logo
طلب اقتباس |
منزل المنتجاتشريحة ذاكرة IC

شريحة ذاكرة H5AN4G8NBJR-VKC 4Gb DDR4 متزامنة DRAM بمعدل بيانات 2666 ميجابت في الثانية في عبوة FBGA-78

جميع المنتجات

رقاقة دارة متكاملة

(24142)

BT IC

(575)

وحدات السيارات IGBT

(2283)

متحكم MCU

(16099)

GaN IC

(293)

رقاقة معالج الذكاء الاصطناعي

(1351)

مصفوفة البوابة القابلة للبرمجة الميدانية

(7072)

إيثرنت IC

(1166)

موصلات

(3537)

شريحة ذاكرة IC

(2650)

مستشعر IC

(2877)

شريحة إنترنت الأشياء

(248)

وحدة 5G

(160)

شريحة واي فاي

(199)

اي فون IC رقاقة

(54)

وحدة الاتصال اللاسلكي

(3864)

ترموستات متحكم في درجة الحرارة

(11)

الحلول المدمجة

(10093)
شهادة
الصين ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. الشهادات
الصين ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. الشهادات
زبون مراجعة
تم شحنه بسرعة كبيرة ، وكان مفيدًا جدًا ، جديد وأصلي ， سأوصي به بشدة.

—— نيشيكاوا من اليابان

خدمة احترافية وسريعة ، أسعار مقبولة للبضائع.اتصال ممتاز ، المنتج كما هو متوقع.أوصي بشدة بهذا المورد.

—— لويس من الولايات المتحدة

الجودة العالية والأداء الموثوق به: "المكونات الإلكترونية التي تلقيناها من [ShenZhen Mingjiada Electronics Co.، Ltd.] ذات جودة عالية وأظهرت أداءً موثوقًا في أجهزتنا".

—— ريتشارد من ألمانيا

الأسعار التنافسية: الأسعار المقدمة من قبل تنافسية جدا، مما يجعلها خيار ممتاز لاحتياجات المشتريات لدينا.

—— تيم من ماليزيا

خدمة العملاء المقدمة من قبل ممتازة. هم دائما استجابة ومساعدة، وضمان احتياجاتنا تلبية على وجه السرعة.

—— فنسنت من روسيا

أسعار رائعة، تسليم سريع، وخدمة عملاء من الدرجة الأولى

—— نيشيكاوا من اليابان

مكونات موثوقة، شحن سريع، ودعم ممتاز.

—— سام من الولايات المتحدة

قطع الغيار عالية الجودة وعملية طلب سلسة أوصي بشدة بشينتشن مينغجيادا إلكترونيكس كو، ليتد لأي مشروع إلكتروني

—— لينا من ألمانيا

ابن دردش الآن

شريحة ذاكرة H5AN4G8NBJR-VKC 4Gb DDR4 متزامنة DRAM بمعدل بيانات 2666 ميجابت في الثانية في عبوة FBGA-78

شريحة ذاكرة H5AN4G8NBJR-VKC 4Gb DDR4 متزامنة DRAM بمعدل بيانات 2666 ميجابت في الثانية في عبوة FBGA-78
شريحة ذاكرة H5AN4G8NBJR-VKC 4Gb DDR4 متزامنة DRAM بمعدل بيانات 2666 ميجابت في الثانية في عبوة FBGA-78

صورة كبيرة :  شريحة ذاكرة H5AN4G8NBJR-VKC 4Gb DDR4 متزامنة DRAM بمعدل بيانات 2666 ميجابت في الثانية في عبوة FBGA-78

تفاصيل المنتج:
مكان المنشأ: CN
اسم العلامة التجارية: Original Factory
إصدار الشهادات: Lead free / RoHS Compliant
رقم الموديل: H5AN4G8NBJR-VKC
شروط الدفع والشحن:
الحد الأدنى لكمية: 10
الأسعار: Contact for Sample
تفاصيل التغليف: FBGA-78
وقت التسليم: 3-5 أيام عمل
شروط الدفع: تي/تي
القدرة على العرض: 10000 قطعة يوميا
اتصل

شريحة ذاكرة H5AN4G8NBJR-VKC 4Gb DDR4 متزامنة DRAM بمعدل بيانات 2666 ميجابت في الثانية في عبوة FBGA-78

الوصف
رقم الجزء: H5AN4G8NBJR-VKC طَرد: FBGA-78
سعة التخزين: 4 جيجابت الهيكل التنظيمي: 512 م × 8
معدل البيانات: 2666 ميجابت في الثانية جهد التشغيل: 1.2 فولت

شريحة ذاكرة H5AN4G8NBJR-VKC 4Gb DDR4 متزامنة DRAM ETT Memory FBGA-78

شريحة ذاكرة H5AN4G8NBJR-VKC 4Gb DDR4 متزامنة DRAM ETT Memory FBGA-78

H5AN4G8NBJR-VKC هي ذاكرة وصول عشوائي ديناميكية متزامنة CMOS مزدوجة معدل البيانات IV (DDR4) بسعة 4Gb، وهي مناسبة تمامًا لتطبيقات الذاكرة الرئيسية التي تتطلب كثافة ذاكرة كبيرة وعرض نطاق ترددي عالٍ.

