبيت
|
جبل السطح
|
|
الحزمة / الحقيبة
|
24-VBGA
|
|
حزمة أجهزة المورد
|
24-FBGA (6x8)
|
مخطط للكتل المنطقيةS27KL0642GABHI033
مكونات إلكترونية أخرى في المخزون
| رقم الجزء | الحزمة |
| CAT24C128YI | TSSOP8 |
| MKL03Z32VFK4 | QFN24 |
| USB3320C | QFN32 |
| TB6633AFNG | SSOP24 |
| MC9S08QA2CFQE | QFN8 |
| XC7A200T-2FFG1156C | BGA1156 |
الأسئلة الشائعة
س: هل منتجاتك أصلية؟
ج: نعم، جميع المنتجات هي الأصلية، جديدة الأصلية الاستيراد هو هدفنا.
س: ما هي الشهادات التي لديك؟
ج: نحن شركة معتمدة من منظمة الأيزو 9001: 2015 وعضو في ERAI.
س: هل يمكنك دعم طلب كمية صغيرة أو عينة؟ هل العينة مجانية؟
ج: نعم،نحن ندعم طلبات العينات والطلبات الصغيرة. تكلفة العينة مختلفة حسب طلبك أو مشروعك.
س: كيف أُرسل طلبي؟ هل هو آمن؟
ج: نحن نستخدم السريع للشحن، مثل DHL،Fedex،UPS،TNT،EMS.سوف تكون المنتجات في حزمة جيدة وضمان السلامة ونحن مسؤولون عن تلف المنتج لطلبك.
س: ماذا عن الوقت المحدد؟
ج: يمكننا شحن قطع الغيار الموجودة في غضون 5 أيام عمل. إذا لم يكن هناك مخزون، فسوف نؤكد الوقت المحدد لك بناءً على كمية طلبك.
اتصل شخص: Sales Manager
الهاتف :: 86-13410018555
الفاكس: 86-0755-83957753
