|
|
تفاصيل المنتج:
|
| رقم الجزء: | IMT65R057M1H | Vds: | 650 v |
|---|---|---|---|
| RDS: | 57 متر مكعب | درجة حرارة التشغيل: | -55 درجة مئوية ~ 175 درجة مئوية |
شريحة IMT65R057M1H CoolSIC™ MOSFET بقدرة 650 فولت و 57 ميجا أوم في عبوة TOLL تستفيد من نقاط قوة تقنية Infineon SiC لتمكين تصميمات ذات كثافة أعلى وعمليات تبديل بتردد أعلى. يسمح عامل الشكل الصغير والطفيليات المنخفضة لـ TOLL بالاستخدام الفعال والفعال لمساحة اللوحة وكذلك لقيادة MOSFET بترددات أعلى، مما يحقق كثافة طاقة أعلى.
عرض CoolSIC™ MOSFET بقدرة 650 فولت و 57 ميجا أوم في عبوة TOLL يُستكمل بتوفر TOLL أيضًا لـ CoolMOS™ و CoolGaN™، مما يجعله خيارًا جذابًا من محطة واحدة لأنظمة مختلفة. يقلل تقليل المقاومة الحرارية مقارنة بـ D²PAK، جنبًا إلى جنب مع موصل .XT المبتكر، من المنتج الذي تبلغ مقاومته 57 ميجا أوم مناسبًا للأنظمة ذات الطاقة العالية إلى المتوسطة، مع أهداف كفاءة عالية.
إنه يتناسب بشكل مثالي مع طوبولوجيا Totem Pole PFC الناشئة في أنظمة الطاقة العالية إلى المتوسطة. كما أنه يمكّن من تحقيق كفاءة وكثافة عالية في مراحل DC-DC و AC-DC لأنظمة الطاقة العالية إلى المتوسطة. كما أنه يستخدم بنجاح في الطوبولوجيات المتداخلة لمعالجة أهداف الكفاءة العالية في أنظمة الطاقة العالية.
| رقم القطعة | الحزمة |
|---|---|
| LP5811AYBHR | 12-DSBGA |
| LP5868TRKPR | 40-VQFN |
| MCS1802GS-05 | 8-SOIC |
| MCS1806GS-3-40 | 8-SOIC |
| MCS1801GS-12 | 8-SOIC |
| MCS1803GS-10 | 8-SOIC |
| MCS1802GS-50 | 8-SOIC |
| MCS1801GS-25 | 8-SOIC |
| MCS1800GS-25 | 8-SOIC |
| MCS1800GS-12 | 8-SOIC |
| MCS1802GS-40 | 8-SOIC |
| MCS1803GS-50 | 8-SOIC |
| MCS1803GS-20 | 8-SOIC |
| MCS1803GS-05 | 8-SOIC |
| MCS1802GS-30 | 8-SOIC |
| MCS1802GS-20 | 8-SOIC |
| MCS1806GS-5-30 | 8-SOIC |
| MCS1806GS-3-30 | 8-SOIC |
| MCS1806GS-5-05 | 8-SOIC |
| MCS1806GS-3-20 | 8-SOIC |
| MCS1806GS-3-05 | 8-SOIC |
| MCS1806GS-3-10 | 8-SOIC |
| MCS1806GS-5-50 | 8-SOIC |
| MCS1803GS-30 | 8-SOIC |
| MCS1802GS-10 | 8-SOIC |
| MCS1806GS-5-10 | 8-SOIC |
| MA730GQ | 16-QFN |
| MA732GQ | 16-QFN |
| MA330GQ | 16-QFN |
| MP6507GF | 16-TSSOP-EP |
اتصل شخص: Sales Manager
الهاتف :: 86-13410018555
الفاكس: 86-0755-83957753
Arabic
