شريحة دائرة متكاملة IMT65R075M2H من نوع CoolSiC™ MOSFETs من كربيد السيليكون بقدرة 650 فولت، منفصلة

Name: شريحة دائرة متكاملة IMT65R075M2H من نوع CoolSiC™ MOSFETs من كربيد السيليكون بقدرة 650 فولت، منفصلة
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: IMT65R075M2H
Price: قابل للتفاوض USD
Availability: InStock

جميع المنتجات

رقاقة دارة متكاملة
(28880)

BT IC
(577)

وحدات السيارات IGBT
(2395)

متحكم MCU
(16987)

GaN IC
(321)

رقاقة معالج الذكاء الاصطناعي
(1353)

مصفوفة البوابة القابلة للبرمجة الميدانية
(7070)

إيثرنت IC
(1207)

موصلات
(3704)

شريحة ذاكرة IC
(2917)

مستشعر IC
(3215)

شريحة إنترنت الأشياء
(267)

وحدة 5G
(160)

شريحة واي فاي
(201)

اي فون IC رقاقة
(54)

وحدة الاتصال اللاسلكي
(3882)

ترموستات متحكم في درجة الحرارة
(11)

الحلول المدمجة
(10028)

أفضل المنتجات

رقاقة الدوائر المتكاملة CYPD6227-96BZXI

MC33984CHFKR2 رقاقة الدوائر المتكاملة

MCZ33905DD5EKR2 نظام رقاقة الدوائر المتكاملة

شهادة

الصين ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. الشهادات

زبون مراجعة

تم شحنه بسرعة كبيرة ، وكان مفيدًا جدًا ، جديد وأصلي ， سأوصي به بشدة.

—— نيشيكاوا من اليابان

خدمة احترافية وسريعة ، أسعار مقبولة للبضائع.اتصال ممتاز ، المنتج كما هو متوقع.أوصي بشدة بهذا المورد.

—— لويس من الولايات المتحدة

الجودة العالية والأداء الموثوق به: "المكونات الإلكترونية التي تلقيناها من [ShenZhen Mingjiada Electronics Co.، Ltd.] ذات جودة عالية وأظهرت أداءً موثوقًا في أجهزتنا".

—— ريتشارد من ألمانيا

الأسعار التنافسية: الأسعار المقدمة من قبل تنافسية جدا، مما يجعلها خيار ممتاز لاحتياجات المشتريات لدينا.

—— تيم من ماليزيا

خدمة العملاء المقدمة من قبل ممتازة. هم دائما استجابة ومساعدة، وضمان احتياجاتنا تلبية على وجه السرعة.

—— فنسنت من روسيا

أسعار رائعة، تسليم سريع، وخدمة عملاء من الدرجة الأولى

—— نيشيكاوا من اليابان

مكونات موثوقة، شحن سريع، ودعم ممتاز.

—— سام من الولايات المتحدة

قطع الغيار عالية الجودة وعملية طلب سلسة أوصي بشدة بشينتشن مينغجيادا إلكترونيكس كو، ليتد لأي مشروع إلكتروني

—— لينا من ألمانيا

ابن دردش الآن

شريحة دائرة متكاملة IMT65R075M2H من نوع CoolSiC™ MOSFETs من كربيد السيليكون بقدرة 650 فولت، منفصلة

صورة كبيرة : شريحة دائرة متكاملة IMT65R075M2H من نوع CoolSiC™ MOSFETs من كربيد السيليكون بقدرة 650 فولت، منفصلة

تفاصيل المنتج:

مكان المنشأ:	CN
اسم العلامة التجارية:	Original Factory
إصدار الشهادات:	Lead free / RoHS Compliant
رقم الموديل:	IMT65R075M2H

شروط الدفع والشحن:

الحد الأدنى لكمية:	10
الأسعار:	Contact for Sample
تفاصيل التغليف:	الحزمة القياسية
وقت التسليم:	3-5 أيام عمل
شروط الدفع:	تي/تي
القدرة على العرض:	10000 قطعة يوميا

اتصل

شريحة دائرة متكاملة IMT65R075M2H من نوع CoolSiC™ MOSFETs من كربيد السيليكون بقدرة 650 فولت، منفصلة

الوصف

إبراز:

شريحة دائرة متكاملة IMT65R075M2H

IMT65R075M2H

شريحة الدوائر المتكاملة IMT65R075M2H من كربيد السيليكون CoolSiC™ MOSFETs 650V SiC MOSFET Discretes

وحدات MOSFET منفصلة عالية الأداء من كربيد السيليكون بقدرة 650 فولت تتميز بتقنية CoolSiC™ لتطبيقات تحويل الطاقة الفعالة.

مزايا MJD

خبرة تزيد عن 15 عامًا في المكونات الإلكترونية
عملية طلب آمنة
ملاحظات ممتازة من العملاء
تواريخ تسليم مضمونة
ضمان سعر منخفض بنسبة 100%
تصدير إلى 108 دول بمعدل رضا عملاء 99.9%

ملف الشركة

شركة Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. هي موزع مستقل معتمد للمكونات الإلكترونية من علامات تجارية عالمية مشهورة. تأسست Mingjiada في Shenzhen عام 1996، وأنشأت فروعًا في هونغ كونغ واليابان وروسيا وتايوان. تمتلك الشركة شهادات إدارة الجودة ISO9001:2014 وإدارة البيئة ISO14001:2014. بفضل فريق ذي خبرة في المبيعات والبحث والتطوير والإدارة، نحن متخصصون في توزيع منتجات من أكثر من 500 مصنع معروف، ملتزمون بتعظيم فوائد العملاء من خلال عروض منتجات شاملة وخدمة احترافية.

