|
تفاصيل المنتج:
|
| رقم الجزء: | ISC024N08NM7 | قطبية الترانزستور:: | قناة ن |
|---|---|---|---|
| عدد القنوات:: | 1 قناة | Vds - جهد انهيار مصدر التصريف:: | 80 فولت |
| المعرف - تيار التصريف المستمر:: | 167 أ | الطرق على - مقاومة مصدر التصريف:: | 2.4 مللي أوم |
| إبراز: | قوة مقاومة لمصدر التصريف 2.4mΩ MOSFET,رقاقة دائرة متكاملة لجهد استنزاف مصدر التصريف 80 فولت,167A تيار التصريف المستمر OptiMOS™ 7,80V Drain-Source Breakdown Voltage Integrated Circuit Chip,167A Continuous Drain Current OptiMOS™ 7 |
||
| المعلم | القيمة |
|---|---|
| نوع FET | قناة N |
| التكنولوجيا | MOSFET (أكسيد المعادن) |
| فولتاج الصرف إلى المصدر (Vdss) | 80 فولت |
| التيار - التخلص المستمر (Id) @ 25°C | 24A (Ta) ، 167A (Tc) |
| تشغيل الجهد (ماكس Rds ON، Min Rds ON) | 7 فولت، 10 فولت |
| Rds On (Max) @ Id، Vgs | 2.4mOhm @ 50A ، 10V |
| شحنة البوابة (Qg) (ماكس) @ Vgs | 64 nC @ 10 فولت |
| Vgs (ماكس) | ± 20 فولت |
| سعة الدخول (Ciss) (ماكس) @ Vds | 4600 pF @ 40 فولت |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 3W (Ta) ، 150W (Tc) |
| درجة حرارة العمل | -55°C ~ 175°C |
| رقم الجزء | الحزمة |
|---|---|
| DF900R12IP4DPB60 | وحدة |
| FF900R17ME7WB11 | وحدة |
| ASP2100MNTXG | QFN-56 |
| NCP1343FNAAABCD1R2G | 10-SOP |
| NCP81520RMNTXG | QFN-52 |
| NCP81523MNTXG | 52-VFQFN |
| NCP13992AKDR2G | 16-SOIC |
| NCP13992ANDR2G | 16-SOIC |
| NCP13992CADR2G | 16-SOIC |
| ASP2100RMNTXG | QFN-56 |
| NCP81520MNTXG | 48-VFQFN |
| NCP81283MNTXG | QFN-40 |
| NCV21914DTBR2G | 14-TSSOP |
| NCV20072DMR2G | 8-MSOP |
| NCP45780IMN24RTWG | 12-DFN |
| NIV3071MTW3TWG | 16-WQFN |
| NIS3071MT4TWG | 16-WQFN |
| NIS3071MT3TWG | 16-WQFN |
| NIV3071MTW4TWG | 16-WQFN |
| SNXH75M65L3F2STG | وحدة |
| FPF2188UCX | WLCSP-6 |
| NFAQ1060L36T | 38-PowerDIP |
| NFAM3512L7B | 39-PowerDIP |
| NFAM2512L7B | 39-PowerDIP |
| NXH350N100H4Q2F2S1G-R | وحدة |
| NXH350N100H4Q2F2P1G-R | وحدة |
| NFAM1512L7B | 39-PowerDIP |
| NXH450B100H4Q2F2PG-R | وحدة |
| NXH300N95H4Q2F2SG | وحدة |
| NXH200B100H4F2SG-R | وحدة |
اتصل شخص: Sales Manager
الهاتف :: 86-13410018555
الفاكس: 86-0755-83957753
Arabic
