|
تفاصيل المنتج:
|
| رقم الجزء: | UCC27710DR | التكوين مدفوعة: | نصف الجسر |
|---|---|---|---|
| الجهد - العرض: | 10 فولت ~ 20 فولت | الجهد المنطقي - VIL ، VIH: | 1.5 فولت، 1.6 فولت |
| التيار - ذروة الإخراج (المصدر ، المغسلة): | 500 مللي أمبير، 1 أمبير | الجهد الجانبي العالي - الحد الأقصى (التمهيد): | 600 فولت |
| إبراز: | 620 فولت محرك بوابة الجانب العالي,1A محرك بوابة التيار المغلق,حزمة SOIC-8 سائق نصف الجسر |
||
| المعلم | القيمة |
|---|---|
| رقم الجزء | UCC27710DR |
| نوع المنتج | IGBT، MOSFET مدفعي البوابة |
| التكوين | الجانب العالي، الجانب المنخفض |
| أسلوب التثبيت | SMD/SMT |
| الحزمة | المواصفات |
| عدد السائقين | 2 السائق |
| عدد المخرجات | 2 الناتج |
| تيار الخروج | 1 أ |
| نطاق فولتاج الإمداد | 10 فولت - 22 فولت |
| وقت النهوض | 35 ثانية |
| وقت الخريف | 16 ns |
| درجة حرارة العمل | -40°C إلى +125°C |
| نوع المنطق | CMOS، TTL |
| تأخير الانتشار | 190 ns (ماكس) |
| رقم الجزء | الحزمة |
|---|---|
| MAX77950EWW | 54-WLP |
| TPS53832ARWZR | 35-VQFN-HR |
| TPS53830ARWZR | 35-VQFN-HR |
| LP87745101RXVRQ1 | 28-VQFN-HR |
| XDP710001XUMA1 | 29-VQFN |
| TPS65035000RZDRQ1 | 22-WQFN-FCRLF |
| TPS6594133ARWERQ1 | 56-VQFNP |
| LP875651RNFRQ1 | 26-VQFN-HR |
| TPS65033000RGERQ1 | 24-VFQFN |
| LP877451A1RXVRQ1 | 28-VQFN-HR |
| LM74720QDRRRQ1 | 12-WSON |
| MAX77654AENV | 30-WLP |
اتصل شخص: Sales Manager
الهاتف :: 86-13410018555
الفاكس: 86-0755-83957753
Arabic