فحص الجودة

مكونات إلكترونية أخرى متوفرة في المخزون

رقم القطعة	الحزمة
MAX16904SATB60/V	TDFN-10
MAX16904SATB52/V	TDFN-10
MAX16904SATB55/V	TDFN-10
MAX20010EATPA/V	20-TQFN
MAX16962SAUEA/V	TSSOP-16
MAX16904RAUE50	TSSOP16
LT8643SHV-2	24-TFQFN
MAX20419ATGB/V	24-WFQFN
MAX20073ATBA/V	10-WFDFN
MAX20419ATGE/V	24-WFQFN
MAX15036ATE/V	16-WQFN
MAX16904SATB41/V	10-WFDFN
MAX20059ATCA/VY	12-WFDFN
MAX20006EAFOC/VY	17-FC2QFN
MAX20006EAFOD/VY	17-FC2QFN
MAX20008EAFOD/VY	17-FC2QFN
MAX20026ATID/V	28-TQFN
MAX16975BAEE/V	16-SSOP
MAX20026ATIB/V	28-WFQFN
MAX20026ATIC/V	28-TQFN
MAX20026ATIA/V	28-TQFN
MAX20472ATCB/V	12-TDFN
MAX16956AUBC	10-TFSOP
MAX20026SATIE/V	28-WFQFN
MAX20003EATPA/VY	20-WQFN
MAX20003EATPA/VY	20-WQFN
MAX20471ASAA/V	8-SOIC
MAX20038ATIC/VY	28-WFQFN
MAX20019ATBC/V	10-WFDFN
MAX20020ATBC/V	10-WFDFN

أسئلة متكررة

هل منتجاتكم أصلية؟

نعم، جميع المنتجات أصلية. الاستيراد الجديد الأصلي هو هدفنا.

ما هي الشهادات التي لديكم؟

نحن شركة حاصلة على شهادة ISO 9001:2015 وعضو في ERAI.

هل يمكنك دعم طلبات الكميات الصغيرة أو العينات؟ هل العينة مجانية؟

نعم، نحن ندعم طلبات العينات والطلبات الصغيرة. تختلف تكلفة العينة وفقًا لمتطلبات طلبك أو مشروعك.

كيف يتم شحن طلبي؟ هل هو آمن؟

نحن نستخدم شركات الشحن السريع مثل DHL و FedEx و UPS و TNT و EMS. يمكننا أيضًا استخدام وكيل الشحن الذي تقترحه. يتم تغليف المنتجات بشكل احترافي لضمان السلامة، ونحن مسؤولون عن أي تلف في المنتج لطلبك.

ماذا عن وقت التسليم؟

يمكننا شحن الأجزاء المتوفرة في المخزون في غضون 5 أيام عمل. بالنسبة للعناصر غير المتوفرة في المخزون، سنؤكد وقت التسليم بناءً على كمية طلبك.

بطاقة:

اتصل شخص: Sales Manager

الهاتف :: 86-13410018555

الفاكس: 86-0755-83957753

منتجات أخرى

LT8609IMSE#WTRPBF رقاقة الدوائر المتكاملة DC DC المنظمات التبديلية 10-TFSOP

رقم الجزء: LT8609IMSE # WTRPBF

حالة المنتج: نشط

الوظيفة: انزل

تكوين الإخراج: إيجابية

ليثيوم أيون BQ79616PAPRQ1 BQ79616 بطارية متعددة الوظائف تحكم IC 64-HTQFP

دور: جهاز تحكم متعدد الوظائف

كيمياء البطارية: ليثيوم أيون

عدد الخلايا: 1

حماية الأعطال: على درجة الحرارة

USB3.2 10Gbps رقائق متكاملة TUSB1002ARGER ثنائي القناة الخطي Redriver QFN24

رقم القطعة: TUSB1002ARGER

منتج: USB Redrivers

معدل البيانات: 10 جيجابت / ثانية

سرعة: السرعة الفائقة (SS)

مغلق الدائرة المتكاملة رقاقة TAS5805MPWPR فئة D مكبر للصوت TAS5805 HTSSOP28

رقم القطعة: TAS5805MPWPR

امدادات التيار الكهربائي - دقيقة: 3 فولت

امدادات التيار الكهربائي - ماكس: 3.6 فولت

درجة حرارة التشغيل (دقيقة): -25 درجة مئوية

رقاقة دارة متكاملة ATSAMD21E17D-MFT متحكمات دقيقة IC QFN32 منخفضة الطاقة

رقم القطعة: ATSAMD21E17D-MFT

عرض ناقل البيانات: 32 بت

حجم ذاكرة البرنامج: 128 كيلو بايت

تردد الساعة (الحد الأقصى): 48 ميجا هرتز

شريحة دائرة متكاملة IMT65R075M2H من نوع CoolSiC™ MOSFETs من كربيد السيليكون بقدرة 650 فولت، منفصلة

شريحة دائرة متكاملة IMT65R075M2H من نوع CoolSiC™ MOSFETs من كربيد السيليكون بقدرة 650 فولت، منفصلة

شريحة دائرة متكاملة IMT65R075M2H من نوع CoolSiC™ MOSFETs من كربيد السيليكون بقدرة 650 فولت، منفصلة

شريحة دائرة متكاملة IMT65R075M2H

IMT65R075M2H

رقاقة دارة متكاملة 24-PQFN,

TUSB1002ARGER خطي ثنائي القناة,