|
تفاصيل المنتج:
|
| رقم الجزء: | AON7934 | تكنولوجيا: | MOSFET (أكسيد المعادن) |
|---|---|---|---|
| إعدادات: | 2 N- قناة (مزدوج) | ميزة FET: | بوابة المستوى المنطقي |
| استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): | 30 فولت | التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: | 13A ، 15A |
| إبراز: | MOSFET مزدوج من النوع N,30 فولت,ترانزستورات MOSFET غير متماثلة,شريحة الدائرة المتكاملة AON7934,AON7934 integrated circuit chip |
||
AON7934 هي ترانزستورات MOSFET مزدوجة غير متماثلة 30 فولت.
| التكنولوجيا | MOSFET (أكسيد المعادن) |
|---|---|
| التكوين | 2 قناة N (مزدوجة) |
| ميزة FET | بوابة المستوى المنطقي |
| فولتاج الصرف إلى المصدر (Vdss) | 30 فولت |
| التيار - التخلص المستمر (Id) @ 25°C | 13A، 15A |
| Rds On (Max) @ Id، Vgs | 10.2mOhm @ 13A ، 10V |
| Vgs(th) (ماكس) @ Id | 2.2 فولت @ 250μA |
| شحنة البوابة (Qg) (ماكس) @ Vgs | 11nC @ 10V |
| سعة الدخول (Ciss) (ماكس) @ Vds | 485pF @ 15V |
| الطاقة - ماكس | 2.5W |
| درجة حرارة العمل | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| رقم الجزء | الحزمة |
|---|---|
| LMK61E0-050M00SIAR | QFM-6 |
| TPL5010QDDCRQ1 | SOT-23-6 |
| LMK60E0-156257SIAR | QFM-6 |
| LMK61E2-125M00SIAR | QFM-6 |
| F28P659DK8PTPQ1 | HLQFP-176 |
| F28P659DK8PZPQ1 | HTQFP-100 |
| F28P659DK8ZEJQ1 | NFBGA-256 |
| F28P659DK8ZEJRQ1 | NFBGA-256 |
| إد سي 12 دي إل 500 إيه سي إف | FCBGA-256 |
| إد سي 12 دي إل 2500 أيه سي إف | FCBGA-256 |
| إد سي 12 دي إل 1500 أيه سي إف | FCBGA-256 |
| ADS1288IRHBR | VQFN-32 |
| AFE78101RRUR | UQFN-24 |
| AFE781H1RRR | UQFN-24 |
| AFE78201RRUR | UQFN-24 |
| AFE782H1RRR | UQFN-24 |
| ADS9227RHAT | VQFN-40 |
| ADC3910D125IRSMR | VQFN-32 |
| REF54250CDR | 8-SOIC |
| TDP2004IRNQR | 40-WQFN |
| DAC81401PWR | 20-TSSOP |
| ADS9817RSHR | 56-VQFN |
| DAC39RFS12ACK | 256-FCBGA |
| DAC39RF10EFACK | 256-FCBGA |
| DAC39RF12ACK | 256-FCBGA |
| DAC39RFS10EFACK | 256-FCBGA |
| DRV8242HQRHLRQ1 | 20-VQFN |
| TM4C123BH6NMRIR | NFBGA-157 |
| TM4C123GH6NMRIR | NFBGA-157 |
| F2800152QRHBRQ1 | VQFN-32 |
اتصل شخص: Sales Manager
الهاتف :: 86-13410018555
الفاكس: 86-0755-83957753
