|
تفاصيل المنتج:
|
| رقم الجزء: | IRF530NPBF | مسلسل: | HEXFET® |
|---|---|---|---|
| استنزاف لمصدر الجهد (Vdss): | 100 فولت | التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية: | 17 أمبير (ح) |
| بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs: | 37 نانو سي @ 10 فولت | تبديد السلطة (الحد الأقصى): | 70 واط (ح) |
| إبراز: | 100V MOSFET Transistor,17A Continuous Drain Current HEXFET® Power MOSFET,Fast Switching Integrated Circuit Chip |
||
IRF530 Integrated Circuit Chip 100V Single N-Channel MOSFET Transistor TO-220-3 Product Description Of IRF530 IRF530 is an N-channel power MOSFET belonging to the well-known HEXFET® power MOSFET series. This device is housed in a TO-220AB package and is renowned for its low on-resistance, fast switching and high reliability. Specification Of IRF530 Product Category: MOSFETs Technology: Si Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Transistor Polarity: N-Channel
اتصل شخص: Sales Manager
الهاتف :: 86-13410018555
الفاكس: 86-0755-83957753
Arabic
