|
تفاصيل المنتج:
|
| رقم الجزء: | SVT2020N090SC1 | يكتب: | كربيد السيليكون ترانزستور MOSFET |
|---|---|---|---|
| طَرد: | D2PAK-7 | استنزاف لمصدر الجهد (Vdss): | 900 فولت |
| إبراز: | استنزاف 900 فولت لمصدر الجهد ترانزستور كربيد السيليكون MOSFET,ترانزستور MOSFET من كربيد السيليكون منخفض الردسون,الترانزستور MOSFET من كربيد السيليكون ذو البوابة المنخفضة الشحن |
||
يستخدم ترانزستور موسفيت SVT2020N090SC1 من كربيد السيليكون (SiC) تقنية متقدمة لتقديم أداء تبديل فائق وموثوقية محسنة مقارنة بالمكونات التقليدية المصنوعة من السيليكون. بفضل مقاومة التشغيل المنخفضة وتصميم الشريحة المدمج، يضمن هذا الترانزستور الموسفيت الحد الأدنى من السعة وشحنة البوابة، مما يؤدي إلى أعلى كفاءة، وترددات تشغيل أسرع، وكثافة طاقة متزايدة، وتقليل التداخل الكهرومغناطيسي (EMI)، وأحجام أنظمة أصغر.
| رقم القطعة | الحزمة |
|---|---|
| PI7C9X2G312GPBNJE | 196-LBGA |
| DRV8353SMRTAT | 40-WFQFN |
| DRV8328DRUYR | 28-VFQFN |
| UCC5350SBQDRQ1 | 8-SOIC |
| DRV8353FHRTAR | 40-WFQFN |
| DRV8714SQRHARQ1 | 40-VFQFN |
| DRV8328ARUYR | 28-VFQFN |
| LMG3411R050RWHR | 32-VQFN |
| TPS59603QDSGTQ1 | 8-WFDFN |
| UCC27282QDDARQ1 | 8-SOIC |
| LMG3411R070RWHR | VQFN32 |
| DRV8106HQRHBRQ1 | 32-VFQFN |
| NCD57090CDWR2G | 8-SOIC |
| NCV57090BDWR2G | 8-SOIC |
| MAX16138ATA01/VY | 8-TDFN |
| MAX16150CWT | 6-WFBGA |
| MAX16127TC/V | 12-WFQFN |
| ADM1266ACPZ | 64-WFQFN |
| TPS35AA38AGADDFRQ1 | SOT-23-8 |
| TPS3436CCCBGDDFRQ1 | SOT-23-8 |
| TPS35AA17AGADDFR | SOT-23-8 |
| TPS3435CAKAGDDFR | SOT-23-8 |
| TPS35CA43DACDDFRQ1 | SOT-23-8 |
| TPS36CA66BECDDFRQ1 | SOT-23-8 |
| TPS37F010122DSKR | 10-WFDFN |
| TPS37A010122DYYRQ1 | SOT-23-14 |
| TPS37043BJOFDDFRQ1 | SOT-23-8 |
| TPS37B010122DSKR | 10-WFDFN |
| TPS38J010155DSKRQ1 | 10-WFDFN |
| TPS37A543222DSKRQ1 | 10-WFDFN |
اتصل شخص: Sales Manager
الهاتف :: 86-13410018555
الفاكس: 86-0755-83957753
Arabic
