|
تفاصيل المنتج:
|
| رقم القطعة: | S70KS1282GABHV020 | العرض الحالي - ماكس: | 60 مللي أمبير |
|---|---|---|---|
| وقت الوصول: | 35 نانوثانية | منظمة: | 16 م × 8 |
| أقصى تردد على مدار الساعة: | 200 ميغاهرتز | أسلوب التركيب: | SMD / SMT |
| إبراز: | S70KS1282GABHV020,دائرة متكاملة لذاكرة PSRAM,رقائق ذاكرة PSRAM بسعة 128 ميجابت |
||
رقاقة دارة متكاملة S70KS1282GABHV020128Mbit رقائق ذاكرة PSRAM 24-FBGA
وصف المنتج منS70KS1282GABHV020
S70KS1282GABHV020 128 ميجا بايت HYPERRAM ™ عبارة عن شريحة قوالب مكدسة تستخدم نرد 64 ميجا بايت.يمكن برمجة يموت واحد فقط في كل مرة للدخول في وضع السكون الهجين أو وضع خفض الطاقة العميق.
مواصفاتS70KS1282GABHV020
| رقم القطعة | S70KS1282GABHV020 |
|
تكنولوجيا
|
PSRAM (Pseudo SRAM)
|
|
حجم الذاكرة
|
128 ميجابت
|
|
منظمة الذاكرة
|
16 م × 8
|
|
واجهة الذاكرة
|
هايبر باص
|
|
تردد الساعة
|
200 ميغا هيرتز
|
|
اكتب Cycle Time - Word ، Page
|
35ns
|
|
وقت الوصول
|
35 نانوثانية
|
|
الجهد - العرض
|
1.7 فولت ~ 2 فولت
|
|
درجة حرارة التشغيل
|
-40 درجة مئوية ~ 105 درجة مئوية (تا)
|
ميزاتS70KS1282GABHV020
المكونات الإلكترونية الأخرى في المخزون
| رقم القطعة | طَرد |
| S29PL032J55BFI12 | BGA48 |
| W972GG8KB25I | بغا |
| CSD97396Q4M | VSON8 |
| CR1510-06 | SOP-7 |
| DS34T104GN | BGA484 |
| AD8475ARMZ | MSOP10 |
التعليمات
س: هل منتجاتك أصلية؟
ج: نعم ، جميع المنتجات أصلية ، الاستيراد الأصلي الجديد هو هدفنا.
س: ما هي الشهادات التي لديك؟
ج: نحن شركة حاصلة على شهادة ISO 9001: 2015 وعضو في ERAI.
س: هل يمكنك دعم طلب كمية صغيرة أو عينة؟ هل العينة مجانية؟
ج: نعم ، نحن نؤيد طلب العينة والنظام الصغير ، وتختلف تكلفة العينة وفقًا لطلبك أو مشروعك.
س: كيف أشحن طلبي؟هل هو آمن؟
ج: نستخدم الشحن السريع ، مثل DHL ، Fedex ، UPS ، TNT ، EMS. يمكننا أيضًا استخدام وكيل الشحن المقترح الخاص بك. ستكون المنتجات في تعبئة جيدة وضمان السلامة ونحن مسؤولون عن تلف المنتج لطلبك.
س: ماذا عن المهلة؟
ج: يمكننا شحن أجزاء المخزون في غضون 5 أيام عمل. إذا لم يكن هناك مخزون ، فسوف نؤكد لك المهلة الزمنية بناءً على كمية طلبك.
اتصل شخص: Sales Manager
الهاتف :: 86-13410018555
الفاكس: 86-0755-83957753