ميزات المنتج
  • VDD=VDDQ=1.2V +/- 0.06V
  • مدخلات ساعة تفاضلية بالكامل (CK, CK) تشغيل
  • إشارة بيانات تفاضلية (DQS, DQS)
  • شريحة DLL محاذاة DQ، DQS و DQS انتقال مع CK انتقال
  • DM يخفي بيانات الكتابة عند الحواف الصاعدة والهابطة لإشارة البيانات
  • جميع العناوين والتحكم في المدخلات باستثناء البيانات، وإشارات البيانات، وأقنعة البيانات يتم التقاطها عند الحواف الصاعدة للساعة
  • زمن استجابة CAS قابل للبرمجة 9، 11، 12، 13، 14، 15، 16، 17، 18، 19 و 20
  • زمن استجابة إضافي قابل للبرمجة 0، CL-1، و CL-2 مدعوم (x4/x8 فقط)
  • زمن استجابة كتابة CAS قابل للبرمجة (CWL) = 9، 10، 11، 12، 14، 16، 18
  • طول انفجار قابل للبرمجة 4/8 مع وضع تسلسلي متداخل ووضع متداخل
  • تبديل BL أثناء التشغيل
  • 16 بنك
  • دورة تحديث متوسطة (Tcase من 0 درجة مئوية ~ 95 درجة مئوية)
  • 7.8 ميكرو ثانية عند 0 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية
  • 3.9 ميكرو ثانية عند 85 درجة مئوية ~ 95 درجة مئوية
  • نطاق درجة حرارة التشغيل
  • درجة حرارة تجارية (0 درجة مئوية ~ 95 درجة مئوية)
  • درجة حرارة صناعية (-40 درجة مئوية ~ 95 درجة مئوية)
  • JEDEC قياسي 78 كرة FBGA (x4/x8)، 96 كرة FBGA (x16)
  • قوة المحرك مختارة بواسطة MRS
  • إنهاء ديناميكي على الشريحة مدعوم
  • حالتان إنهاء مثل RTT_PARK و RTT_NOM قابلتان للتبديل بواسطة دبوس ODT
  • دبوس إعادة تعيين غير متزامن مدعوم
  • معايرة ZQ مدعومة
  • TDQS (إنهاء إشارة البيانات) مدعوم (x8 فقط)
  • تسوية الكتابة مدعومة
  • جلب مسبق 8 بت
  • متوافق مع RoHS
  • توليد مستوى Vref DQ داخلي متاح
  • كتابة CRC مدعومة في جميع درجات السرعة
  • وضع توفير الطاقة الأقصى مدعوم
  • وضع TCAR (تحديث تلقائي متحكم فيه بالحرارة) مدعوم
  • وضع LP ASR (تحديث ذاتي تلقائي منخفض الطاقة) مدعوم
  • تحديث دقيق الحبيبات مدعوم
  • قابلية العنونة لكل DRAM مدعومة
  • وضع Geardown (معدل 1/2، معدل 1/4) مدعوم
  • مقدمة قابلة للبرمجة للقراءة والكتابة مدعومة
  • إلغاء التحديث الذاتي مدعوم
  • وضع CA parity (تزامن الأوامر/العناوين) مدعوم
  • تجميع البنوك مطبق، وزمن استجابة CAS إلى CAS (tCCD_L، tCCD_S) للبنوك في نفس أو مجموعات بنوك مختلفة الوصول متاحة
  • DBI (عكس ناقل البيانات) مدعوم (x8/x16)
التطبيقات
  • الخوادم ومراكز البيانات: خوادم المؤسسات، خوادم سحابية، عقد حوسبة الحافة
  • أجهزة الكمبيوتر الشخصية ومحطات العمل: أجهزة كمبيوتر مكتبية/محمولة، محطات عمل، أجهزة كمبيوتر الكل في واحد
  • أنظمة مدمجة صناعية: أجهزة كمبيوتر تحكم صناعية، لوحات أم مدمجة، واجهات الإنسان والآلة (HMIs)
  • معدات الشبكات والاتصالات: أجهزة توجيه/محولات شبكة للمؤسسات، معدات أمن الشبكات، معدات محطات أساسية
  • إلكترونيات استهلاكية: تلفزيونات ذكية، أجهزة استقبال، وحدات تحكم ألعاب
مكونات إلكترونية أخرى متوفرة
رقم القطعة الحزمة
TPS73512QDRBRQ18-SON
TPS72325QDBVRQ1SOT-23-5
DP83847ALQA56A56-WQFN
TPS61240TDRVRQ16-WDFN
TPS7A5201WQRTKRQ120-QFN
MSP430F2274IDAR38-TSSOP
DRV10975ZRHFR24-VFQFN
DRV83055QPHPRQ148-HTQFP
TPS6521815RSLR48-VQFN
DRV8243SQRXYRQ114-VFQFN
XC7A15T-1FGG484CBGA484
XC7A100T-2FGG484CBGA484
XC7A35T-2CSG324CBGA324
AT89C51ED2-SLSUMPLCC44
ATA6563-GBQW1VDFN8
ATA6563-GBQW0VDFN8
ATMEGA2561-16AUTQFP-64
TLE9263BQXVQFN48
STM32F722VET6100-LQFP
STM32F407VET6100-LQFP
STM32F407VGT6100-LQFP
STM32F407IGT6176-LQFP
STM32F407ZGT6144-LQFP
STM32F407ZET6144-LQFP
STM32F407IEH6201-UFBGA
STM32F405VGT6100-LQFP
STM32F405ZGT6144-LQFP
STM32H750VBT6100-LQFP
STM32H750ZBT6144-LQFP
STM32H750IBT6176-LQFP
أسئلة متكررة
س: هل منتجاتكم أصلية؟
ج: نعم، جميع المنتجات أصلية، الاستيراد الجديد الأصلي هو هدفنا.
س: ما هي الشهادات التي لديك؟
ج: نحن شركة حاصلة على شهادة ISO 9001:2015 وعضو في ERAI.
س: هل يمكنك دعم طلبات الكميات الصغيرة أو العينات؟ هل العينة مجانية؟
ج: نعم، نحن ندعم طلبات العينات والطلبات الصغيرة. تختلف تكلفة العينة حسب طلبك أو مشروعك.
س: كيف يتم شحن طلبي؟ هل هو آمن؟
ج: نستخدم الشحن السريع، مثل DHL، Fedex، UPS، TNT، EMS. يمكننا أيضًا استخدام وكيل الشحن الذي تقترحه. سيتم تعبئة المنتجات بشكل جيد وضمان السلامة ونحن مسؤولون عن تلف المنتج لطلبك.
س: ماذا عن وقت التسليم؟
ج: يمكننا شحن الأجزاء المخزنة في غضون 5 أيام عمل. إذا لم يكن هناك مخزون، سنؤكد لك وقت التسليم بناءً على كمية طلبك.

