شريحة الذاكرة IC H5AN8G6NDJR-XNC بسرعة 8 جيجا بايت DDR4 SDRAM مع معدل بيانات يبلغ 3200 ميجابت في الثانية في حزمة FBGA-96

H5AN8G6NDJR-XNC هي ذاكرة وصول عشوائي ديناميكية متزامنة (DDR4) من نوع CMOS بسعة 8 جيجابت، وهي مناسبة تمامًا لتطبيقات الذاكرة الرئيسية التي تتطلب كثافة ذاكرة كبيرة وعرض نطاق ترددي عالٍ.

• VDD=VDDQ=1.2V +/- 0.06V
• مدخلات ساعة تفاضلية بالكامل (CK, CK) تعمل
• إشارة بيانات تفاضلية (DQS, DQS)
• شريحة DLL لمحاذاة انتقال DQ، DQS و DQS مع انتقال CK
• أقنعة DM لكتابة البيانات عند الحواف الصاعدة والهابطة لإشارة البيانات
• دعم زمن استجابة CAS قابل للبرمجة 9، 10، 11، 12، 13، 14، 15، 16، 17، 18، 19 و 20
• دعم زمن استجابة إضافي قابل للبرمجة 0، CL-1، و CL-2 (x4/x8 فقط)
• زمن استجابة كتابة CAS قابل للبرمجة (CWL) = 9، 10، 11، 12، 14، 16، 18
• طول انفجار قابل للبرمجة 4/8 مع وضع التسلسل الجزئي والتبادلي
• تبديل BL أثناء التشغيل
• 16 بنك
• دورة تحديث متوسطة (Tcase من 0 درجة مئوية ~ 95 درجة مئوية)
• JEDEC قياسي 78 كرة FBGA (x4/x8)، 78 كرة FBGA (x16)
• قوة المحرك مختارة بواسطة MRS
• دعم إنهاء داخلي ديناميكي
• حالتان إنهاء مثل RTT_PARK و RTT_NOM قابلتان للتبديل بواسطة دبوس ODT
• دعم دبوس إعادة تعيين غير متزامن
• دعم معايرة ZQ
• دعم TDQS (إنهاء إشارة البيانات) (x8 فقط)
• دعم تسوية الكتابة
• جلب مسبق 8 بت
• متوافق مع RoHS
• توفر توليد مستوى Vref DQ داخلي
• دعم CRC للكتابة في جميع درجات السرعة
• دعم وضع توفير الطاقة الأقصى
• دعم وضع TCAR (التحديث التلقائي المتحكم فيه بالحرارة)
• دعم وضع LP ASR (التحديث الذاتي التلقائي منخفض الطاقة)
• دعم التحديث الدقيق
• دعم قابلية عنونة كل DRAM
• دعم وضع Geardown (معدل 1/2، معدل 1/4)
• دعم بادئة قابلة للبرمجة للقراءة والكتابة
• دعم إلغاء التحديث الذاتي
• دعم وضع CA parity (تزامن الأمر/العنوان)
• تطبيق تجميع البنوك مع زمن استجابة CAS إلى CAS للوصول إلى نفس/مجموعات البنوك المختلفة
• دعم DBI (عكس ناقل البيانات) (x8)

أجهزة الكمبيوتر الشخصية: وحدات الذاكرة (SO-DIMM) لأجهزة الكمبيوتر المحمولة عالية الأداء وأجهزة الكمبيوتر المصغرة (NUCs)؛ تصميم ذاكرة مدمجة لأجهزة الكمبيوتر المتكاملة وأجهزة سطح المكتب للمبتدئين

الخوادم ومراكز البيانات: تجميعات وحدات الذاكرة (RDIMM/UDIMM) للخوادم من فئة المؤسسات؛ عقد حافة في مصفوفات تخزين مراكز البيانات؛ مجمعات الذاكرة للبنية التحتية للحوسبة السحابية

الأنظمة الصناعية والمدمجة: ذاكرة النظام لمعدات التحكم والأتمتة الصناعية؛ تخزين مؤقت للحزم لمعدات الاتصالات الشبكية (الموجهات، المحولات)؛ الذاكرة الرئيسية للأجهزة الطبية وأدوات الاختبار والقياس

الإلكترونيات الاستهلاكية: الأجهزة التي تتطلب عرض نطاق ترددي عالٍ للذاكرة، مثل أجهزة تلفزيون ذكية عالية الجودة، وصناديق الاستقبال الرقمية، ووحدات تحكم الألعاب