|
تفاصيل المنتج:
|
| رقم القطعة: | SCTWA50N120 | Rds On - مقاومة مصدر الصرف: | 52 مللي أوم |
|---|---|---|---|
| Vgs - جهد مصدر البوابة: | - 10 فولت ، + 25 فولت | Vgs - جهد عتبة مصدر البوابة: | 1.8 فولت |
| Qg - رسوم البوابة: | 122 ن | Pd - تبديد القوة: | 318 وات |
1200V MOSFET SCTWA50N120 N- قناة كربيد السيليكون موسفيت من خلال ثقب HiP247
وصف المنتج من SCTWA50N120
SCTWA50N120 كربيد السيليكون Power MOSFET 1200 فولت ، 65 أمبير ، 59 متر مكعب (النوع ، TJ = 150 درجة مئوية) في حزمة خيوط طويلة ™ HiP247.
مواصفات SCTWA50N120
| رقم القطعة: | SCTWA50N120 | نوع FET: | قناة N |
|---|---|---|---|
| تكنولوجيا: | SiCFET (كربيد السيليكون) | استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): | 1200 فولت |
| الحالي - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: | 65 أمبير (ح) | محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): | 20 فولت |
ميزات SCTWA50N120
تطبيقات SCTWA50N120
أنواع منتجات التوريد الأخرى
| رقم القطعة | طَرد |
| A4970GLBTR | معيار التشغيل المعياري 24 |
| 88E1310 | QFN48 |
| A4980KLPTR | HTSSOP-28 |
| EFM32GG290F1024G | 112 بغا |
| EN2340QI | QFN68 |
| EN5337QI | QFN38 |
التعليمات
س: هل منتجاتك أصلية؟
ج: نعم ، جميع المنتجات أصلية ، الاستيراد الأصلي الجديد هو هدفنا.
س: ما هي الشهادات التي لديك؟
ج: نحن شركة حاصلة على شهادة ISO 9001: 2015 وعضو في ERAI.
س: هل يمكنك دعم طلب كمية صغيرة أو عينة؟ هل العينة مجانية؟
ج: نعم ، نحن نؤيد طلب العينة والنظام الصغير ، وتختلف تكلفة العينة وفقًا لطلبك أو مشروعك.
س: كيف أشحن طلبي؟هل هو آمن؟
ج: نستخدم الشحن السريع ، مثل DHL ، Fedex ، UPS ، TNT ، EMS. يمكننا أيضًا استخدام وكيل الشحن المقترح الخاص بك. ستكون المنتجات في تعبئة جيدة وضمان السلامة ونحن مسؤولون عن تلف المنتج لطلبك.
س: ماذا عن المهلة؟
ج: يمكننا شحن أجزاء المخزون في غضون 5 أيام عمل. إذا لم يكن هناك مخزون ، فسوف نؤكد لك المهلة الزمنية بناءً على كمية طلبك.
اتصل شخص: Sales Manager
الهاتف :: 86-13410018555
الفاكس: 86-0755-83957753