بطاقة:

USB PD 3.0 MPQ5031,

وحدة تحكم USB PD QFN20,

وحدة تحكم USB PD MPQ5031

تفاصيل الاتصال
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

اتصل شخص: Sales Manager

الهاتف :: 86-13410018555

الفاكس: 86-0755-83957753

إرسال استفسارك مباشرة لنا (0 / 3000)

حول

رقاقة دارة متكاملة

VN7008AJTR حلقة متكاملة رقاقة محرك الجانب العالي 96A مفاتيح الجانب العالي PowerSSO-16

ADG1433YCPZ رقاقة الدوائر المتكاملة iCMOSTM التبديل 4.7Ohm التبديلات التناظرية CMOS الصناعية

LT6700CS6-1 رقاقة الدوائر المتكاملة الكهرباء المجهرية منخفضة الجهد مقارنة مزدوجة مع 400mV المرجعية

إيثرنت IC

PEX8606-BA50BCG Ethernet IC 5.0GT/s 6-Lane 6-Port PCI Express Gen 2 التبديل PBGA-196

PEX8619-BA50BIG Ethernet IC 16-Lane 16-Port PCI Express Switch HSBGA-324 PCIe Switch يتم تحديد عدد المفاتيح المستخدمة

88E1111-B2-RCJ1C000 Ethernet IC ألاسكا ألترا جيجابيت إيثيرنث PHY Transceivers

ترك رسالة

سياسة الخصوصية | الصين جيّد جودة رقاقة دارة متكاملة المزود. © 2022 - 2026 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.. All Rights Reserved.